8443端口不能访问_双端口RAM和多体交叉存储器

在一个存取周期中，CPU在存取时间内将数据写入内存或将内存数据读出，而在恢复时间内，CPU必须等待。也就是说，对于同一个存储单元单核CPU不能实现连续读写，必须等待存储单元的恢复时间。

注：DRAM芯片的恢复时间比较长，有可能是存取时间的几倍(SRAM的恢复时间较短)

多核心CPU访问同一个存储单元时也必须等待存储单元的恢复时间。CPU的读写速度很快，主存的恢复时间就会影响CPU的访存效率。

为解决恢复时间带来的问题，提高CPU访问存储器的速度，分别提出了双端口RAM和多模块存储器技术，它们同属于并行技术，前者为空间并行，后者为时间并行！！

双端口RAM——优化多核CPU访问一根内存条的速度

双端口RAM是指同一个存储器有左、右两个独立的端口，分别具有两组相互独立的地址线、数据线和读写控制线，允许两个独立的控制器同时异步地访问存储单元。当两个端口的地址不同时，在两个端口上进行读写操作一定不会发生冲突。

由于有两组线，总线设计主板设计RAM中电路都会更复杂。

两个端口对同一个主存的操作有以下4种情况：