计算能带自动产生k_MS|能带结构绘图和初步分析

1.1 能带简介

在形成分子时，原子轨道构成具有分立能级的分子轨道。晶体是由大量的原子有序堆积而成的。由原子轨道所构成的分子轨道的数量非常之大，以至于可以将所形成的分子轨道的能级看成是准连续的，即形成了能带。晶体中电子所能具有的能量范围，在物理学中往往形象化地用一条条水平横线表示电子的各个能量值。能量愈大，线的位置愈高，一定能量范围内的许多能级(彼此相隔很近)形成一条带，称为能带。 在固体物理学中，固体的能带结构(又称电子能带结构，如图一所示)描述了禁止或允许电子所带有的能量，这是周期性晶格中的量子动力学电子波衍射引起的。材料的能带结构决定了多种特性，特别是它的电子学和光学性质。 

图一 ZnS固体的能带结

1.2能带结构的计算

 能带结构目前是采用第一性原理(ab initio)计算所得到的常用信息。大致可以分为价带、禁带和导带三部分(如图一所示)，导带和价带之间的空隙称为能隙，用Eg表示。计算材料的能带结构即色散曲线E(k)，可以使用Materials Studio或VASP软件进行。以下将介绍用Materials Studio进行能带结构计算的基本步骤，以ZnS半导体为例： (1)打开Materials Studio界面，点击File→ Import→ Structures→ semiconductors，选择ZnS.msi，得到ZnS.xsd文件，如图二(a)所示； 

图二 ZnS晶体结构

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