太阳能电池基本特性实验报告_上海交通大学物理实验报告（大二上）硅光电池特性的研究.docx...

硅光电池特性的研究【实验目的】了解硅光电池的工作原理及其应用。研究硅光电池的主要参数和基本特性。【实验原理】硅光电池的照度特性 硅光电池的短路电流与照度关系当光照射硅光电池时，将产生一个由N区流向P区的光生电流，同时由于PN结二极管的特性，存在正向二极管管电流。此电流方向从P区到N区，与光生电流相反，因此实际获得电流I为式中V为结电压，为二极管反向饱和电流，是与入射光的强度成正比的光生电流，其比例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关。n为理想系数是表示PN结特性的参数，通常在1-2之间，q为电子电荷，为波尔茨曼常数，T为绝对温度。在一定照度下，光电池被短路(负载电阻为零)则V = 0 由(1)式可得到短路电流硅光电池短路电流与照度特性见图1。硅光电池的开路电压与照度关系当硅光电池的输出端开路时，I = 0， 由上两式可得开路电压硅光电池开路电压与照度特性见图1。硅光电池的负载特性当硅光电池接上负载R时，硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它的伏安特性见图2。由图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关(在很大的动态范围内)；无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。由图2可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流，在电压轴上的截距即为开路电压。实验电路图【实验数据记录、实验结果计算】1、硅光电池的照度特性实验(1) 开路电压与照度的关系照度15651284860713587452382301241U(v)0.350.350.340.330.330.320.320.310.31照度2011811651289972563926U(v)0.300.300.290.290.280.270.260.250.23(2) 短路电流与照度的关系照度1086625311189137784