存储过程双层循环_三元二维层状过渡金属硫化物实现高效钾离子存储

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【研究背景】

二维过渡金属硫化物(TMDs),由于其具有类石墨烯层状结构,潜在的高比容量和原料元素存储量丰富等独特优势,已经在碱金属(Li,Na,K)可充电电池和超级电容器等研究领域得到了广泛关注。特别是,TMDs(例如MX2(M = V,Ti,Zr,Ta,Nb,Mo,W; X = S,Se,Te等))已经在锂/钠离子电池研究中得到了应用。相对于锂和钠,钾在地壳中的含量丰富(地壳中第七丰富的元素,2.09%)。同时,K+/K的氧化还原电位低于Na+/Na(−2.93V vs.−2.71 V)。因此,理论上说,电池采用钾作为负极可以实现较高的能量密度,较低的生产成本和较高的工作电压平台等。然而,与Li+离子或Na+离子相比,K+离子(离子半径为1.4Å)远大于Li+离子(0.76Å)或Na+离子(1.02Å)。因此,钾离子的存储过程中存在动力学较差等诸多问题。因此,在钾电池领域,只有少数的二元TMDs正极材料(例如TiS2,TiSe2)和负极材料(例如VSe2,ReS2,MoS2,VS2,MoSe2)被报道可以作为钾离子电池的电极材料。

与二元TMDs相比,具有不同金属阳离子的三元过渡金属硫化物(TEMDs)可以通过多个氧化还原对反应达到更高的比容量。而具有弱范德华相互作用的一类层状TEMDs材料通过简单的剥离技术能够较为轻易的剥离成具有扩展层间距结构的超薄层状材料,进而应用于钾离子电池,实现高效的K+离子储存。三元Ta2NiSe5(表示为TNS)是典型的三元层状化合物,其通过弱的范德华相互作用松散地堆叠,具有窄的直接带隙性质和准一维Ta和Ni链。其可以制备成少层层状材料用于K

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