从PN结理解三极管

一、半导体与PN结

首先了解半导体的一些特性:

1. 半导体的导电特性:

半导体一般是指基于元素周期表中第IV主族元素物质制作的介于导体和绝缘体之间的物质,比如碳、硅、锗等。
半导体导电特性是基于空穴-电子对的运动,从而产生电流。
空穴:电子流失后留下的空位,把它看成一类导电物质,带正电;
电子:电子的单向运动产生反向电流,带负电。
温度升高空穴-电子对的运动强度增大,因此导电能力也就增强。

2. PN结

N型半导体(Negative):参入五价元素,与四价元素形成共价键后剩余一个电子,整体带负电。
P型半导体(Positive):参入三价元素,与四价元素形成共价键后剩余一个空穴,整体带正电。
PN结:将P型半导体和N型半导体组合后形成PN结,也就是常见的二极管基本结构。
对PN结的P区加正电压,N区加正电压。P区的空穴向N去移动,N区的电子向P区移动,这样就形成了由P向N的电流。
在这里插入图片描述

3.二极管

一般选型二极管可能需要关注的参数有:最大整流电流IF,最高反向工作电压UR,反向电流IR,最高工作频率fM等。
对PN结施加反向电压的应用场景是稳压二极管。

二、三极管与放大电路

1. 三极管(Bipolar Junction Transistor)

按照各类书籍,基本按照NPN型为例进行分析,本文也会依照NPN模型的路径进行分析,但尽量结合两类三极管的异同点。结构如下:
在这里插入图片描述
日常使用过程中我们更加关注的应该是如下的符号:
在这里插入图片描述
关于记忆NPN和PNP的符号,我的方法是箭头总指向N型半导体,而实际上也和正常使用情况下电流流向一致,即P->N。

接下来,对于NPN型三极管,最基本的一个共射极放大电路如下:
在这里插入图片描述
基于上述的电路可以深入了解三极管为什么可以用于放大,为什么也可以用于开关。
首先,VBB和VCC是直流供电电源,大小不一定相等。△u1是交流信号。基极-发射极回路称为输入回路,集电极-发射极回路称为输出回路。回路中的电流是直流和交流信号的叠加。Rc是负载。

其次,放大系数公式可以写成 β = △ i C △ i B ≈ I c I b \beta=\frac{\bigtriangleup i_C}{\bigtriangleup i_B}\approx\frac{I_c}{I_b} β=iBiCIbIc(式中,约等于的误差来自三极管中的压降,此处不做详细分析,可以参考模拟电路书籍)。放大系数中的电流Ic和Ib实际设计中可以在b极和c极用电阻进行控制,这样便可以设计放大电路了。

再者,三极管工作状态有三种:

  • 放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置。正向偏置即电压方向是P->N。
  • 饱和状态:发射结和集电结都正向偏置。
  • 截止状态:基极电流为零。

最后,输入特性曲线和输出特性曲线分别描述了电压电流关系。

  • 当UCE确定时,集电结与发射结电压确定,可以分析iB和uBE的关系。这就是输入特性曲线,主要分析的是输入回路的电路。
    在这里插入图片描述
  • 当iB一定时,基极电流确定,可以分析集电极电流iC和管压降UCE之间的关系。
    在这里插入图片描述

2.放大电路

根据以上三种工作状态,如果是设计放大电路,则工作状态一定是放大状态。而设计开关电路,则工作状态在饱和状态和截止状态之间切换。放大电路的设计重点就在于如何让三极管工作在放大状态。
上文有提到放大系数是 β = △ i C △ i B ≈ I c I b \beta=\frac{\bigtriangleup i_C}{\bigtriangleup i_B}\approx\frac{I_c}{I_b} β=iBiCIbIc。放大状态的条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。

  • 首先如何保证发射结正偏集电结反偏?
    答案就是三极管形成的直流回路要满足:UCE≥0且UCB≥0且 UBE≥0。而这在模电当中称为设置静态工作点(Quiescent)包含参数:IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ,而一般会把UBEQ当成已知量,硅管0.7V,锗管0.2V。按照如下图的模型,设置VCC>VBB即可实现:
    在这里插入图片描述
  • 设计时如何控制放大系数?
    主要在于控制Ic和Ib的值,主要通过控制Rc和Rb1的值,由于供电电源在一个系统中通常只有一种等级的电压,所以通过Rb2来控制基极的电流。常见应用如下:
    在这里插入图片描述
    关于三极管放大电路的分析设计,可以参考模电书籍,比如图解法,等效电路分析法等。其他共基、共集放大电路:
    在这里插入图片描述
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    将三类基本放大电路通过三类耦合方式(直接耦合、阻容耦合、变压器耦合)就可以形成多级放大电路。而为了减小温度引起的半导体导电性问题,即温漂问题,采用如下差分放大电路,运用双边共同变化的思路解决温漂问题:
    在这里插入图片描述

三、三极管的开关作用

1.开关作用的工作模式

根据上面提到的内容,三极管的开关作用是指饱和区和截止区的交换过程。而有一种特殊状态是UBC=0,即集电极和发射极的电压差为0,这种状态称为临界饱和或临界放大。对于开关作用的三极管一般可以设计成这种工作状态。

2.开关电路的设计

  • 设计原理:
    饱和区:发射结和集电结都正向偏置。
    截止区:基极电流为0。
    结合上述的内容,只要满足UBC=0即可。下图中Rb=Rc,VBB=VCC,则形成了一个开关电路。数字电路中通过操作VBB的0和1状态即可实现开关。
    在这里插入图片描述

  • 针对NPN三极管
    这种三极管作为开关管,一般设计方式有两种:
    在这里插入图片描述
    上述这种方式下,当I/O端的电压等于VCC后,三极管导通;当I/O端电压等于0后,三极管截止。但由于三极管PN结的压降,以及负载R2和LED的压降,会导致基极电流iB受到较大影响,可能会引起不能导通的现象,所以实际应用一般采用如下的一种方式:
    在这里插入图片描述

  • 针对PNP三极管
    PNP三极管的应用也有两种模型:
    在这里插入图片描述
    和NPN的原理类似,此种情况下,当I/O电压在0V时,三极管导通;当I/O电压等于VCC时,三极管截止。但此时iB的值由发射极决定,所以如果负载R2和LED压降过大,则iB很小,可能不能导通三极管。以下是日常设计中常用的方式:
    在这里插入图片描述

  • 总体来说,一般在用三极管设计控制电路时,负载都与集电极一侧相连。

四、低功耗和稳定性问题

1. 低功耗问题

在低功耗设计中,三极管控制电路会对电路产生一定影响。无论是NPN还是PNP,三极管本身PN结会有漏电流存在,在以上提到的模型中,当工作在截止状态时,NPN中存在Ucb>0和Uce>0 ,PNP中存在Uec>0和Ubc>0,故会有漏电流存在。

2. 稳定性问题

在I/O控制基极电压时,为了稳定基极的电压,一般会在NPN开关电路的设计中,在基极加下拉电阻;在PNP开关电路的设计中,在基极加上拉电阻。上拉下拉电阻根据控制芯片、三极管和电路电压选择10K,4.7K,1K等。如图:
在这里插入图片描述
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参考资料:《模拟电子技术基础》

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