4.1 概述
一、存储器分类
1、按存储介质分类
(1)半导体存储器(易失的)
TTL:集成度比较低,功耗比较高,速度比较快
MOC:集成度高,功耗低(主要)
(2)磁表面存储器
磁头、载磁体
(3)磁芯存储器
硬磁材料、环状原件
(4)光盘存储器
激光、磁光材料
2、按存储方式分类
(1)存取时间与物理地址无关(随机访问)
- 随机存储器:在程序的执行过程中可读可写
- 只读存储器:在程序的执行过程中只读
(2)存取时间与物理地址有关(串行访问)
- 顺序存取存储器:磁带
- 直接存取存储器:磁盘
3、按在计算机中的作用分类
二、存储器的层次结构
1、存储器三个主要特性的关系
速度,容量,价格
分层的原因:满足消费者需求,高速度、大容量、低价格,对用户透明
2、缓存—主存层次和主存—辅存层次
虚拟内存是计算机系统内存管理的一种技术。它使得应用程序认为它拥有连续的可用的内存(一个连续完整的地址空间),而实际上,它通常是被分隔成多个物理内存碎片,还有部分暂时存储在外部磁盘存储器上,在需要时进行数据交换。目前,大多数操作系统都使用了虚拟内存,如Windows家族的“虚拟内存”;Linux的“交换空间”等。
4.2 主存储器
一、概述
1、主存的基本组成
2、主存和CPU的联系
3、主存中存储单元地址的分配
假设存储字长是32位:一次读写最多可写32个0/1
-
地址线24根,说明在主存上一共能指向 2 24 = 16 M 2^{24}=16M 224=16M个地址
-
若字长32位,则一个字有4个字节,所以要留2根地址线指出该字中的哪个字节[00,01,10,11],即寻址范围为 2 24 − 2 = 4 M 2^{24−2}=4M 224−2=4M
-
若字长16位,则一个字有2个字节,所以要留1根地址线指出该字中的哪个字节[0,1],即寻址范围为 2 24 − 1 = 8 M 2^{24−1}=8M 224−1=8M
字长:一个字的位数(几个01)
字节(byte):8个位数构成一个字节(8个01是一个字节)
4、主存的技术指标
(1)存储容量
主存 存放二进制代码的总位数
(2)存储速度
1、存取时间 存储器的访问时间,分为读出时间和写入时间
2、存取周期:连续两次独立的存储器操作(读或写)所需要的最小间隔时间,分为读周期和写周期
3、存储器的带宽:位/秒
二、半导体存储芯片简介
1、半导体存储芯片的基本结构
计算方式:以第一行为例,地址线可以指向
2
10
=
1024
2 ^{10}=1024
210=1024个地址,4根数据线一次可以传递4根地址线上的数据,所以一共是
1
K
×
4
1K\times4
1K×4位
片选线:
C S ‾ \overline{CS} CS C E ‾ \overline{CE} CE
读写控制线:
W
E
‾
\overline{WE}
WE(低电平写 高电平读)
O
E
‾
\overline{OE}
OE (允许读)
W
E
‾
\overline{WE}
WE(允许写)
2、半导体存储芯片的译码驱动方式
(1)线选法
结构简单,但只适用于容量不大的存储芯片
(2)重合法
一、随机存取存储器(RAM)
1、静态RAM(SRAM)
(1)、静态RAM基本电路
①、静态RAM基本电路的读操作
②、静态RAM基本电路的写操作
(2)静态RAM芯片举例
① Intel2114外特性
② Intel2114RAM矩阵(64
×
\times
× 64)读
③ Intel2114RAM矩阵(64
×
\times
× 64)写
2、动态RAM(DRAM)
(1)动态RAM基本单元电路
读出与原存信息相反
写入与输入信息相同
(2)动态RAM芯片举例(Intel 1103)
读写操作略 4.2主存储器-c