计算机组成原理辅助存储器ppt,计算机组成原理8单元4_1存储器.ppt

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第4章 存储器本章知识要点:1,理解存储器的分类和分级结构;2,掌握主存储器的技术指标、基本结构和基本操作;3,理解半导体存储器的基本组成和工作原理;4,掌握主存储器组织;5,掌握CACHE的功能、基本原理、地址映像(直接映像方式)和替换策略;6,掌握多体交叉存储器的基本原理及地址交叉方法; 教学单元八 :概述及主存储器教学目标:(1)理解存储器分类和分级结构;(2)掌握主存储器的技术指标、基本结构和基本操作;(3)理解半导体存储器的基本组成和工作原理。4.1 概述4.2 主存储器4.3 高速缓冲存储器4.4 辅助存储器 第4章 存储器 4.1 概 述一、存储器分类1. 按存储介质分类(1) 半导体存储器(2) 磁表面存储器(3) 磁芯存储器(4) 光盘存储器易失TTL 、MOS磁头、载磁体硬磁材料、环状元件激光、磁光材料非易失(1) 存取时间与物理地址无关(随机访问) 顺序存取存储器 磁带4.12. 按存取方式分类(2) 存取时间与物理地址有关(串行访问) 随机存储器 只读存储器 直接存取存储器 磁盘可 读 可 写只 读磁盘、磁带、光盘 高速缓冲存储器(Cache)Flash Memory存储器主存储器辅助存储器MROMPROMEPROMEEPROMRAMROM静态 RAM动态 RAM3. 按在计算机中的作用分类4.1SDRAM DDR Double Data Rate SRAMDRAMMRAM(磁性随机储存) PRAM(Phase-Change RAM) FRAM Ferroelectric memory高低小大快慢辅存寄存器缓存主存磁盘光盘磁带光盘磁带速度容量价格 位/1. 存储器三个主要特性的关系 二、存储器的层次结构CPUCPU主机4.1缓存CPU主存辅存2. 缓存 主存层次和主存 辅存层次缓存主存辅存主存虚拟存储器10 ns20 ns200 nsms(虚地址)逻辑地址(实地址)物理地址主存储器4.1(速度)(容量)4.2 主存储器一、概述1. 主存的基本组成存储体驱动器译码器MAR控制电路读写电路MDR读写……………2. 主存和 CPU 的联系MDRMARCPU主 存读数据总线地址总线写4.2 高位字节 地址为字地址 低位字节 地址为字地址设地址线 24 根按 字节 寻址按 字 寻址若字长为 16 位按 字 寻址若字长为 32 位字地址字节地址11109876543210840字节地址字地址4523014203. 主存中存储单元地址的分配4.2224 = 16 M8 M4 M(2) 存储速度4. 主存的技术指标(1) 存储容量(3) 存储器的带宽主存 存放二进制代码的总位数 读出时间 写入时间 存储器的 访问时间 存取时间 存取周期 读周期 写周期 连续两次独立的存储器操作(读或写)所需的 最小间隔时间 位/秒 4.2多体并行结构存取周期位存取周期=100ns,16b,带宽=?芯片容量二、半导体存储芯片简介1. 半导体存储芯片的基本结构译码驱动存储矩阵读写电路1K×4位16K×1位8K×8位片选线读/写控制线地址线…数据线…地址线(单向)数据线(双向)1041411384.2二、半导体存储芯片简介1. 半导体存储芯片的基本结构译码驱动存储矩阵读写电路片选线读/写控制线地址线…数据线…片选线   读/写控制线(低电平写 高电平读)(允许读)4.2CSCEWE(允许写)WEOE存储芯片片选线的作用用 16K × 1位 的存储芯片组成 64K × 8位 的存储器 32片当地址为 65 535 时,此 8 片的片选有效 8片16K × 1位 8片16K × 1位 8片16K × 1位 8片16K × 1位4.20,015,015,70,7 读/写控制电路 地址译码器 字线015……16×8矩阵………07D07D 位线 读 / 写选通A3A2A1A0……2. 半导体存储芯片的译码驱动方式(1) 线选法4.200000,00,7…0…07…D07D 读 / 写选通 读/写控制电路 A3A2A1A0A40,310,031,031,31 Y 地址译码器 X地址译码器 32×32 矩阵……A9I/OA8A7A56AY0Y31X0X31D读/写……(2) 重合法4.200000000000,031,00,31……0,0读 三、随机存取存储器 ( RAM ) 1. 静态 RAM (SRAM) (1) 静态 RAM 基本电路A´ 触发器非端1T4T~触发器5TT6、行开关7TT8、列开关A 触发器原端T1 ~ T4T5T6T7T8A´A写放大器写放大器DIN写选择读选择DOUT读放位线A位线A´列地址选择行地址选择T1 ~ T4A‘AA´T1 ~ T4T5T6T7T8A写放大器写放大器DIN写选择读选择读放位线A位线A´列地址选择行地址选择DOUT ① 静态 RAM 基本电路的 读 操作 行选 T5、T6 开4.2T7、T8 开列选读放DOUTVAT6T8DOUT读选择有效T1 ~ T4T5T6T7T8A´ADIN位线A位线A ´列地址选择行地址选择写放写放读放DOUT写选择读选择 ② 静态 RAM 基本电路的 写 操作 行选T5、T6 开 两个写放 DIN4.2列选T7、T8 开(左) 反相T5A´(右) T8T6ADINDINT7写选择有效T1 ~ T4 (2) 静态 RAM 芯片举例① Intel 2114 外特性存储容量1K×4 位4.2I/O1I/O2I/O3I/O4A0A8A9WECSVCCGNDIntel 2114… ② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × (16 ×4) )A3A4A5A6A7A8A0A1A2A915…031…1647…3263…48150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路……………………0163015……行地址译码列地址译码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一组第二组第三组第四组15…031…1647…3263…48150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路……………………0163015……行地址译码列地址译码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一组第二组第三组第四组0000000000 ② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读第一组第二组第三组第四组15…031…1647…3263…48150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路……………………0163015……行地址译码列地址译码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000 ② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读150311647326348…………第一组第二组第三组第四组 ② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读15…031…1647…3263…48150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路……………………0163015……行地址译码列地址译码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000150311647326348…………0…164832………A3A4A5A6A7A8A0A1A2A915…031…1647…3263…48150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路……………………0163015……行地址译码列地址译码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一组第二组第三组第四组 ③ Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写15…031…1647…3263…48150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路……………………0163015……行地址译码列地址译码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一组第二组第三组第四组 ③ Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写0000000000第一组第二组第三组第四组15…031…1647…3263…48150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路……………………0163015……行地址译码列地址译码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS ③ Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写150311647326348…………0000000000第一组第二组第三组第四组 ③ Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写15…031…1647…3263…48150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路……………………0163015……行地址译码列地址译码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS150311647326348………0…164832………0000000000Intel2114静态MOS芯片逻辑结构框图ACSDOUT地址有效地址失效片选失效数据有效数据稳定高阻 (3) 静态 RAM 读 时序 tAtCOtOHAtOTDtRC片选有效读周期 tRC 地址有效 下一次地址有效读时间 tA 地址有效数据稳定 tCO 片选有效数据稳定tOTD 片选失效输出高阻tOHA 地址失效后的数据维持时间WE2114读周期参数表ACSWEDOUTDIN (4) 静态 RAM (2114) 写 时序 tWCtWtAWtDWtDHtWR写周期 tWC 地址有效下一次地址有效写时间 tW 写命令 WE 的有效时间tAW 地址有效片选有效的滞后时间tWR 片选失效下一次地址有效tDW 数据稳定 WE 失效tDH WE 失效后的数据维持时间滞后滞后恢复2114写周期参数表教学单元小结:存储器分类和分级结构;主存储器的技术指标、基本结构和基本操作;半导体存储器的基本组成和工作原理。 关 键 词: 组成 单元 存储器 原理 计算机

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