用keil怎么擦除_STM32 FLASH擦除、写入以及防止误擦除程序代码

本文介绍了如何在STM32中使用Keil进行FLASH擦除和写入操作,包括解锁、清除标志位、擦除、写入和锁定流程。同时提供防止误擦除的四种方法,如设置存储区域、使用常量数组、地址变量和写保护。此外,还阐述了FLASH的读取方法和相关辅助函数。

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编译环境:(Keil)MDK4.72.10

stm32库版本:STM32F10x_StdPeriph_Driver_3.5.0

一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料。

对STM32内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程:

1、FLASH解锁;

2、清除相关标志位;

3、擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便);

4、写入FLASH;

5、锁定FLASH;

实例:

#define FLASH_PAGE_SIZE((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小

#define WRITE_START_ADDR((uint32_t)0x08008000)//写入的起始地址

#define WRITE_END_ADDR((uint32_t)0x0800C000)//结束地址

uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;//擦除计数,写入地址

uint32_t Data = 0x3210ABCD;//要写入的数据

uint32_t NbrOfPage = 0x00;//记录要擦除的页数

volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;

void main()

{

FLASH_Unlock();

NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)

{

FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));

}

Address = WRITE_START_ADDR;

while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))

{

FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);

Address = Address + 4;

}

FLASH_Lock();

}

二、FLASH 擦除(以及防止误擦除程序代码)

1、擦除函数

FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)

只要()里面的数是flash第xx页中对应的任何一个地址!就是擦除xx页全部内容!

2、防止误擦除有用程序代码的方法

方法一:首先要计算程序代码有多少,把FLASH存取地址设置在程序代码以外的地方,这样就不会破坏用户程序。原则上从0x0800 0000 + 0x1000 以后的FLASH空间都可以作为存储使用。如果代码量占了 0x3000, 那么存储在 0x0800 0000+ 0x4000 以后的空间就不会破坏程序了。

方法二:先在程序中定义一个const 类型的常量数组,并指定其存储位置(方便找到写入、读取位置),这样编译器就会分配你指定的空间将常量数组存入FLASH中。当你做擦除。读写操作时,只要在这个常量数组所在的地址范围就好。

const uint8_t table[10]__at(0x08010000)= {0x55} ;

MDK3.03A开始就支持关键字 __at() 。

需要加#include

方法三:在程序中定义一个const 类型的常量数组,无需指定其存储位置。只要定义一个32位的变量存储这个数组的FLASH区地址就行。

uint32_t address;//STM32的地址是32位的

const uint8_t imageBuffer[1024] = {0,1,2,3,4,5,6,7};

address = (uint32_t) imageBuffer;

方法四:利用写保护的方式(没研究明白)

三、FLASH写入

FLASH的写入地址必须是偶数(FLASH机制决定的FLASH写入的时候只能是偶数地址写入,必须写入半字或字,也就是2个字节或是4字节的内容)。

FLASH 写函数FLASH_ProgramHalfWord(u32 Address,u16 data)、FLASH_ProgramHalfWord(u32 Address,u32 data)。

四、FLASH 读取方法

*(uint32_t *)0x8000000;//读一个字

*(uint8_t *)0x8000000;//读一个字节;

*(uint16_t *)0x8000000;//读半字;

举例:

uint8_t data;

data = *(uint8_t *)0x8000000;//就是读取FLASH中地址0x8000000处的数据

五、几个有用的子函数

功能:向指定地址写入数据

参数说明:addr 写入的FLASH页的地址

p被写入变量的地址(数组中的必须是uint8_t类型,元素个数必须是偶数)

Byte_Num 被写入变量的字节数(必须是偶数)

void FLASH_WriteByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)

{

uint32_t HalfWord;

Byte_Num = Byte_Num/2;

FLASH_Unlock();

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

FLASH_ErasePage(addr);

while(Byte_Num --)

{

HalfWord=*(p++);

HalfWord|=*(p++)<<8;

FLASH_ProgramHalfWord(addr, HalfWord);

addr += 2;

}

FLASH_Lock();

}

例:

uint8_t data[100];

FLASH_WriteByte(0x8000000 , data , 100);

功能:从指定地址读取数据

参数说明:addr 从FLASH中读取的地址

p读取后要存入变量的地址(数组中的必须是uint8_t类型)

Byte_Num 要读出的字节数

void FLASH_ReadByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)

{

while(Byte_Num--)

{

*(p++)=*((uint8_t*)addr++);

}

}

例:

uint8_t data[101];

FLASH_ReadByte(0x8000001 , data , 101);

参考资料:

1、http://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=5570244&highlight=擦除

2、http://www.amobbs.com/thread-5472366-1-1.html

问题解答:

1、问:刚开始可以对STM32F103 FLASH擦除、写入,最后就无法擦除写入了?

答:对某个地址编程(写入)失败了,它就置了个错误位,这个位需要自己去清掉,否则不能继续编程。

STM32的F和一般的串行F特性有点不同,如果编程前不为0xFFFF,除非是编程0x0000.否则会置错误位,详情请查看ST关于F编程的那个手册。

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