（实验34）单片机，STM32F4学习笔记，代码讲解【FLASH模拟EEPROM实验】【正点原子】【原创】

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_44639540/article/details/124111914

文章目录

2024年4月份补充
其它文章链接，独家吐血整理
实验现象
主程序
FLASH初始化程序
代码讲解

2024年4月份补充

在这里插入图片描述

1024kb是指1024K空间大小，是指1024*1024bit，地址长度为0x10 0000

其它文章链接，独家吐血整理

实验现象

本实验开机后,先显示一些提示信息，然后在主循环里面检测两个按键，其中1个按键（KEY1）用来执行写入FLASH的操作，另外一个按键（KEY0）用来执行读出操作，在TFTLCD模块上显示相关信息。
同时用DS0提示程序正在运行。另外,本实验可以借助USMART调试。不过切记写入地址不要把用户代码区给写了，否则可能死机。

主程序

int main(void)
{ 
	u8 key=0;
	u16 i=0;
	u8 datatemp[SIZE];	
	NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//设置系统中断优先级分组2
	delay_init(168);  //初始化延时函数
	uart_init(115200);		//初始化串口波特率为115200
	
	LED_Init();					//初始化LED 
 	LCD_Init();					//LCD初始化  
 	KEY_Init();					//按键初始化 
 	POINT_COLOR=RED;//设置字体为红色 
	LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"Explorer STM32F4");	
	LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"FLASH EEPROM TEST");	
	LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");
	LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2014/5/9"); 
	LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"KEY1:Write  KEY0:Read");
	while(1)
	{
		key=KEY_Scan(0);
		if(key==KEY1_PRES)	//KEY1按下,写入STM32 FLASH
		{
			LCD_Fill(0,170,239,319,WHITE);//清除半屏    
 			LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Write FLASH....");
			STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)TEXT_Buffer,SIZE);
			LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH Write Finished!");//提示传送完成
		}
		if(key==KEY0_PRES)	//KEY0按下,读取字符串并显示
		{
 			LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Read FLASH.... ");
			STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)datatemp,SIZE);
			LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"The Data Readed Is:  ");//提示传送完成
			LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);//显示读到的字符串
		}
		i++;
		delay_ms(10);  
		if(i==20)
		{
			LED0=!LED0;//提示系统正在运行	
			i=0;
		}		   
	}    
}

FLASH初始化程序

//读取指定地址的半字(16位数据) 
//faddr:读地址 
//返回值:对应数据.
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
	return *(vu32*)faddr; 
}  
//获取某个地址所在的flash扇区
//addr:flash地址
//返回值:0~11,即addr所在的扇区
uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{
	if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_Sector_0;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_Sector_1;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_Sector_2;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_Sector_3;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_Sector_4;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_Sector_5;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_Sector_6;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_Sector_7;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_Sector_8;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10; 
	return FLASH_Sector_11;	
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为STM32F4的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
//         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
//         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
//         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写. 
//该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
//OTP区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.) 
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)	
{ 
	FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
	u32 addrx=0;
	u32 endaddr=0;	
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;	//非法地址
	FLASH_Unlock();									//解锁 
	FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
 		
	addrx=WriteAddr;				//写入的起始地址
	endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;	//写入的结束地址
	if(addrx<0X1FFF0000)			//只有主存储区,才需要执行擦除操作!!
	{
		while(addrx<endaddr)		//扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
		{
			if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
			{   
				status=FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(addrx),VoltageRange_3);//VCC=2.7~3.6V之间!!
				if(status!=FLASH_COMPLETE)break;	//发生错误了
			}else addrx+=4;
		} 
	}
	if(status==FLASH_COMPLETE)
	{
		while(WriteAddr<endaddr)//写数据
		{
			if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据
			{ 
				break;	//写入异常
			}
			WriteAddr+=4;
			pBuffer++;
		} 
	}
	FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);	//FLASH擦除结束,开启数据缓存
	FLASH_Lock();//上锁
} 

//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToRead:字(4位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)   	
{
	u32 i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
		ReadAddr+=4;//偏移4个字节.	
	}
}

代码讲解

//STM32的FLASH，探索者此款具有1024kb=1024字节，分为主储存器，系统存储器，OTP区域，选项字节
//其中主存储器中扇区0的地址==ox0800 0000，所以说，当boot0和boot1接地时，系统默认从0800 0000字节开始读取FLASH

//主存储器用来存放代码，和数据常数，分为12个扇区
//系统存储器，用来存放bootloader代码（出厂固化在里面的）
//OTP区域，一次性可编程区域，共628字节，分为512（存储用户数据）+16（用于锁定块）
//选项字节，只有16个字节，用于配置读保护，软件，硬件看门狗复位等···

//data=（vu32）addr；这条语句用来读取addr指针指向的内存字节数据

//注意，FLASH编程前，一定要先判断要写地址是否已经擦除？
//注意，STM32分为扇区擦除（0-11进行选择擦除）和整片擦除，此程序只用到了扇区擦除（这种肯定很好，可以保护其他扇区）

//#define FLASH_SAVE_ADDR 0X0800C004 //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且所在扇区,要大于本代码所占用到的扇区.
//否则,写操作的时候,可能会导致擦除整个扇区,从而引起部分程序丢失.引起死机.
//根据这句话得知，此程序擦除的应该是扇区3，FLASH起始地址从扇区0开始，所以判断存储数据应该也是从扇区0开始