flash怎么强制gc_求助一下内存和flash的问题,困扰很久了...

内存模块的编号与内存的芯片编号不一样，内存模块编号即内存条的标识，芯片编号是单个内存集成块的标识。内存常有PC133 2-2-2的标识，其中2-2-2的含义分别是CAS(Column Address Strobe，列地址控制器)、CAS到RAS、RAS(Row Address Strobe，行地址控制器)的反应周期。

Hyundai的内存分为HY开头的Ichon Site和GM开头的Cheong-ju Site，还包括了LGS的内存，下面先看看EDO/FPM DRAM的识别法。

一、Ichon Site EDO/FPM(Fast Page Mode，快页模式内存) DRAM

1、内存芯片

例：HY 51 X XX XXX X X - XX XX

HY：前辍标识，HY=现代Ichon Site

51：内存家族51=I-site DRAM

X：处理技术和能源支持，空白 = CMOS 5.0V，V = CMOS 3.3V

XX：密度和刷新

2 - 2M bits

4 - 4M bits

16 - 16M bits，4K刷新

17 - 16M bits，2K刷新

18 - 16M bits，1K刷新

19 - 64M bits，8K刷新

20 - 64M bits，4K刷新

XXX：数据宽度和特征

100：*1(FP)

400：*4(FP)

404：*4(EDO)

800：*8(FP)

804：*8(EDO)

160：*16(FP)

164：*16(EDO)

260：*16(FP)：2/4 Mbit

264：*16(EDO)：2/4 Mbit

X：内核版本，空白 - 第一代，A - 第二代，B - 第三代，C - 第四代

X：能源消耗，空白 - 正常功耗，L - 低功耗，SL - 自刷新、低功耗

XX：封装，J - 300mil SOJ，JC - 400mil SOJ，T - 300mil TSOP II，TC - 400mil TSOP II

XX：速度，45 - 45ns，50 - 50ns，60 - 60ns，70 - 70ns

2、内存模块

例：HYM X X XX X XX X X X X X X X -XX

HYM：HY Module，Ichon Site内存模块

X：内存家族，5=DRAM

X：操作电压，空白 = 5V(TTL)、V = 3.3V(LVTTL)

XX：数据宽度

8/9 - x8/x9

32/36/39/40/48：x32/x36/x39/x40/x48

64/72 - x64/x72

144 - x144

X：字节/ECC存取，空白 = 字节，A = ECC

XX：数据深度，1=1M，2=2M，4=4M，8=8M，16=16M，32=32M

X：刷新，0=4K，1=2K，2=1K，3=8K

X：DRAM操作模式，0=FPM，4=EDO

X：模块版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代，D=第五代

X：功耗，空白=正常，L=低功耗，SL=自刷新和低功耗

X：连接类型

M - x4基本SIMM

E - x8基本SIMM

W - x16基本SIMM

K - x4基本非缓冲DIMM

F - x8基本非缓冲DIMM

R - x16基本非缓冲DIMM

N - x4基本缓冲DIMM

H - x8基本缓冲DIMM

X - x16基本缓冲DIMM

P - x4基本SODIMM

Z - x8基本SODIMM

Q - x16基本SODIMM

X：针脚电镀金属类型，空白=锡，G=金

X：模块索引，空白、1、2、3=描述相同配置和操作模块的不同PCB和生产原料

XX：速度，6=60ns，7=70ns，8=80ns

二、Cheong-ju Site EDO/FPM

1、内存芯片

例：GM 71 X X XX XX X X X X XX

GM：现代Cheong-ju Site

71：家族编号，71=C-site DRAM

X：处理工艺，C=CMOS 5V，V=CMOS 3.3V，VL=CMOS(2.35V)

X：刷新，无=标准，S=自刷新

XX：密度与刷新周期

16 - 16M，4K刷新

17 - 16M，2K刷新

18 - 16M，1K刷新

64 - 64M，8K刷新

65 - 64M，4K刷新

XX：内存芯片组成

10：x1

40：x4

41：x4，4 CAS

80：x8

16：x16(2 CAS)

17：x16(2 WE)

32：x32(2 CAS)

33：x32(2 WE)

34：x32(4 CAS)

X：存取模式，0=FPM，3=EDO

X：修订版本，空白=原始版，A=第一代，B=第二代，C=第三代

X：功耗，无=标准，L=低功耗

X：封装，无=塑料DIP，J=SOJ，T=TSOP(正常)，R=TSOP(反转型)，I=BLP

XX：速度，5=50ns，6=60ns，7=70ns，8=80ns，10=100ns(内核电压2.35V)

2、内存模块

例：GMM X 7 XX XX X X X X X XX - XX

GMM：现代Cheong-ju Site模块

X：制造工厂，无=LGS，S=Smart，T=Tanisys

7：内存家族，7=DRAM

XX：芯片组成，8=x8，9=x9，32=x32，33=x32/2CAS，34=x32/2WE，36=x36，37=x36/ECC，40=x40/ECC，64=x64，65=x64/2CAS，66=x64/2WE，67=x64/4CAS，72=x72，73=x72/ECC，14=x144

XX：内存深度，1=1M，2=2M，4=4M，8=8M，16=16M，32=64M

X：刷新，0=1K，1=2K，2=4K，3=8K

X：存取/电压模式，0=FPM 5V，1=EDO 5V，3=FPM 3.3V，4=EDO，3.3V

X：内存条组成，0=SIMM/DIMM缓存168针，1=DIMM缓冲200针，3=DIMM非缓冲168针，7=SODIMM非缓冲144针，8=定制模块DIMM 80针

X：IC修订版，空白=原始版，A=第一代，B=第二代，C=第三代

X：模块修订版，空白=原始版，N=第一代，M=第二代，L=第三代，H=全高(1.5英寸16M*72)

XX：封装和终结，S=SOJ/焊接，SG=SOJ/镀金，T=TSOP/焊接，TG=TSOP/镀金，I=BLP/焊接，IG=BLP/镀金

XX：速度，5=50ns，6=60ns，7=70ns，8=80ns

三、SDRAM芯片

1、第一类SDRAM内存芯片

例：HY XX X XX XX X X XX X X - XX

HY：现代内存

XX：产品组，57=SDRAM

X：处理工艺和电能供应，V=CMOS 3.3V

XX：密度和刷新，64=64M/4K刷新，65=64M/8K刷新，28=1284M/4K刷新，56=256M/8K刷新

XX：内存芯片组成，4=x4，8=x8，16=x16，32=x32

X：Bank，1=2 Bank，2=4 Bank

X：应用部分

XX：接口，0=LVTTL，1=SSTL-3

X：能源消耗，HEI(空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代)，HME(H=第一代，HA=第二代，HB=第三代，HC=第四代)

X：封装，T=TSOP，Q=TQFP，I=BLP，L=CSP(LF-CSP)

XX：速度，5=200MHz，55=183MHz，6=166MHz，7=143MHz，K=PC133/CL2，H=PC133/CL3，8=125MHz，P=PC100/CL2，S=PC100/CL3，10=100MHz

2、第二类SDRAM内存芯片

例：GM 72 X XX XX X X X X X - XXX

GM：LGS前辍

72：SDRAM

X：制造工艺和电源供应，V=CMOS 3.3V

XX：密度和刷新，16=16Mb/4K刷新，17=16Mb/2K刷新，28=128Mb/4K刷新，64=64Mb/16K刷新，65=16Mb/8K刷新，66=16Mb/4K刷新

XX：芯片组成，4=x4，8=x8，16=x16，32=x32

X：Bank，1=1 Bank，2=2 Bank，4=4 Bank，8=8 Bank，

X；输入/输出接口，1=LVTTL

X：修订版本号，空白=原始版，A=第一代，B=第二代，C=第三代，D=第四代，E=第五代，F=第六代

X：功耗，无=标准，L=低功耗

X：封装，TSOP(正常)，R=TSOP(反转型)，I=BLP，S=STACK

XXX：速度，6=166MHz，65=153MHz，7=143MHz，75=133MHz，8=125MHz，7K=PC100/2-2-2，7J=PC100/3-2-2，10K=PC66，10J=PC66，12=83MHz，15=66MHz

3、第三类SDRAM内存芯片

例：HY XX X XXX XX X X X XX XX - XX

HY：现代内存

XX：产品组，57=DRAM，5D=DDR SDRAM

X：制造工艺和能源供应，V=CMOS 3.3V，U=CMOS 2.5V

XXX：密度和刷新，4=4Mbit 1K刷新，16=16Mbit 4K刷新，64=64Mbit 8K刷新，65=64Mbit 4K刷新，129=128Mbit 4K刷新，257=256Mbit 8K刷新

XX：数据宽度和特征，40=x4，80=x8，16=x16，32=x32

X：Bank，1=2 Bank，2=4 Bank

X：接口，0=LVTTL，1=SSTL，2=SSTL2

X：内核版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代，D=第五代

X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗

XX：封装，TC=400mil TSOP 2，TQ=100针TQFPI

XX：速度，5=5ns(200MHz)，55=5.5ns(183MHz)，6=6ns(166MHz)，7=7ns(143MHz)，7.5=7.5ns(133MHz)，8=8ns(125MHz)，10P=10ns(100MHz)/CL2&3/PC100，10S=10ns(100MHz)/CL3/PC100，10=10ns(100MHz)/PC66，12=12ns(83MHz)，15=15ns(66MHz)

四、SDRAM模块

1、第一类SDRAM内存条

例：HYM X X XX X X X(X) X X X X X X X X - X(X)(X)

HUM：现代内存

X：产品组别，7=16/64Mb SDRAM

X：能源供应和接口，V=3.3V LVTTL，S=3.3V SSTL

XX：数据宽度，64/72=x64/x72(PC66)，65/75=x64/x72(PC100)，63/73=x64/x72(PC133)

X：错误侦测方案，无=奇偶校验或没有错误侦测，A=ECC

X：DIMM类型，无=168针非缓冲DIMM，E/S/R/C/D=168针注册型DIMM

X(X)：内存深度，1=1M，2=2M，4=4M，8=8M，16=16M

X：刷新，0=1K，1=2K，2=4K，3=8K

X：内部bank组成，0=2 bank SDRAM，1=4 bank SDRAM

X：模块版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代，D=第五代

X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗

X：封装类型，T=400mil TSOP 2

X：连接数据宽度和DIMM类型，K=x4基本非缓冲DIMM，F=x8基本非缓冲DIMM，R=x16基本非缓冲DIMM，H=x4基本168针注册DIMM，X=x8基本168针注册DIMM，P=x4基本SODIMM，Q=x16基本SODIMM，Z=x8基本SODIMM

X：针脚电镀金属，G=金

X：模块索引，空白、1、2、3=描述相同配置和操作模块的不同PCB和生产原料

X(X)(X)：速度，75=7.5ns(133MHz)，8=8ns(125MHz)，10P=10ns(PC100 CL2&3)，10S=10ns(PC100 CL3)，10=10ns(100MHz)

2、第二类SDRAM内存条

例：HYM XX X XX X X X X X X X X - XXX

HYM：现代内存模块

XX：成份组，71=128Mb SDRAM，72=256Mb SDRAM，75=512Mb SDRAM，7G=1Gb SDRAM

X：能源供应和接口，V=3.3V LVTTL，S=3.3V SSTL

XX：数据宽度，64/72=x64/x72(PC66)，65/75=x64/x72(PC100)，63/73=x64/x72(PC133)

X：DIMM类型，无=168针非缓冲DIMM，R=JEDEC类型168针注册DIMM w/PLL，E=英特尔类型168针注册 w/o PLLA，S=英特尔类型168针注册DIMM w/PLL，C=RCC类型168针注册DIMM w/PLL，D=JEDEC类型200针注册DIMM w/PLL，M=144针SODIMM

X：内存深度，8=8M，16=16M，28=128M，32=32M，64=64M，12=512M

X：刷新，0=1K，1=2K，2=4K，3=8K

X：内部bank组成，0=2 bank SDRAM，1=4 bank SDRAM

X：模块版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代，D=第五代

X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗

X：封装类型，无=SOJ，T=TSOP，S=A型Stack pkg，K=B型Stack pkg

X：连接类型，N=x4基本型，H=x8基本型，X=x16基本型，HX=x8/x16基本型，XH=x16/x8基本型(1 Bank/2 Bank)

XXX：速度，75=7.5ns(133MHz)，8=8ns(125MHz)，10P=10ns(PC100 CL2&3)，10S=10ns(PC100 CL3)，10=10ns(100MHz)

3、第三类SDRAM内存条

例：GMM X 2 XX XX X X X X X XX - XXX

LGS：LGS内存模块，属现代集团旗下

X：产品组，无=LGS，S=Smart，T=Tanisys

2：能源供应和接口，2=SDRAM

XX：组成，64=x64，72=x72，73=x72/ECC

XX：内存深度，1=1M(16M SD)，2=2M(16M SD)，4=4M(16M SD)，5=4M(64M SD)，6=4M(128M SD)，

8=8M(16M SD)，9=8M(64M SD)，10=8M(128M SD)，16=16M(64M SD)，17=17M(128M SD)，32=32M(64M SD)，33=33M(128M SD)，64=64M(64M SD)，65=64M(128M SD)

X：刷新，0=1K，1=2K，2=4K，3=8K

X：I/O接口，1=LVTTL/1时钟周期，2=LVTTL/2时钟周期

X：组成模块，0=168针注册DIMM，1=200针注册DIMM，3=168针非缓冲DIMM，7=144针非缓冲SODIMM(基本型)，8=144针非缓冲SODIMM(低功耗型)

X：IC修订版本，空白=原始版，A=第一代，B=第二代，C=第三代，D=第四代，E=第五代，F=第六代

X：模块修订版本，无=原始版，N=第一代，F=4层PCB，H=1.15英寸高(8M*64)，P=加入PLL

XX：封装和终结，T=TSOP焊接，TG=TSOP镀金，IC=BLP镀金，SG=Stack镀金

XXX：速度，75=133MHz，8=125MHz，7K=PC100 2-2-2，7J=PC100 3-2-2，10K=PC66，10J=PC66，12=83MHz，15=66MHz

4、第四类SDRAM内存条

例：HYM XX X XX X X X XX X X X X - XX

HYM：现代内存条

XX：内存组成，76=64Mb SDRAM，71=128Mb SDRAM，72=256Mb SDRAM，76=512Mb SDRAM，76=1Gb SDRAM

X：能源供应和接口，V=CMOS 3.3V LVTTL，S=SSTL3

XX：内存深度，4=4M，8=8M，16=16M，32=32M，64=64M，12=512M，51=512M

X：DIMM类型，无=168针非缓冲DIMM，R=JEDEC类型168针注册DIMM w/PLL，E=英特尔类型168针注册 w/o PLLA，S=英特尔类型168针注册DIMM w/PLL，C=RCC类型168针注册DIMM w/PLL，D=JEDEC类型200针注册DIMM w/PLL，M=144针SODIMMX：数据宽度，64/72=x64/x72(PC66)，65/75=x64/x72(PC100)，63/73=x64/x72(PC133)

X：内部bank组成，1=4K/2 bank，2=8K/2 bank，3=16K/2 bank，5=4K/4 bank，6=8K/4 bank，7=16K/4 bank

XX：内核版本号，ICHON(无=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代)，Cheong-Ju(H=第一代，HA=第二代，HB=第三代，HC=第四代)

X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗

X：封装类型，T=TSOP，S=A型Stack pkg，K=B型Stack pkg

X：组成配置，4=x4基本型，8=x8基本型，6=x16基本型

X：模块版本，无=原始型，M=第一代修订版，N=第二代修订版

XX：速度，K=PC133 CL2，H=PC133 CL3，P=PC133 CL2，S=PC133 CL3

五、DDR SDRAM

1、内存芯片

例：HY XX X XX XX X X X X X - XX

HY：现代内存

XX：产品组别，5D=DDR SDRAM

X：制造工艺和能源供应，V=CMOS 3.3V，U=CMOS 2.5V

XX：密度和刷新，64=64M 4K刷新，66=64M 2K刷新，28=128M 4K刷新，56=256M 8K刷新

XX：数据宽度和特性，4=x4，8=x8，16=x16，32=x32

X：bank数目，1=2 Bank，2=4 Bank

X：接口：1=SSTL_3，2=SSTL_2

X：内核版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代

X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗

X：封装类型，T=TSOP，Q=TQFP，I=BLP，L=CSP

XX：速度，5=200MHz，55=183MHz，6=166MHz，7=143MHz，K=PC266A，H=PC266B，8=125MHz，L=PC200

2、内存模块

例：HYM XX X XX X X X XX X X X X - XX

HYM：现代内存模块

XX：产品组，D1=128Mb DDR SDRAM，D2=256Mb DDR SDRAM，D5=512Mb DDR SDRAM，DG=1Gb DDR SDRAM

X：能源供应和接口，无=CMOS 2.5V SSTL_2

XX：内存深度，8=8M，16=16M，32=32M，64=64M，12=128M，51=512M，1G=1G

X：模块类型，无=184针非缓冲DIMM，G=194针注册DIMM，M=SODIMM

X：数据宽度，64=x64，72=x72

X：刷新/SDRAM bank，1=4K刷新/2 bank，2=8K刷新/2 bank，3=16K刷新/2 bank，5=4K刷新/4 bank，6=8K刷新/4 bank，7=16K刷新/4 bank

XX：内核版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代

X：能源消耗，无=标准，L=低功耗

X：封装，无=TSOP，Q=TQFP，S=A类型Stack，K=B类型Stack

X：成份配置，4=x4基本型，8=x8基本型，16=x16基本型

X：模板修订版，无=原始型，M=第一代修订，N=第二代修订

XX：速度，K=PC266A，H=PC266B，L=PC200

六、Direct RDRAM

1、内存芯片

例：R X XX X X - X XX

R：DRDRAM

X：处理工艺，无=COMOS 2.5V，W=COMOS 1.8V

XX：密度，72=72M 8K刷新，128=128M 8K刷新，144=144M 8K刷新

X：封装，E=边缘连结(74针)，C=中央连结(62针)，M=镜像

X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz

XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns

例：HY XX X XXX XX X X XX

HY：现代内存

XX：产品家族，5R=DRDRAM

X：制造工艺和能源供应，无=COMOS 2.5V，W=COMOS 1.8V

XXX：数据密度和刷新，64/72=64/72 Mbits 8K刷新，128/144=128/144bits 8K刷新，256/288=256/288 8K刷新

XX：内核版本号，ICHON(无=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代)，Cheong-Ju(H=第一代，HA=第二代，HB=第三代，HC=第四代)

X：封装，E=边缘连结，C=中央连结，M=镜像

X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz

XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns

2、内存模块

例：RM XX XX X X X - X XX

RM：DRDRAM内存模块

XX：深度，16=16M(64M/72M基本型)，32=32M(64M/72M基本型)，33=32M(128M/144M基本型)，48=48M(72M基本型)，49=48M(128M/144M基本型)，64=64M(64M/72M基本型)，65=64M(128M/144基本型)，96=96M(128M/144M基本型)，128=128M(64M/72M基本型)，129=128M(128M/144M基本型)，256=256M(128M/144M基本型)

XX：内存组成，16=x16(非ECC)，18=x18(ECC)

X：电路版层修订版本，无=原始，1=第一代，2=第二代

X：IC修订本，A=第一代，B=第二代，C=第三代

X：MDL修订本，无=原始版，N=第一代，M=第二代

X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz

XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns

例：HYM XX X XXX X XX X X X XX

HYM：现代内存

XX：产品组别，R1=128/144Mb DRDRAM，R2=256/288Mb DRDRAM，Rd3=516/576Mb DRDRAM

X：能源供应和接口，无=CMOS 2.5V，W=CMOS 1.8V

XXX：内存深度，32=32M，48=48M，64=64M，96=96M，128=128M，256=256M

X：模块类型，无=184针RIMM，M=SORIMM

XX：数据宽度，16=x16(非ECC)，18=x18(ECC)

X：内核版本号，ICHON(无=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代)，Cheong-Ju(H=第一代，HA=第二代，HB=第三代，HC=第四代)

X：，无=原始版，M=第一代，N=第二代

X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz

XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns