电热耦合_基于场路耦合的大功率IGBT多速率电热联合仿真方法

IGBT模块在以短路为代表的非周期过载极端工况中，其自热效应明显。由于高压、大电流等外载荷的冲击，IGBT的温度会在短时内迅速升高，进而影响IGBT芯片的半导体特性以及封装结构的材料特性，并最终直观表现为模块端口电气特性的变化。此时，需要同时关注IGBT的电气特性与温度分布特性，而电问题与热问题在时间尺度上的差异为电热耦合仿真带来了不便。

基于此，海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室的研究人员贾英杰、肖飞、罗毅飞、刘宾礼、黄永乐，在2020年第9期《电工技术学报》上撰文，提出一种基于场路耦合的电热联合仿真方法。首先阐述IGBT场路耦合联合仿真的基本原理；然后分别在Simulink与COMSOL中构建基于IGBT物理模型的电路模型以及基于有限元的热模型，通过Matlab控制脚本实现了多速率仿真策略下的电热联合仿真；最后以ABB 3.3kV/1 500A大功率IGBT模块为例，通过开关暂态测试和短路测试对所提出的仿真方法进行了验证。

(图片来源：Pixabay)

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)具有驱动控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点，是高压、大容量电力电子变换装置的核心部件。在运行过程中，IGBT在电载荷作用下会产生功率损耗，进而引起模块温度的升高。