一、概述
将交流市电转换为低压直流的常规方法是采用变压器降压后再整流滤波,当受体积和成本等因素的限制时,最简单实用的方法就是采用阻容降压式电源。阻容降压包括电容降压和电阻降压两种。电容降压的原理用复函数来分析:电容的阻抗Xc=1/jωC,电容上的压降IXc,此处I为复函数电流。也可近似表示为IoXc,此处Io为负载电流。
电容降压整流后未经稳压的直流电压一般会高于30伏,并且会随负载电流的变化发生很大的波动,故不适合大电流供电的应用场合。
本文将根据从基本到复杂的顺序,介绍这几种常见电容降压和电阻降压的典型电路。在实际应用中应优先选择图5和图6的线路。在有可控硅的系统中,应优选负电源。
二、典型电路
1、单负电源电容降压半波整流电路
该电路常用于电流小,空间有限,电源单一,有可控硅控制的电路中。可避免可控硅使用在第四象限。如无可控硅控制优先选用全波整流。
1.1原理图
1.2电路参数选型及分析
符号 |
元器件名称 |
型号 |
备注 |
F1 |
保险管 |
1.25A 250VAC |
一般控制板都选用此规格,太小容易烧断.选择R1电阻时,可以不用保险丝。 |
C1 |
X2电容 |
0.1UF 275VAC |
容量的大小由负载的特性决定。优选0.1,0.22,0.33,0.47,0.68UF |
R1 |
线绕电阻 |
30R/3W |
此电阻应为阻燃的线绕电阻,根据电流的大小优选30,47,51。在有保险丝时可省掉 |
ZNR1 |
压敏电阻 |
10D561 |
根据电源电压优选:220V选 10D561; 120V 选10D431 根据吸收能量的不同优选7D,10D,14D. |
R2 |
碳膜电阻 |
470K(120V) 1M(230V) |
由电源电压决定,不能用单个贴片电阻 |
D1 |
二极管 |
1N4007或SMA4007(贴片) |
|
ZD1 |
稳压二极管 |
5V6/1W |
具体采用型号由电压和功率决定,优选3.3V,5.1V,5.6V,12V,24V |
C2 |
电解电容 |
220UF/16V |
具体采用型号由电压和功率决定,容值可采用下例公式计算:RLC>(3~5)T/2 |
C3 |
瓷片(贴片)电容 |
100N |
消除高频谐波。 |
CX |
薄膜电容或X2电容 |
1UF/275AC |
容值由电流决定:Xc=1 /(2 πf C) Ic = (U-Vcc) / Xc/2 |
1.3电路原理分析
上面图1是基本的半波阻容降压电路。经过电容的电流和电容阻抗的乘积就是电容的压降。经过电容降压的电源,有半个波经过ZD1被消耗掉。另一半波,经D1流过负载被使用,ZD1稳定负载的电压。
1.4该类电路的应用场合说明
该电路常用于电流小,空间有限,成本要求高的系统中。特别是用可控硅控制的线路,可避免可控硅使用在第四象限,优势特别明显。
1.5注意事项
A.若稳压管的最大允许电流Idmax小于Ic-Io时易造成稳压管烧毁.
B.为保证CX可靠工作,其耐压选择应大于两倍的电源电压。
C.泄放电阻R2的选择必须保证在要求的时间内泄放掉CX上的电荷。
D.电流保险丝的规格应大于1.25A,太低过浪涌测试时容易烧毁,并且生产时也容易烧毁。
E.电阻R1应为阻燃的线绕电阻,在有保险丝时可省掉。
2、单正电源电容降压全波整流电路
该电路常用于电流小,空间有限,成本要求高的系统。由于采用全波整流,电流是半波整流的两倍。但此电路不适合有可控硅控制的系统。
2.1原理图
2.2电路参数选型及分析
符号 |
元器件名称 |
型号 |
备注 |
F1 |
保险管 |
1.25A 250VAC |
一般控制板都选用此规格,太小容易烧断.选择R1电阻时,可以不用保险丝。 |
C1 |
X2电容 |
0.1UF 275VAC |
容量的大小由负载的特性决定。优选0.1,0.22,0.33,0.47,0.68UF |
R1 |
线绕电阻 |
30R/3W |
此电阻应为阻燃的线绕电阻,根据电流的大小优选30,47,51。在有保险丝时可省掉 |
ZNR1 |
压敏电阻 |
10D561 |
根据电源电压优选:220V选 10D561; 120V 选10D431 根据吸收能量的不同优选7D,10D,14D. |
R2 |
碳膜电阻 |
470K(120V) 1M(230V) |
由电源电压决定,不能用单个贴片电阻 |
D1~D4 |
二极管 |
1N4007或SMA4007(贴片) |
|
ZD1 |
稳压二极管 |
5V1/1W |
具体采用型号由电压和功率决定,优选3.3V,5.1V,5.6V,12V,24V |
C2 |
电解电容 |
220UF/16V |
具体采用型号由电压和功率决定,容值可采用下例公式计算:RLC>(3~5)T/2 |
C3 |
瓷片(贴片)电容 |
100N |
消除高频谐波。 |
CX |
薄膜电容或X2电容 |
1UF/275AC |
容值由电流决定:Xc=1 /(2 πf C) Ic = (U-Vcc) / Xc/2 |
2.3电路原理分析
跟半波整流一样,经过电容的电流和电容阻抗的乘积就是电容的压降。经过电容降压的电源,经过桥式整流,正负半周都被利用,经ZD1稳压后得到稳定电压。
2.4该类电路的应用场合说明
该电路常用于电流小,空间有限,成本要求高系统,相对于半波有电流大的特点。但不能用于可控硅控制系统中
2.5注意事项
A.若稳压管的最大允许电流Idmax小于Ic-Io时易造成稳压管烧毁.
B.为保证CX可靠工作,其耐压选择应大于两倍的电源电压。
C.泄放电阻R2的选择必须保证在要求的时间内泄放掉CX上的电荷。
D.电流保险丝的规格应大于1.25A,太低过浪涌测试时容易烧毁,并且生产时也容易烧毁。
E.电阻R1应为阻燃的线绕电阻,在有保险丝时可省掉。
3、双负电源电容降压电路
该电路是实际应用电路,是在前面单负电源电路的基础上多了一个直流降压稳压电路。
3.1原理图
3.2主要电路参数选型及分析
符号 |
元器件名称 |
型号 |
备注 |
F1 |
保险管 |
1.25A 250VAC |
一般控制板都选用此规格,太小容易烧断.选择R1电阻时,可以不用保险丝。 |
C1 |
X2电容 |
0.1UF 275VAC |
容量的大小由负载的特性决定。优选0.1,0.22,0.33,0.47,0.68UF |
R1 |
线绕电阻 |
30R/3W |
此电阻应为阻燃的线绕电阻,根据电流的大小优选30,47,51。在有保险丝时可省掉 |
ZNR1 |
压敏电阻 |
10D561 |
根据电源电压优选:220V选 10D561; 120V 选10D431 根据吸收能量的不同优选7D,10D,14D. |
R2 |
碳膜电阻 |
470K(120V) 1M(230V) |
由电源电压决定,不能用单个贴片电阻 |
D1 |
二极管 |
1N4007或SMA4007(贴片) |
|
ZD3 |
稳压二极管 |
5V6/0.5W |
|
C3 |
电解电容 |
470UF/25V |
具体采用型号由电压和功率决定,容值可采用下例公式计算:RLC>(3~5)T/2.如电压为24V时电压应选35V. |
C4 |
电解电容 |
220UF/16V |
具体采用型号由电压和功率决定,容值可采用下例公式计算:RLC>(3~5)T/2 |
C5,C6 |
瓷片(贴片)电容 |
100N |
消除高频谐波。 |
C2 |
薄膜电容或X2电容 |
1UF/275AC |
容值由电流决定:Xc=1 /(2 πf C) Ic = (U-Vcc) / Xc/2 |
ZD1 |
稳压二极管 |
24V/1W |
具体采用型号由电压和功率决定,优选12V或24V。在调式时, |