nor flash与nand flash启动过程区别

ARM的nor flash与nand flash启动过程区别


B,s3c2440启动过程详解
1 :地址空间的分配
2 :开发板上一般都用SDRAM做内存,flash(nor、nand)来当做ROM。其中nand flash没有地址线,一次至少要读一页(512B).其他两个有地址线
3 :nandflash不用来运行代码,只用来存储代码,NORflash,SDRAM可以直接运行代码)
4 :s3c2440总共有8个内存banks
  6个内存bank可以当作ROM或者SRAM来使用
  留下的2个bank除了当作ROM 或者SRAM,还可以用SDRAM(各种内存的读写方式不一样)
  7个bank的起始地址是固定的,还有一个灵活的bank的内存地址,并且bank大小也可以改变
5 :s3c2440支持两种启动模式:NAND和非NAND(这里是nor flash)。
具体采用的方式取决于OM0、OM1两个引脚
OM[1:0所决定的启动方式
OM[1:0]=00时,处理器从NAND Flash启动
OM[1:0]=01时,处理器从16位宽度的ROM启动
OM[1:0]=10时,处理器从32位宽度的ROM启动。
OM[1:0]=11时,处理器从Test Mode启动。


当从NAND启动时
    cpu会自动从NAND flash中 读取前4KB 的数据放置在 片内SRAM里 (s3c2440是soc), 同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间(即0x00000000) 。cpu是从0x00000000开始执行,也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有,不能直接把NAND映射到0x00000000,只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行。


当从非NAND flash启动时
    nor flash被映射到0x00000000地址(就是nGCS0,这里就不需要片内SRAM来辅助了,所以片内SRAM的起始地址还是0x40000000). 然后cpu从0x00000000开始执行(也就是在Norfalsh中执行)。

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东南亚位于我国倡导推进的“一带一路”海陆交汇地带,作为当今全球发展最为迅速的地区之一,近年来区域内生产总值实现了显著且稳定的增长。根据东盟主要经济体公布的最新数据,印度尼西亚2023年国内生产总值(GDP)增长5.05%;越南2023年经济增长5.05%;马来西亚2023年经济增速为3.7%;泰国2023年经济增长1.9%;新加坡2023年经济增长1.1%;柬埔寨2023年经济增速预计为5.6%。 东盟国家在“一带一路”沿线国家中的总体GDP经济规模、贸易总额与国外直接投资均为最大,因此有着举足轻重的地位和作用。当前,东盟与中国已互相成为双方最大的交易伙伴。中国-东盟贸易总额已从2013年的443亿元增长至 2023年合计超逾6.4万亿元,占中国外贸总值的15.4%。在过去20余年中,东盟国家不断在全球多变的格局里面临挑战并寻求机遇。2023东盟国家主要经济体受到国内消费、国外投资、货币政策、旅游业复苏、和大宗商品出口价企稳等方面的提振,经济显现出稳步增长态势和强韧性的潜能。 本调研报告旨在深度挖掘东南亚市场的增长潜力与发展机会,分析东南亚市场竞争态势、销售模式、客户偏好、整体市场营商环境,为国内企业出海开展业务提供客观参考意见。 本文核心内容: 市场空间:全球行业市场空间、东南亚市场发展空间。 竞争态势:全球份额,东南亚市场企业份额。 销售模式:东南亚市场销售模式、本地代理商 客户情况:东南亚本地客户及偏好分析 营商环境:东南亚营商环境分析 本文纳入的企业包括国外及印尼本土企业,以及相关上下游企业等,部分名单 QYResearch是全球知名的大型咨询公司,行业涵盖各高科技行业产业链细分市场,横跨如半导体产业链(半导体设备及零部件、半导体材料、集成电路、制造、封测、分立器件、传感器、光电器件)、光伏产业链(设备、硅料/硅片、电池片、组件、辅料支架、逆变器、电站终端)、新能源汽车产业链(动力电池及材料、电驱电控、汽车半导体/电子、整车、充电桩)、通信产业链(通信系统设备、终端设备、电子元器件、射频前端、光模块、4G/5G/6G、宽带、IoT、数字经济、AI)、先进材料产业链(金属材料、高分子材料、陶瓷材料、纳米材料等)、机械制造产业链(数控机床、工程机械、电气机械、3C自动化、工业机器人、激光、工控、无人机)、食品药品、医疗器械、农业等。邮箱:market@qyresearch.com
### 回答1: NorflashNandflash都是闪存存储器的类型,但它们有一些区别。 Norflash是一种串行存储器,它可以直接访问任何存储位置,因此适用于需要快速读取数据的应用。Norflash的读取速度比Nandflash快,但写入速度较慢。 Nandflash是一种并行存储器,它只能按块读取和写入数据。Nandflash的存储密度比Norflash高,因此适用于需要大容量存储的应用。Nandflash的写入速度比Norflash快,但读取速度较慢。 总的来说,Norflash适用于需要快速读取数据的应用,而Nandflash适用于需要大容量存储的应用。 ### 回答2: NOR FlashNAND Flash均是一种非易失性存储器,但是它们在结构、读写速度、可靠性、应用场景等方面有所不同。 首先,结构不同,NOR Flash采用并行结构,NAND Flash采用串行结构。在NOR Flash中,所有的存储单元可以同时进行读写操作,插入或者删除数据十分方便;而NAND Flash需要通过逐页操作来进行数据存储,每次读写只能操作一页,难以在不全部擦除的情况下实现数据的插入或删除。 其次,读写速度不同,NOR Flash读取速度比较快,但写入速度较慢,而NAND Flash的读写速度都比较快,写入速度较NOR Flash快。 再者,稳定性和可靠性方面也有差异,NOR Flash对读取的数据进行校验,可以检查出数据的错误并且实现自动纠错,有着非常高的可靠性和稳定性;而NAND Flash不能进行数据校验,因此容易受到外部干扰或者物理损坏而导致数据丢失。 此外,从应用场景上来说,NOR Flash被广泛应用于嵌入式系统的代码存储、引导存储等方面,使用较为广泛;而NAND Flash则经常用于移动设备(如手机、MP3等)的数据存储,容量比较大,且可以进行原地擦除和写入操作。 总的来说,NOR FlashNAND Flash都是非常重要的存储器件,有着不同的特点和适用场景,需要根据实际需求来选择合适的存储器件。 ### 回答3: NorflashNandflash都是闪存存储器,它们在存储方式和特点上存在一些区别。 1. 存储结构 NorflashNandflash的存储结构不同。Norflash的存储单元一般为字节,而Nandflash的存储单元一般为页。因为Nandflash存储器中有字节级内部编码结构,所以可通过 Nandflash 存储器所连续的一组字节地址合成页地址进行读写操作。 2. 读写速度 Nandflash的块结构可以支持在其中进行并联操作,因此在读写速度上,Nandflash可以比Norflash更快。但是其并联操作对于制造商而言是一项非常昂贵的生产成本,因此,Norflash的生产成本相对较低。 3. 存储密度 在存储密度方面,Nandflash相较Norflash的存储密度更高。現在的Nandflash的存储密度已经远超Norflash,这是因为Nandflash的块结构更加灵活,其可以通过更高的密度,获得更高的性能与更低的成本的平衡。 4. 可靠性 Norflash的可靠性相较于Nandflash要高一些。因为Norflash进行存取时,通过实现地址总线和数据总线的分离,可以绕过实现涵盖在地址总线上的全部信号,并使数据总线上的信号在存取过程中得到较高的保护。然而,当Nandflash被用来作为固定储存器的时候,其相对Norflash会更要高可靠性,因为在这个使用环境下,Nandflash并不常见问题。 总体而言,Nandflash和Norflash在存储方式、存储结构、读写速度、存储密度和可靠性等方面具有不同的特点和优势。同时,由于它们的差异,往往需要选择合适自己产品的存储器。

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