富士变频器显示Ou3怎么解决_变频器故障干扰怎么办?四招助你轻松解决!

变频器在工作中常引发干扰问题,如压力变送器乱跳、信号不稳定等。这些干扰源于变频器的谐波、射频传导和辐射。解决方法包括单点接地、使用双脚屏蔽线、加装滤波器和隔离器,以及对谐波进行抑制处理。确保控制器、仪表等使用隔离电源,必要时增加设备间的距离。掌握这些技巧,能有效应对变频器干扰。

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经常有学员会提问,工作日常中,变频器总是出现干扰,让人很是头疼,严重时还会导致控制系统无法投入使用,严重影响了工作效率和进度,那么对于这个问题,我们应该怎么解决比较好呢?别着急,跟着小达人,四招带你轻松解决!

一、变频器的干扰的常见现象

1)换热站变频器一开,压力变送器就乱跳;

2)用变频器控制供水当中,压变作为采集压力的信号,压变受变频器干扰;

3)当变频器启动电机时,压变信号不稳,跳动厉害;

4)压变(4-20mA)在变频器启动后乱跳,而附近的一体化热电阻(4- 20mA)却不受影响,信号线都没有屏蔽;

出现以上这些现象,都是受到了变频器影响所造成的!

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一、变频器的干扰的常见现象

首先,大家应该知道变频器是用来改变频率的。变频器包括整流电路和逆变电路,输入的交流电经过整流电路和平波回路,转换成直流电压,再通过逆变器把直流电压变换成不同宽度的脉冲电压(称为脉宽调制电压,PWM)。用这个PWM电压驱动电机,就可以起到调整电机力矩和速度的目的。

这种工作原理会导致以下三种电磁干扰:

1、谐波干扰整流电路会产生谐波电流,这种谐波电流在供电系统的阻抗上产生电压降,导致电压波型发生畸变,这种畸变的电压对于许多仪表形成干扰,常见的电压畸变是正弦波的顶部变平。谐波电流一定时,电压畸变在弱电源的情况下更加严重,这种干扰的特征是会对使用同一个电网的设备形成干扰,而与设备与变频器之间的距离无关。2、射频传导发射干扰由于负载电压为脉冲状,因此变频器从电网吸取电流也是脉冲状,这种脉冲电流中包含了大量的高频成分,形成射频干扰,这种干扰的特征是会对使用同一个电网的仪表形成干扰,而与仪表与变频器之间的距离无关。3、射频辐射干扰射频辐射干扰来自变频器的输入电缆和输出电缆。变频器的输入输出电缆上有射频干扰电流时,由于电缆相当于天线,必然会产生电磁波辐射,产生辐射干扰。变频器输出电缆上传输的PWM电压,同样包含丰富的高频的成分,会产生电磁波辐射,形成辐射干扰。辐射干扰的特征是,当其他电子设备靠近变频器时,干扰现象变得严重。

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三.如何解决干扰问题呢?

1)变频器要采用单点接地,最好是短而粗的线进行接地;


2)传感器的信号线,采用双脚屏蔽线,并将屏蔽层用电缆夹进行接地。


3)在传感器的电源上加装电源滤波器、滤波磁环,或者是隔离器等进行隔离。


4)对变频器产生的谐波进行抑制处理,可选的滤波产品有:变频器输入滤波器、变频器输出滤波器、变频器输入电抗器、变频器输出电抗器等。在输入电路内串入电抗器是抑制较低谐波电流的有效方法。

此外,为防止变频器干扰信号和控制回路,需要给控制器、仪表和工控机采用单独的隔离电源进行供电。如果是在现场那最简单的方法就是:将仪表远离变频器!但是也不能百分之百确定排除干扰嘻嘻,找到了方法还是需要一个个去试。

以上方法都记住了吗!!!

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汉字字库存储芯片扩展实验 # 汉字字库存储芯片扩展实验 ## 实验目的 1. 了解汉字字库的存储原理和结构 2. 掌握存储芯片扩展技术 3. 学习如何通过硬件扩展实现大容量汉字字库存储 ## 实验原理 ### 汉字字库存储基础 - 汉字通常采用点阵方式存储(如16×16、24×24、332点阵) - 每个汉字需要占用32字节(16×16)到128字节(332)不等的存储空间 - 国标GB2312-80包含6763个汉字,需要较大存储容量 ### 存储芯片扩展方法 1. **位扩展**:增加数据总线宽度 2. **字扩展**:增加存储单元数量 3. **混合扩展**:同时进行位扩展和字扩展 ## 实验设备 - 单片机开发板(如STC89C52) - 存储芯片(如27C256、29C040等) - 逻辑门电路芯片(如74HC138、74HC373等) - 示波器、万用表等测试设备 - 连接线若干 ## 实验步骤 ### 1. 单芯片汉字存储实验 1. 连接27C256 EPROM芯片到单片机系统 2. 将16×16点阵汉字字库写入芯片 3. 编写程序读取并显示汉字 ### 2. 存储芯片字扩展实验 1. 使用地址译码器(如74HC138)扩展多片27C256 2. 将完整GB2312字库分布到各芯片中 3. 编写程序实现跨芯片汉字读取 ### 3. 存储芯片位扩展实验 1. 连接两片27C256实现16位数据总线扩展 2. 优化字库存储结构,提高读取速度 3. 测试并比较扩展前后的性能差异 ## 实验代码示例(单片机部分) ```c #include <reg52.h> #include <intrins.h> // 定义存储芯片控制引脚 sbit CE = P2^7; // 片选 sbit OE = P2^6; // 输出使能 sbit
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