给JZ2440开发板重新分区

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在购买开发板的时候,板子上已经烧写好了bootloader、内核和文件系统。但是在具体使用的时候,发现板子上划分的内核分区只有2M,但是我编译出来的内核大于2M,于是将内核烧写到nandflash上面时会启动不成功。怎么办呢?后来经过查找资料,找到了解决办法。

修改这两个文件:

①u-boot-1.1.6/include/configs/100ask2440.h

如果是别的类型的板子,就会找不到这个文件。不过大致路径是没错的,可以先使用以下命令搜索

find ./ -name "*" | xargs grep "2m(kernel)"


也就是说在当前目录及其子目录下查找文件内容中包含2m(kernel)的文件,这样就可以很快的定位到要修改的文件了。找到文件并且用VI打开文件后,在命令行模式用命令

/MTDPARTS_DEFAULT

找到以下内容

#define MTDPARTS_DEFAULT "mtdparts=nandflash0:256k@0(bootloader)," \

                            "128k(params)," \

                            "2m(kernel)," \

                            "-(root)"


将上边的内核大小改成4m差不多就够用了。修改后重新编译u-boot。


②(可选)内核中也有类似的一个文件common-smdk.c ,找之前最好先搜索一下,不同版本的内核,这个文件的位置可能不同。搜索命令:

locate common-smdk.c

或者

find  ./ -name common-smdk.c

我的内核版本 Linux-3.4.2,此文件在arch/arm/mach-s3c24xx/common-smdk.c。

打开文件后找到以下内容,红色部分就是nandflash的分区大小,可以根据需要修改


static struct mtd_partition smdk_default_nand_part[] = {

        [0] = {

                .name        = "bootloader",

                .size        = SZ_256K,

                .offset        = 0,

        },

        [1] = {

                .name        = "params",

                .offset = MTDPART_OFS_APPEND,

                .size        = SZ_128K,

        },

        [2] = {

                .name        = "kernel",

                .offset = MTDPART_OFS_APPEND,

                .size        = SZ_2M,

        },

        [3] = {

                .name        = "rootfs",

                .offset        = MTDPART_OFS_APPEND,

                .size        = MTDPART_SIZ_FULL,

        }

};



修改之后,重新编译下载内核即可。U-BOOT启动时可用mtd命令来查看分区是否生效。我的分区表如下所示:





转载于:https://www.cnblogs.com/alan666/p/8312206.html

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• 电源电压 - 1.65V ~ 1.95V - 2.70V ~ 3.60V • 组织结构 - 存储单元阵列: (256M + 8M) x 8bit - 数据寄存器: (2K + 64) x 8bit • 自动的编程(写入)和擦除 - 页编程: (2K + 64)Byte - 块擦除: (128K + 4K)Byte • 页读取操作 - 页面大小 : (2K + 64)Byte - 随机读取 : 25µs(最大.) - 串行访问 : 25ns(最小.) (*K9F2G08R0A: tRC = 42ns(最小)) • 快速编程周期时间 - 页编程时间: 200µs(典型值) - 块擦除时间: 1.5ms(典型值) • 命令/地址/数据复用I/O端口 • 硬件数据保护 • - 编程/擦除在电源转换分离 可靠的CMOS浮栅技术 -耐力: 100K编程/擦除周期(有1bit/512Byte ECC) 数据保存时间: 10 年 • 命令式操作 • 带有1bit/528Byte EDC的智能Copy-Back编程 • 唯一的ID版权保护 • 封装 - K9F2G08R0A-JCB0/JIB0 : 无铅封装 63 - Ball FBGA I (10 x 13 / 0.8 mm 间距) - K9F2G08U0A-PCB0/PIB0 : 无铅封装 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm 间距) - K9F2G08U0A-ICB0/IIB0 52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm 间距) 本文档提供的为256Mx8bit的版本,K9F2G08X0A是2G-bit大小的NAND Flash存储器,带有64Mbit额外数据区(OOB区、冗余区)。此 NAND存储颗粒为固态存储市场应用提供了最具成本效益的解决方案。编程(写入)操作可以在200µs(典型值)对大小为(2K+64)Byte的页 进行写入,擦除操作可以在1.5ms(典型值)擦除大小为(128K+4K)的块。读取数据寄存器的数据周期时间为25ns(1.8v设备为42ns) 每字 节。I/O端口可以作为地址和数据输入/输出,也可以作为命令输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能包括脉冲重复、 并内部核查和数据余量(如有需要)。即使是写入操作频繁的系统,也可以通过K9F2G08X0A采用实时映射算法的ECC(错误纠正码)来加 强多达的100K编程/擦除周期的可靠性,K9F2G08X0A是一个用于大型非易失性存储应用的最佳解决方案,例如固态文件存储和其他用 于非易失性要求的便携式存储应用。

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