STM32掉电时存数据到FLASH

开发板：STM32F103CBT6      　　开发环境：keil 4

一、STM32FLASH简介

　　不同的STM32它的FLASH大小也是不一样的，分为大、中、小容量，容量由16K到1024K不等。这次实验用的开发板FLASH容量大小为128K。

　　STM32的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器三部分组成。

　　主存储器：该部分主要是用来存放代码和数据常数，被划分为128页，每页1K字节（小容量产品也是每页1K字节，大容量为每页2K字节）。主存储器的起始地址就是0X08000000， B0、B1都接GND的时候，就是从0X08000000开始运行代码的。

　　信息块：该部分分为2个小部分，其中启动程序代码，是用来存储ST自带的启动程序，用于串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。

　　闪存存储器接口寄存器：该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。　

　　对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。

　　在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作

闪存的读取 

　　内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何32位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个AHB接口与CPU衔接。这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取CPU要求的指令块，预取指令块仅用于在I-Code总线上的取指操作，数据常量是通过D-Code总线访问的。这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问D-Code将比预取指令优先级高。

　　这里要特别留意一个闪存等待时间，因为CPU运行速度比FLASH快得多，STM32F103的FLASH最快访问速度≤24Mhz，如果CPU频率超过这个速度，那么必须加入等待时间，比如我们一般使用72Mhz的主频，那么FLASH等待周期就必须设置为2，该设置通过FLASH_ACR寄存器设置。

闪存的编程和擦除

　　编程过程：

　　·检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁

　　·检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作

　　·设置FLASH_CR寄存器的PG位为’1’

　　·在指定的地址写入要编程的半字

　　·等待BSY位变为’0’

　　·读出写入的地址并验证数据

　　擦除过程（页擦除）

　　·检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁

　　·检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作

　　·设置FLASH_CR寄存器的PER位为’1’

　　·用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页

　　·设置FLASH_CR寄存器的STRT位为’1’

　　·等待BSY位变为’0’

　　·读出被擦除的页并做验证

二、软件实现

　　flash.c文件

　　

#include "flash.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h"

/***flash解锁*****/
void STMFLASH_Unlock(void)
{
  FLASH->KEYR=FLASH_KEY1;                                    　　　　//写入解锁序列
  FLASH->KEYR=FLASH_KEY2;
}

//flash上锁
void STMFLASH_Lock(void)
{
  FLASH->CR|=1<<7;                                        　　　　　　//上锁
}

//得到FLASH状态
u8 STMFLASH_GetStatus(void)
{    
   u32 res;         

   res=FLASH->SR;
   if(res&(1<<0))return 1;                                        　　//忙
   else if(res&(1<<2))return 2;                                  　　 //编程错误
   else if(res&(1<<4))return