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RSS订阅原创 放大电路（三极管）的反馈原理，还得这么看！
首先假设温度升高导致三极管 β 值增大—>导致集电极电流 Ic 增大，Ic 增大导致射级电流 Ie 升高(Ib 很小，Ic≈Ie)，Ie=Ue/Re，Ie升高，必然导致Ue升高，Ue升高会导致基极电位升高，又因为 Rb 两端电压等于电源电压 VCC 与基极电位之差，因此 Rb 两端的压降减小。Rb 两端压降减小，导致 Ib 减小，Ib 减小最后又导致 Ic 减小，从而最终的结果是温度升高，Ic 增大，进而电路反馈调节，最终 Ic 减小的一个过程。1、变形电路 1 电流负反馈放大电路。图 2 变形电路 1。
2023-12-17 15:55:54
450
原创 Keil同时安装C51与ARM环境搭建
打开KeilC51的安装路径，找到 TOOLS.INI 文件。粘贴至MDK-ARM安装目录下的 TOOLS.INI 文件末尾，保存并关闭。新建文件夹Keil_ARM与Keil_C51，需要注意51和32版本的Keil不能够安装在同一文件夹下。，公司名填写都是1，一路next即可，选择安装位置为刚刚创建的Keil_C51文件夹，注意安装路径中。安装步骤同C51，选择刚刚创建的Keil_ARM文件夹安装，注册机选择ARM生成破解。首先安装KeilC51，右键exe可执行文件，以。下载直接安装即可解决。
2023-12-17 11:14:39
897
原创 教你轻松掌握差分放大电路
但在直接耦合放大电路中，这种漂移电压和有用的信号一起送到下一级被放大，导致电路不能正常工作，所以要采取措施，抑制温度漂移，虽然耦合电容可以隔离上一级温漂电压，但是很多时候我们要接受处理的是很多微弱的、变化缓慢的弱信号，这类信号不足以驱动负载，必须经过放大。共模信号：当Vi1与Vi2大小相等，极性相同的输入信号时，共模信号的作用，对两管的作用是同向的，将引起两管电流同量的增加，集电极电位也同量的减小，因此两管集电极输出共模电压Uo=Uo1-Uo2=0，差分放大电路对共模信号有很好的抑制作用。
2023-11-12 11:33:20
466
原创 一上电就烧黑了！高电流PCB设计考虑
1平方英尺=929.0304平方厘米，铜密度=8.9kg/dm^3设Copper厚为X，解方程：X*929.0304平方厘米*8.9克/立方厘米=1oz=28.35克X=0.0034287厘米=34.287um所以1oz=34.287um。1OZ铜箔的厚度约为35um或者1.35mil。上图为1oz的铜厚PCB上通过电流与导线宽度的曲线表。供参考。使用更大量的铜就需要增加PCB上走线的宽度。为了避免占用太大空间区域，导线也可以更深地嵌入放置在电路板中。比如放置导铜条。
2023-11-12 11:19:50
404
原创 居然能把功率MOS剖析成这样，很难得的资料！
它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。[t2-t3]区间，至t2 时刻，MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压，Millier 电容大大增加，外部驱动电压对Millier 电容进行充电，GS 电容的电压不变，Millier 电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小；[t7-t8]区间，至t7 时刻，MOSFET 的DS 电压升至与Vgs 相同的电压，Millier 电容迅速减小，GS 电容开始继续放电，此时DS 电容上的电压迅速上升，DS 电流则迅速下降；
2023-11-12 11:17:57
224
原创 MOS管的三个级怎么判定？
看过前面的例子，你能总结出“MOS管用做开关时在电路中的连接方法”吗？S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么。在我们天天面对的笔记本主板上，MOS管有一个很重要的作用：开关作用。它的判断规则就是：N沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
2023-10-21 11:34:30
151
原创 8种开关电源MOS管的工作损耗计算
首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS(off_end) 、开启完成后的 IDS(on_beginning) 即图示之 Ip1 ，以及 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 重叠时间 Tx。首先须计算或预计得到关断完成后之漏源电压 VDS(off_beginning) 、关断时刻前的负载电流 IDS(on_end) 即图示之 Ip2 以及 VDS(on_off) (t) 与 IDS(on_off)(t) 重叠时间 Tx。其次考虑漏极电流的选择。
2023-10-21 11:22:47
229
原创 DC-DC扫盲：如何测SW？
在此情况下SW我们可以读出上下管分别导通的时间，如图中高电平为上管开通时间，其电压值等于Vin，低电平为下管的开通时间其电压值等于0。在CCM模式下，设输入电压为E，输出电压为U（平均值）。即上下管交替开通关断，当高侧MOSFET （HS-FET）处于关断状态时，低侧MOSFET（LS-FET）导通，两管交替导通，此时SW波形为固定频率下的PWM波形。在EV2332板上，只需要将示波器探头钩住该SW测试点，探头接地端接GND测试点，当正常上电后，即可在示波器上读出SW电压波形。
2023-09-29 14:12:27
252
原创 8种开关电源MOS管的工作损耗计算
首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS(off_end) 、开启完成后的 IDS(on_beginning) 即图示之 Ip1 ，以及 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 重叠时间 Tx。首先须计算或预计得到关断完成后之漏源电压 VDS(off_beginning) 、关断时刻前的负载电流 IDS(on_end) 即图示之 Ip2 以及 VDS(on_off) (t) 与 IDS(on_off)(t) 重叠时间 Tx。其次考虑漏极电流的选择。
2023-09-29 14:11:28
376
原创 电路板为什么发出“滴答滴答”的声音？
这样，当第4 个周期到来时，电源芯片会驱动开关管导通过大的一个占空比这样周而复始，就会让变压器产生低频振动，从而发出人耳可以听到的声音。在之前的一个设计项目交付后，由于现场调试人员的操作失误，在拆开设备后面板时被裸露的线头触碰电路板（喷有三防漆），最终导致短路，现场反馈的是说单片机不工作，并且听到电路板带电时伴有“滴答滴答”的声音。，开关管也会出现间歇性的全截止周期，当开关管全截止的周期数在总的周期数中所占的比例达到一定占比时，电源的开关频率就从高频范围进入了音频范围，从而发出尖锐的啸叫。
2023-07-19 23:46:09
271
原创 五种单片机固件自更新的方法
重新上电后，如图2-b，由于启动地址1的内容是在刷新开始就被更新了是有效的，程序会进入CB运行，但是CB不完整，必然运行出错，程序不会跳入ReBoot里，从而不能再刷新（即刷死）。如图4-b,当Sec1的逻辑检测到CB_ValidFlg有效时，即认为Boot刷新完成，则程序控制跳转入Sec2里，此时由于App(ReBoot)末尾的App_ValidFlg是无效的，程序并不会跳转入ReBoot里，接下来就可以刷入新的App了。即启动地址1起了Boot有效性标志的作用（最先擦，最后写），如图3-b所示。
2023-07-19 23:45:02
333
原创 PWM驱动MOS管H桥电路分析
电路首先，单片机能够输出直流信号，但是它的驱动才能也是有限的，所以单片机普通做驱动信号，驱动大的功率管如Mos管，来产生大电流从而驱动电机，且占空比大小能够经过驱动芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的目的。另外，由于驱动电路可能会产生较大的回灌电流，为避免对单片机产生影响，最好用隔离芯片隔离，隔离芯片选取有很多方式，如2801等，这些芯片常做控制总线驱动器，作用是进步驱动才能，满足一定条件后，输出与输入相同，可停止数据单向传输，即单片机信号能够到驱动芯片，反过来不行。mos管h桥电机驱动电路图。
2023-07-18 23:35:09
744
原创 mos管驱动电路设计
而Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗，驱动芯片引脚的感抗等，其精确的数值往往难以确定，但数量级一般在几十nH左右。图4给出的改进电路1是在驱动电阻上反并联了一个二极管，当mos关断时，关断电流就会流经二极管Doff，这样mos管gs的电压就为二极管的导通压降，一般为0.7V，远小于mos的门槛电压（一般为2.5V以上），有效地避免了mos的误开通。那么考虑一定的裕量，取驱动电阻为10欧姆时是合适的，而将驱动电阻取得太大（比如50欧姆以上），从损耗的角度来讲，肯定是不合适的。
2023-07-18 23:33:59
255
原创 16芯串联电池包储能系统
系统需要良好的测量精度来知道电芯电压、电池包电流和电芯温度，以实现准确的保护以及电池包充电状态 (SoC) 和电池运行状况 (SoH) 计算。同时还需要在运输模式和待机模式下，保持更低的待机功耗，以保证长时间存储的情况下，电池不会过放电。为了获得更大的能量密度，锂离子和磷酸铁锂电池在电池包中的使用越来越多，比如：电信机房的UPS单元，移动式电站，储能系统等。为了保证在待机模式和运输模式下的低功耗，及正常工作时设备的良好热性能，需要针对辅助电源针对性做低功耗策略设计。电池包储能系统的设计。
2023-07-17 23:36:02
173
原创 Buck电路的原理及器件选型指南
MOS规格书标明的Id电流是基于Rdson和最大功率Pd计算得来的，没有考虑开关损耗，因此不能直接跟MOS的Irms进行比较，需要计算MOS整体的损耗来确定选型。考虑到电路实际工作时MOS管DS两端的波形会有振铃，Vds耐压一般选择比输入电压高10V以上，例如输入20V，选择Vds耐压为30V的MOS。如下图所示，分别为330uF，22uF，0.1uF的特性曲线。当58%时间MOS管断开时，由于电感上的电流不能突变，电路通过电感的电流及电容为负载供电，从而将负载端的电压维持在5V。
2023-07-17 23:35:05
1222
原创 晦涩难懂的电路反馈，看完终于懂了！
反馈信号与输入信号在放大电路的输入回路中以电压的形式求和，即反馈信号与输入信号串联，称为串联反馈。反馈信号与输入信号在放大电路的输入回路中以电流的形式求和，即反馈信号与输入信号并联，称为并联反馈。反馈信号与输入信号以电压的形式相加，即反馈信号与输入信号串联，即是串联反馈；如果反馈信号与输入信号在放大电路输入回路中以电流的形式相加，即反馈信号与输入信号并联，则是并联反馈。反馈，就是把放大电路的输出量的一部分或全部，通过反馈网络以一定的方式又引回到放大电路的输入回路中去，以影响电路的输入信号作用的过程。
2023-07-16 21:10:33
295
原创 扒一扒电流检测电路
低侧电流感测电路测得的电压接近于地， 在处理非常高的电压时、 或者在电源电压可能易于出现尖峰或浪涌的应用中， 优先选择这种方法测量电流。检测数十A的大电流时需要数mΩ的极小电阻值，因此，以小电阻值见长的金属板型和金属箔型低电阻器比较常用，而小电流是通过数百mΩ～数Ω的较大电阻值进行检测。这是因为电路基板的铜箔图案也具备微小的电阻值，需要避免铜箔图案的电阻值所造成的压降的影响。如果按照下图(1)所示，从电极焊盘的侧面引出电压检测图案，检测对象将是低电阻器电阻值加上铜箔图案电阻值的压降，无法正确地检测电流。
2023-07-16 21:06:27
188
原创 降低风扇噪声 这几个窍门管用
除了固定系统的各个部分以免振动外，建议在安装硬件时使用弹性（橡胶）材料，抑制风扇到系统的振动传输，减少特定风扇/系统组合的机械噪声。一般来说，更大、更快的风扇产生的噪声比更小或更慢的风扇大。然而，作为通过风扇孔径的额定流体流速或最大可输送静压的函数来看，噪声水平似乎成为了两者的一般对数函数，框架尺寸的影响变得不那么明显。虽然风扇本身显然是潜在的流动相关噪声源，但在电子系统中，风扇常常在封闭的空间中移动空气，因此它们移动的所有空气必须通过系统另一端的排气（或进气）口。请注意，不同的风扇尺寸缺乏显著区别。
2023-07-15 23:18:28
298
原创 Linux 问题故障定位的小技巧
网络的监测是所有 Linux 子系统里面最复杂的，有太多的因素在里面，比如：延迟、阻塞、冲突、丢包等，更糟的是与 Linux 主机相连的路由器、交换机、无线信号都会影响到整体网络并且很难判断是因为 Linux 网络子系统的问题还是别的设备的问题，增加了监测和判断的复杂度。磁盘通常是计算机最慢的子系统，也是最容易出现性能瓶颈的地方，因为磁盘离 CPU 距离最远而且 CPU 访问磁盘要涉及到机械操作，比如转轴、寻轨等。现在我们有了火焰图，能够非常清晰的发现哪个函数占用cpu过高，或者过低导致的问题。
2023-07-15 23:17:26
211
原创 带着问题分析三极管工作原理
这种讲解方法在第3步中，讲解集电极电流Ic的形成原因时，不是着重地从载流子的性质方面说明集电区的反偏导通，从而产生了Ic，而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用，同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向饱和漏电流大大增加，形成光电流，该光电流随入射光强度的变化而相应变化。
2023-07-12 23:56:07
116
原创 如何更好的理解PFC（功率因数校正）
此电路虽然简单，可以在前期设计的无PFC功能的设备上，简单的增加一个合适的电感（适当的选取L和C的值），从而达到具有PFC的作用，但是这种简单的、低成本的无源PFC输出纹波较大，滤波电容两端的直流电压也较低，电流畸变的校正及功率因数补偿的能力都很差，而且L的绕制及铁芯的质量控制不好，会对图像及伴音产生严重的干扰，只能是对于前期无PFC设备使之能进入市场的临时措施。）在t4~t5期间尽管二极管左边电压在逐步上升，但是由于二极管右边的Uc放电缓慢右边的电压Uc仍旧大于左边，二极管仍旧反偏截止。
2023-07-12 23:55:13
278
原创 为什么晶闸管能在大电流下工作？
对于NPN型晶体管V2来说，此时它的发射结（J3）正偏，集电结（J2）反偏，处于放大工作状态，Ig经过V2放大后，形成集电结电流Ic2，假设V2放大系数为β2，Ic2=β2*Ig。随着新材料的出现，新工艺的采用，单只晶闸管的电流容量从几安发展到几千安，耐压等级从几百伏提高到几千伏，工作频率大大提高，器件的动态参数也有很大改进。晶闸管是四层三端器件，PNPN四层半导体结构，中间形成三个PN结：J1、J2、J3，从最上面的P1层引出阳极a，从最下面的N2引出阴极k，由中间的P2层引出控制极g（门极）。
2023-07-11 23:13:07
148
原创 电阻为什么都是4.7kΩ、5.1kΩ，而不是整数5kΩ？
如果我们已经生产了一个100Ω的电阻，那我们就没必要做105Ω的电阻，因为100Ω电阻的精度范围是90~110Ω；以此类推，对于100Ω到1000Ω的电阻，我们只需要生产100Ω、120Ω、150Ω、180Ω、220Ω、270Ω、330Ω等12个电阻值即可，不用每个阻值的电阻都生产。现实中很多数值设计都会使用指数关系，比如人民币有1元、2元、5元、10元，但是没有3元、4元，这是因为用1、2、5就可以方便的组合出1~10的各种数值，这样可以减少面值的种类，又能方便使用。
2023-07-11 23:12:06
214
原创 DC-DC电路中，PCB Layout 布局及注意事项
且电容需要紧挨管脚，两者的间距需要小于40mil。结合图（1-c）中Q1和Q2的电流波形，不难发现，由于电感的存在，后半部分电路中不会存在一个较高的电流变化趋势，只有在两个开关管的部分会出现高电流转换速率。以MPS的非常受欢迎的MPQ8633A（B）系列产品为例，这是一款完全集成的高频同步降压转换器可以实现高达12-20A的输出电流，其原理图如下，其功率回路（绿色标注）中包含输入电容，电感以及输出电容等器件。SW 点是噪声源，保证电流的同时保持尽量小的面积 ，远离敏感的易受干扰的位置，例如FB 等。
2023-07-10 23:12:36
857
原创 获取时间和脸颊、下颚线灯模式
低侧电流感测电路测得的电压接近于地， 在处理非常高的电压时、 或者在电源电压可能易于出现尖峰或浪涌的应用中， 优先选择这种方法测量电流。检测数十A的大电流时需要数mΩ的极小电阻值，因此，以小电阻值见长的金属板型和金属箔型低电阻器比较常用，而小电流是通过数百mΩ～数Ω的较大电阻值进行检测。这是因为电路基板的铜箔图案也具备微小的电阻值，需要避免铜箔图案的电阻值所造成的压降的影响。如果按照下图(1)所示，从电极焊盘的侧面引出电压检测图案，检测对象将是低电阻器电阻值加上铜箔图案电阻值的压降，无法正确地检测电流。
2023-07-10 23:10:47
75
原创 无源元件之——电容基础知识（超详细）
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介。电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
2023-07-09 15:32:47
279
原创 无源元件之——电感基础知识（详解）
如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式线圈。线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。按 导磁体性质 分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。
2023-07-09 15:31:58
198
原创 PCB 线宽与电流关系，查表与计算！
先计算 Track 的截面积，大部分 PCB 的铜箔厚度为 35um（不确定的话可以问 PCB 厂家，1盎司为35um，实际上都不足35um）它乘上线宽就是截面积，注意换算成平方毫米。有一个电流密度经验值，为 15~25 安培/平方毫米。把它称上截面积就得到通流容量。I=KT0.44A0.75 （K 为修正系数，一般覆铜线在内层时取 0.024，在外层时取 0.048T 为最大温升，单位为摄氏度(铜的熔点是 1060℃)A 为覆铜截面积，单位为平方 MIL(不是毫米 mm，注意是 square mil.)I
2023-07-07 22:42:54
1268
原创 为什么总是在电路里摆两个0.1uF和0.01uF的电容？
如果系统A中的信号引起了系统B中的信号，那么就说A与B系统出现了耦合现象(Coupling)，如下图所示。在靠近IC的VCC供电端口并联一个电容C2，因为电容有储能作用，可以给IC提供瞬时电流，减弱IC电流波动干扰对Power的影响。由于集成电路的工作频率一般比较高，IC启动瞬间或者切换工作频率时，会在供电导线上产生较大的电流波动，这种干扰信号直接反馈到Power会使其产生波动。这里的C1就是旁路电容的作用。实际上，对一个特定电容，当信号频率低于其自谐振频率时呈容性，当信号频率高于其自谐振频率时呈感性。
2023-07-07 22:41:56
131
原创 开关电源噪声的种类来源和抑制方法解析
屏蔽应考虑散热和通风问题，屏蔽外壳上的通风孔最好为圆形多孔，在满足通风的条件下，孔的数量可以多，每个孔的尺寸要尽可能小。但在高频情况下，它的隔离是很不理想的，变压器层间的分布电容使开关电源中的高频噪声很容易在初级与次级之间传递。一般在整流电路之后总要接比较大的滤波电容，因为整流管的导通角小，会使交流输入侧的交流电流发生畸变，影响了电网的供电质量。5、开关管Q1的负载是高频变压器的初级线圈T1A,是感性负载，所以开关管关断时管子两端会出现较高的浪涌尖峰电压，此尖峰电压产生的噪声会传导到输入输出两端去。
2023-07-05 22:44:19
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原创 USB端口的ESD防护电路设计
在实际的案例中，由于产品的形态各异，ESD的回流路径也会有很大不同，有些产品往往会有多个ESD回流的路径，上图中，ESD能量通过USB的金属壳体到达主板内部，然后大概会通过三种不同的通道来泻放，一是通过电源线泻放到地；首先，前面已经提到，所有的USB设备接口均为金属外壳，所以按照ESD测试标准，一般我们采用接触放电的方式，当然，也存在某些接口金属过于内缩，影响直接接触，这时则必须采用空气放电的方式，有时候放电方式的选择很重要。通常情况下，不同的产品，排查的难易度有很大区别。二是找出真正的ESD敏感点。
2023-07-05 22:43:23
337
原创 晶振究竟是如何起振的？
晶振波形一般是正弦波或者方波，当输出波形是方波时，一般上升沿比较陡峭，且包含了较多的高频信号，这个时候就要保证测试的带宽足够，理论值是带宽是被测信号频率的2倍，实际测试方波时带宽应该是被测信号频率的10倍。因为晶体的振荡频率远超人耳能够听见的频率上限，有时能够听到反而是有问题的，说明晶体质量不佳，更多的时候，正常工作的晶体是不会发出任何人耳能听到的声音的，有时声音来自外电路元件。，我们需要把一个晶振放在完整的电路中，并给电路供上电，产生回路电流，晶振自此开始稳定有节奏的“跳动”。晶振也是一样，离不开电流。
2023-07-04 23:01:54
245
原创 10个问题，让你真正学懂三极管
比如NPN三极管，其e极连接的发射区是高浓度N型半导体，b极连接的基区是正常浓度的P型半导体，c极连接的集电区是正常浓度的N型半导体。我们的推力一直变大，当推力（Ib）大到一定数值后，集电极闸门完全打开，开到了最大，我们的推力不能再和水流成线性关系了，这时三极管放大就达到了饱和状态。在三极管上，是基极电流（Ib）控制集电极电流（Ic）的变化，但Ic的变化比Ib的变化要大得多。集电极连接的电源，是放大输出的源头，我们看做集电极连接了一个水池，集电极闸门的闸口开的越大，水流（Ic）就会越大。
2023-07-04 23:00:08
77
原创 二极管/三极管/MOS管的封装类型，看这一篇就够了！
细心的电子工程师会发现，电子元器件有着不同的封装类型，不同类的元器件外形虽然差不多，但内部结构及用途却大不同，譬如TO220封装的元件可能是三极管、可控硅、场效应管甚至是双二极管。，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。二极管常见的封装类型，DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等，相信大家都很熟悉。今天我们就来盘点一下常见的二极管、三极管、MOS封装类型，下图含精确尺寸。
2023-07-04 22:58:52
489
原创 PCB上10A的电流需要走多宽的线？需要几个过孔？
上班了，公司的PCB一般都是6层、8层、10层，摆件密，空间非常有限，有时候为了能走粗一点，不断地压缩空间；一般PCB铜厚有三个尺寸，0.5OZ、1OZ和2OZ，主要用在消费类和通讯类产品上，3OZ属于厚铜，少见，主要用于大电流、高压的电源产品上。还记得上大学时，参加飞思卡尔智能车比赛，做的一块板子，因为电源走线过细，导致一上电线直接烧断了，只能外部飞线代替。，一般用K表示，内层走线，K=0.024，表层走线，K=0.048；我在网上找了三个工具，计算出来的结果都差不多，其中两个是一样的。
2023-07-03 23:35:38
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原创 优化移动天线调谐的简易方法
策略性地安排 Qorvo 天线调谐器的位置，是为了充分利用其出色的 RF 性能特性来调谐中高频段频谱，并获得高效率。首先，移动设备带有分别用于蜂窝网络（低、中、高频段）、Wi-Fi、蓝牙®、超宽带等多个频段的天线；中高频段（MHB）天线本身便是一项艰巨的设计挑战，而添加 Wi-Fi 2.4GHz 和 5GHz 天线使设计变得更加困难，此外还缩减了外形尺寸。需要注意的是，上图所示的设计同时考虑了 MHB 和 Wi-Fi 频段。如下图所示，两块带有天线和天线调谐元件的 PC 板总共占用 195mm2 的面积。
2023-07-03 23:34:52
96
原创 EMC整改流程及常见问题
如果EMC出现问题，除了要在原理图上查找电路参数的问题，还需要特别关注C->D，即回流路径。比如在EMC试验时，MCU的ADC采集到的信号被干扰到了，则除了在原理图上分析外，在PCB上讲该信号高亮出来，然后再耐心寻找该信号的回流路径是否有不顺畅的地方：对着信号线头脑中想象回流路径，有点意识流的感觉。但LC组成的二阶系统，幅值衰减斜率是-40dB，更靠近理想的“立陡”的截止频率的效果，即滤波效果更好。· 电容滤波在何时会失效整改中常常会使用电容这种元器件进行滤波，往往有“大电容滤低频，小电容滤高频”的说法。
2023-07-03 23:33:43
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原创 谈谈 FOC和BLDC 电机控制
更具体地说，通过 “Park 变换”，我们可以把三相交流电流信号转换成两相直流电流信号，从而可以把三相交流电机的控制变得和两相直流电机控制一样简单。在内环 “电流环”中，一些比较重要的模块有 “Clark 变换” 和 “Park 变换” 等数学模块、电机电流信号检测模块以及能够提供电机的转速和转角位置信息的模块。日前，Qorvo 电机控制应用高级系统/应用工程师张绍发表了一个与 BLDC 和 FOC 相关的演讲，科普了 FOC 的相关知识，还讲解了 Qorvo 用于简化 FOC 实施方案的方法。
2023-06-29 23:30:53
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原创 CAN总线不加终端电阻会怎样？
如图6所示，是图3对应的示波器截图，从图中看出，当光标区域的ΔX为一个位，即4us时，差分信号在光标B处的电压YB为3.341V，远高于CAN规范中的隐性电平判断上限值0.5V，显性电平判断下限值0.9V，所以此时的位被判断为显性位，而又由于时间常数远大于250Kbps波特率下的位时间，所以会有超过5个位被判断为显性位，从而破坏了CAN规范中的填充规则，出现了帧ID填充错误。下面以CANScope不加终端电阻，波特率为10Kbps进行自发自收为例，如图7所示，CANScope报文列表中，无错误帧产生。
2023-06-29 23:30:09
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原创 过孔为什么不能打在焊盘上？就想打，该怎么办？
一些小封装的贴片电阻电容，最好不要把过孔打在焊盘上的原因也是如此，过孔打在焊盘边缘上，由于焊盘两端张力不一致容易产生立碑现象。在PCB设计中，我们经常会看见如下图所示的设计，常见于芯片的推荐设计里，要求在热焊盘上打过孔，此种情况是为了给IC散热而打的散热过孔。由于芯片主体中间没有需要焊接的引脚，所以在IC散热焊盘上的过孔是不用考虑漏锡，虚焊等问题的。早期在进行PCB设计时，是不允许BGA焊盘上有过孔的，其主要原因是怕漏锡导致焊盘上锡膏不足，从而在器件焊接时导致器件虚焊、脱焊的情况。
2023-06-29 23:26:20
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