计算机组成原理复习之存储器和指令系统笔记

存储器笔记

多级存储器体系结构

高速缓冲存储器（cache），主存储器和外存储器。
CPU可以直接访问的存储器为内存储器


1.主存储器的技术指标：
存储容量：指一个存储器可以容纳的存储单元的总数
存储时间：指一次读操作命令发出到该操作完成，将数据读到数据总线上的时间
存储周期：指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间
存储器带宽：单位时间里存储器所存取的信息量，通常以位/秒或者字节/秒做度量单位


2.存储器特点
速度快的存储器价格贵，容量小； 


价格低的存储器速度慢，容量大。


3.SRAM存储器 



4.DRAM存储器 
（1）SRAM存储器的存储位元是一个触发器，它具有两个稳定的状态。
而DRAM存储器的存储元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路:
  （2）存储器容量的扩充
1.字长位数扩展
d = 设计要求的存储器容量 / 选择芯片存储器容量


2.存储容量扩展
d=设计要求的存储器容量/选择芯片存储器容量


5.只读存储器
ROM叫做只读存储器，只能读出而不能写入。存储的原始数据，必须在它工作以前写入
存储元是：MOS管
主要有两类：

       （1）掩模ROM：掩模ROM实际上是一个存储内容固定的ROM，由生产厂家提供产品。
       （2）可编程ROM：用户后写入内容，有些可以多次写入。  
一次性编程的PROM 
多次编程的EPROM和E2PROM


6.FLASH存储器
  FLASH存储器也翻译成闪速存储器，它是高密度非失易失性的读/写存储器
  存储元是：MOS晶体管


基本操作：编程操作（写入操作），读出操作，擦出操作


7.并行存储器
（1）背景：由于CPU和主存储器之间在速度上是不匹配的，为了提高CPU和主存储器之间的数据传输率，可以采用
并行技术的存储器

类别
1.双端口存储器
双端口存储器由于同一个存储器具有两组相互独立的读写控制电路而得名
 

2.多模块交叉存储器