NandFlash和NorFlash都是Flash的一种,都是散存,都是磁盘存储介子,但是NandFlash一般比较大,而NorFlash都比较小,并且NorFlash比较贵,并且NorFlash写的速度比较慢,但读的速度比较快 ,而NandFlash读的速度比较慢,写的速度比较快。
NOR Flash是总线型设备,可在芯片内执行(XIP,eXecute In Place),应用程序可以直接在FIash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中;而NAND Flash则需I/O接口,因此使用时需要写入驱动程序
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。
1.S3C2440存储控制器特性
(1) S3C2440A的存储器管理器提供访问外部存储器的所有控制信号
27位地址信号、32位数据信号、8个片选信号、以及读/写控制信号等
(2) 总共有8个存储器bank(bank0—bank7)
(3) bank0---bank5为固定128MB
bank6和bank7的容量可编程改变,可以是2、4、8、16、32、64、128MB
最大共1GB
(4) bank0可以作为引导ROM。其数据线宽只能是16位和32位,其它存储器的数据线宽可以是8位、16位和32位
(5) 7个固定存储器bank(bank0-bank6)起始地址。bank7的开始地址与bank6的结束地址相连接,但是二者的容量必须相等
(6) 所有存储器bank的访问周期都是可编程的
(7) 支持SDRAM的自刷新和掉电模式
(8) 支持大小端(软件选择)
注:8个128M的bank,一共只有1G(地址空间),剩余3G,有一部分是寄存器的地址,还有一部分没有被使用,系统上电后从bank0执行bootloader程序。
S3C2440的8个bank在系统上电后必须进行相应的初始化(n多寄存器的配置,S3c2440片内有NandFlash,SDRAM,NorFlash等配置寄存器),2440不然就不能工作。
S3C2440的每个bank都可以用来总线型设备,这些设备共用系统的总线。这些设备的片选端,都应该接到相应bank的片选信号上,因此所有总线型设备的地址线也是共用的。比如bank0接的就是norflash(bank0可以作为引导ROM), Bank6接SDRAM。NandFlash不是总线型设备,所以NandFlash没有接在bank上,而是单独和S3C2440连接。系统如果从NandFlash启动的话,NandFlash里面必须烧有bootloader程序,NorFlash同理。
NOR Flash是可在芯片内执行(XIP,eXecute In Place),应用程序可以直接在FIash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中;而NAND Flash则需I/O接口,因此使用时需要写入驱动程序
启动方式:
NandFlash没有接在bank0上,而程序必须从0地址开始执行,即bank0开始。2440内部有一个叫做“起步石(Steppingstone)” 的 SRAM缓冲器。
系统启动时Nand flash存储器的前面4K字节被自动拷贝到Steppingstone中。
Steppingstone被映射到nGCS0对应的BANK0存储空间。
CPU在Steppingstone的4-KB内部缓冲器中开始执行引导代码。
引导代码执行完毕后,自动跳转到SDRAM执行。