解决频率选择性衰落的措施_选择性发射极SE的六种实现方式

　　选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，从而提高转换效率。

　　其实，早在1984年Schroder就全面综述了硅太阳能电池的接触电阻理论，分析了不同金属功函数和硅表面掺杂浓度对接触电阻的影响。形成SE结构的技术方案有很多，但大多数都要求配套相关的新设备与辅材。PERC流行之前，SE电池大规模推广面临着投资成本巨大，高能耗，工艺整体耗时长等困境。

　　PERC的流行带火了SE。SE技术处理过的电池相比传统太阳电池有0.3%的提升，SE技术跟PERC技术相结合，可以使电池的量产效率轻易突破22%。

　　SE+PERC已经成为行业主流的提效方式，采用激光掺杂技术形成选择性PN结,已经被很多企业采用。激光PSG掺杂法是采用扩散时产生的磷硅玻璃层作为掺杂源进行激光扫描，形成重掺杂区。激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线，工艺上只需增加激光掺杂一个步骤，从设备上来说，只需增加掺杂用激光设备，与常规产线的工艺及设备兼容性很高，是行业研究的热点。

　　SE还有哪些实现方式？未来这些方式还有无潜力可挖？

选择性发射极电池的结构