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计算机硬件技术基础电子教案、习题答案第2章

2．开关作用 作开关二极管，构成各种门电路。 (1)二极管与门电路：D1管在正向电压的作用下，优先导通，使VF被钳制在0.7V，D2管则反偏截止，仅起隔离作用。 0.7 3 0 0.7 0 3 0.7 0 0 3.7 3 3 VF(V) VA(V) VB(V) (2)半导体只读存储器：字线和位线之间接二极管的位为“1”，无二极管的位为“0”。 3．稳压作用 稳压管是一种用特殊工艺制造的，工作于反向击穿区的半导体二极管。击穿后，通过管子的反向电流在很大范围内变化时，管子两端的电压基本变。稳压管的电路符号为： 4．数码显示 发光二极管是一种用特殊材料，如砷化镓等制成的二极管。当PN结正向偏置时，载流子扩散复合释放出一种光谱辐射能，发出不同颜色的光。如：砷化镓半导体辐射红光，磷化镓半导体辐射绿光或黄光。 常用于构成LED显示器。 2.2.3 半导体三极管 又称晶体管、三极管。 内部有空穴和自由电子两种载流子，又称“双极型”半导体管。 一、三极管的结构 三个半导体区：发射区、基区和集电区。 三个电极：发射极、基极和集电极。 两个PN结：发射结和集电结。 类型：NPN型和PNP型两种。 制造工艺特点：发射区的掺杂浓度高，基区薄且掺杂浓度低，集电结的面积大。这是保证三极管放大作用的内部条件。 (a)NPN型 (b)PNP型 半导体三极管子的结构、符号及实物图： (a)塑料封装 (b)金属封装 二、三极管的特性 三种连接方式：共发射极、共集电极和共基极方式。 共发射极：基极作为输入端，集电极作为输出端，发射极作为输入、输出的公共端接地。 共发射极电路是典型的放大电路接法。 1．输入特性 uCE为一定值时，输入电流iB与输入电压uBE之间的关系。 2．输出特性 iB一定时，输出电流iC和输出电压uCE关系。 从输出特性曲线看出，三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态和饱和状态。在放大状态，集电极电流iC与基极电流iB之间的关系是： 3．开关特性 (1)三极管截止 当uBE＜UTH=0.5V时，三极管截止，iB≈0，iC≈0，uCE＝UCC，3个电极相当于开路。 (2)三极管饱和导通 三极管由放大状态刚刚进入饱和时的状态，称为临界饱状态。IB(sat)为临界饱和基极电流。 当iB ＞IB (sat) 时，三极管进入饱和导通状态，此时UBE (sat)= 0.7V，UCE (sat)≤0.3V，IC (sat)≈UCC / RC，C，E极之间相当于开关闭合。 IB(sat)= 1．放大作用 放大特性是三极管的重要特点。当三极管的发射结加正向电压，集电结加反向电压时，三极管将工作在输出特性的放大区，其三个极的电流关系是： IE = IC + IB IC ≈βIB β为三极管的电流放大倍数。实际上，三极管的电流放大倍数分直流放大倍数和交流放大倍数，分别用 和β表示，但由于 和β相当接近，对此我们不再加以区分，统一用β表示。 三、应用案例 2．开关作用 利用三极管的开关特性，可以构成逻辑门、双稳态触发器和存储单元电路。 三极管反相器 三极管存储阵列 2.2.4 场效应管 1．结构 (1)金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)场效应管。 (2)只有一种载流子参与导电，故又称单极型半导体管。 (3)分为P沟道和N沟道两种结构。 (4)有增强型和耗尽型两种类型。 N沟道增强型MOS管：以一块掺杂浓度较低的P型硅片为衬底，在衬底上面左右两侧制成两个高掺杂的N+区，并用金属铝引出两个电极，作为源极s和漏极d。在硅片表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏极间在喷上一层金属铝作为栅极g，另外在衬底引出引线B，B通常在管内与源极s相连接。 2．原理 (N沟道增强型MOS管) ① uGS=0时，管子内部没有导电沟道，MOS管截止。 ② 在uGS＞0时，栅极下面的二氧化硅中产生了一个指向P型衬底且垂直向下的电场。该电场一方面排斥栅极附近P型衬底的空穴，留下不能移动的负离子。另一方面，吸引衬底中的电子。 ③ 增大uGS，衬底表面的电子增多，当uGS达到开启电压(UGS(ht)，一般为2~10V)时，吸引过来的电子在P型衬底表面形成一个N型薄层，即导电沟道。 ④ 沟道形成以后，在uDS的作用下，则有电流iD沿沟道从漏极流向源极，管子导通。 注！PMOS管的uGS