LPDDR JEDEC note

LPDDR JEDEC 

 

LPDDR3

CKE拉低，两个NOP指令后（tCPDED）， DDR不再接收任何信息（data/command）。

MR0[0] DAI(Device Auto-Initialization Status)0B: DAI complete 1B: DAI still in progress
MR5~MR8 Basic Configurationread only, devices info: Manufacturer ID,vendor,Density,I/O width.
MR3 IO Configuration , Driver Strength. DS



MR2 描述不清， WR Select,WR Leveling

MR10 ZQ calibration， 只支持：0xFF: Calibration command after initialization
0xAB: Long calibration
0x56: Short calibration
0xC3: ZQ Reset
其他的值，device都不应该有相应，是否做个验证？发其他值，看看，device是否有动作，电压/电流是否会变化？

MR11 ODT Control,933M/1066M 必须enable，666M/800M 需参考厂商的说明书。

MR16、MR17， PASR

MR33:39，MR43:47,（do not use）什么意思，不能发生这个模式寄存器的读或写？

MR32、MR40，DQ Calibration Pattern

MR41、MR42、MR48，CA Training

MR63, Reset


timing paramter

tCCD ： CAS-to-CAS delay,   从性能角度？ burst length的配置和这个参数有关系？

tRCD ：active command 发出 到 读/写 command发出的最小时间间隔。

tRC： （tRAS+tRP）  同一个bank，两次active command的最小间隔时间。

tRRD :  不同bank，两次active command的最小间隔时间。

tRP ： Row precharge time， 一个precharge command执行的最小时间。同一个bank，改变row slect前，必须关闭 active的row，使用precharge command。

tCKE ： CKE min.pulse width(high or low pules width), CKE拉低或拉高，最小电平维持时间。

tWTR ：internal write to read command delay,   最后一笔写数据结束，到read command可以发送的最小时间。

tWR： write recovery time，最后一笔写数据结束，到precharge command可以发送的最小时间。

tREF：Refresh period，  

tREFI：Av