浅谈 主存储器 与 辅助存储器

浅谈 主存储器 与 辅助存储器

概述

存储器（Memory）是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）。小编会从名词解释 内部结构 及其性能做简述。
一个典型系统的硬件组成框图：

注：红色部分就是本小编主要讲解部分

名词解释

• Main Memory(主存储器)
  电脑内部最主要的存储器，用来加载各式各样的程序与数据以供CPU直接运行与运用。“暂时储存”程序和资料的地方， 通常以DRAM制作， 目前已经改良成SDRAM 或DDR。
• Asistant memory(辅助存储器)
  “永久储存” 程序与资料的地方 eg：flash (快速闪存)， 磁盘， 光盘， 磁带。
• Register(寄存器)
  CPU 里面也有一个储存空间，叫做 Register。要运算时、CPU 会从内存中把数据载入Register、再让Register中存的数字做运算，运算完再将结果存回内存中。毕竟 CPU 和内存终究还是两片不同的芯片，没有在同一片芯片里直接抓数据快。

主存储器（内存 ）

谈起内存，我们不得不讲 RAM(Random Access Memory)。RAM作为主存的主要部分，按其结构分为：动态随机存取存储器 （Dynamic Random Access Memory，DRAM）， 同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）， 静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）。

DRAM

• 简介：DRAM主要利用电容内存储电荷的多少来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，因此，需要周期性的充电。由于这个特性也造就它的名字来源。由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器（volatile memory）设备。
• 工作原理：DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵。基本的操作机制分为读(Read)和写(Write)，读的时候先让Bitline(BL)先充电到操作电压的一半，然后在把晶体管打开让BL和电容产生电荷共享的现象，若内部存储的值为1，则BL的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半，反之，若内部存储的值为0，则会把BL的电压拉低到低于操作电压的一半，得到了BL的电压后，在经过放大器来判别出内部的值为0和1。写的时候会把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到操作电压使电容上存储著操作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容内部没有电荷。
• 优势：DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。
• 劣势：DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。

SDRAM

• 简介：其实它的本质就是一种DRAM。不过与一般的DRAM会有所不同的是它有一个同步接口。在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。
• 工作原理：时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。管线意味着芯片可以在处理完之前的指令前，接受一个新的指令。在一个写入的管线中，写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行，而不需要等待数据写入存储队列的时间。SDRAM是多Bank结构，例如在一个具有两个Bank的SDRAM的模组中，其中一个Bank在进行预充电期间，另一个Bank却马上可以被读取，这样当进行一次读取后，又马上去读取已经预充电Bank的数据时，就无需等待而是可以直接读取了，这也就大大提高了存储器的访问速度。
• 优势：同步 动态 随机 较DRAM快
• 劣势：与普通的DRAM一样，耗电量较大

SRAM

• 简介：指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。
• 工作原理：6个晶体管 存储 一位。 不使用电容所以存取速度较快，但是成本也较高，因此一般都制作成对容量要求较低但是对速度要求较高的存储器。
• 优势：较高的性能，一般作为二级缓存（Cache）

Cache(缓存)： 在处理器内，执行程序时“暂时储存” 程序与资料的地方。它是硬盘内部存储和外界接口之间的缓冲器。

• 劣势：它的集成度较低，贵

辅存储器

辅存储器有很多，本小编只介绍一下FLASH 。 FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势）。FLASH主要有两大类：NOR Flash 和 NAND Flash。因为NOR Flash可以进行字节寻址，所以程序可以在NOR Flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的NOR Flash存储引导代码，用一个大容量的NAND Flash存放文件系统和内核。

FLASH

• NOR Flash：
  • 简介： NOR Flash数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但擦除仍要按块来擦。 NOR Flash 一旦损坏便无法再用。
  • 优势： 读取的速度较快， 随机寻址功能
  • 劣势： 写入的速度慢、 擦除按块来擦、 损坏无法再用
  • 读取的速度较快，但写入的速度慢、价格也比 NAND Flash 贵。
• NAND Flash ：
  • 简介：NAND Flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（NAND Flash按块来擦除，按页来读，NOR Flash没有页）NAND Flash的擦除次数是nor的数倍。而且NAND Flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。现在的 USB 硬盘和手机储存空间，就是用 NAND Flash 为主流技术。固态硬盘（Solid State Drive, SSD）也是以 NAND 型 Flash 为基础所建构的储存装置。
  • 优势：写入的速度快、价格较低、可以跳过坏块继续使用
  • 劣势：只能按页读取、

为什么板子存在flash 又存在 rom？
NAND Flash按扇区操作，EEPROM则按字节操作. 二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，NAND Flash的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。

存储容量

辅助存储器（Asistant memory）（GB）> 主存储器（Main Memory）（MB）> 快取存储器（Cache）（KB）> 暂存器（register）（B）。

工作速度

辅助存储器（1ms）< 主存储器（10ns）< 快取存储器（1ns）< 暂存器（1ns）

单位价格

辅助存储器 < 主存储器 < 快取存储器 < 暂存器

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