多空位缺陷和硼氮杂质对锯齿型石墨烯纳米带电子结构-中南大学学报
第 43 卷第 11 期 中南大学学报(自然科学版) Vol.43 No.11
2012 年 11 月 Journal of Central South University (Science and Technology) Nov. 2012
多空位缺陷和硼氮杂质对锯齿型石墨烯纳米带
电子结构的影响
1 2 1,3 1 1
肖建田 ,胡大胜 ,陈灵娜 ,吴取劲 ,李丽华
(1. 南华大学 计算机科学与技术学院,湖南 衡阳,421001;
2. 长沙师范学校,湖南 长沙,410100;
3. 中南大学 信息科学与工程学院,湖南 长沙,410083)
摘要:利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究多空位缺陷和掺杂对对称性锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)
的电子结构的影响。研究结果表明,具有相同位置的多空位缺陷或氮掺杂的对称性 ZGNR 显示了半金属特性,
而硼掺杂的对称性 ZGNR显示了半导体性质。 石墨烯纳米带的锯齿形边缘上和空位缺陷处都存在自旋极化的电子
态,并且边缘上电子自旋呈反铁磁性排列。具有多空位缺陷的ZGNR磁矩依赖于带宽、空位缺陷的构型以及空位
缺陷与边缘的距离,从而磁矩随着带宽的增加呈现震荡效应。这种特殊的缺陷和掺杂效应可用来设计新颖的自旋
电子器件。
关键词:锯齿型石墨烯纳米带;缺陷;掺杂;电子结构
中图分类号:O469 文献标志码:A 文章编号:1672−7207(2012)11−4361−06
Effect of defect andboron/nitrogendoping on electronic properties
of zigzag graphene nanoribbons
1 2 1,3 1 1
XIAO Jiantian , HA Dasheng , CHEN Lingna , WU Qujin , LI Lihua
(1.School of Computer Science and Technology, University of South China, Hengyang 421001,China;
2. Changsha Normal College, Changsha 410100, China;
3. School of Information Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, China)
Abstract: Using firstprinciples based on density functional theory, the effect of multivacancies defect and
boron/nitrogen doping on the eletronic properties of zigzag graphene nanoribbons (ZGNRs) was studied. The results