STM32F4——FLASH闪存编程原理

本文介绍了STM32F4的FLASH闪存结构,包括主存储器、系统存储器等区域,强调了主存储器的扇区管理。详细讲解了锁定解锁、写入、擦除和读取操作,特别是写操作前需检查扇区是否已擦除。最后,文中分享了学习体会及对未来智能设备和物联网技术的兴趣。
摘要由CSDN通过智能技术生成

 一、简介:

    首先是对FLASH闪存的一个基本了解和认识。FLASH闪存分为多个模块。其中有:主存储器、系统存储器、OTP区域、选项字节。现在主要认识的是有关主存储器的相关结构,主存储器分为了多个扇区,每个扇区都有相关字节的存储区域,通过扇区的方式来管理内存可以方便数据的存储。

二、有关FLASH闪存的操作。

    1、锁定和解锁操作:

    为了对FLASH闪存数据做好一定的防护工作,需要在不必要操作闪存数据时锁定闪存,同时在需要操作闪存数据时执行解锁操作,相关库函数;void FLASH_Unlock(void)和void FLASH_Lock(void);

    2、写操作:

    根据写入的数据长度的不同可以分为字节、半字、字、双字写入。都分别提供了相应的函数。有关FLASH的写入操作下边还会做相关介绍。

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