SSD内部原理

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1 晶体管概述

    Flash的存储单元是一种被称之为“浮栅”的MOS晶体管，它与常见的MOSFET区别如下：       

                        

      当Vcg加一个大电压，衬底Vsub为0V，Source和Drain也全部为0V时，衬底上的电子将在电场的作用下流向Floating Gate并存储起来，而擦除的时候，Vcg为0V，Source和Drain全部悬空（Float）,Vsub为20V，因此存储在Floating Gate的电子将在反向电场作用下流回衬底，由于Nand Flash中一个Block中的晶体管都是共用一个衬底，因此擦除是按照整个Block为单位的。

                        

     当Floating Gate中存储了电子时，晶体管处于“OFF”状态，独处的数据为0，当擦除后，晶体管处于“ON”状态，代表的数据为1，因此向Nand Flash编程（写）的时候只能写0，无法写1，索引Nand Flash在写之前必须先执行擦除操作。

          

     晶体管在Nand Flash中的排列如下：

                        

读操作

选择的WL（word line）:将WL电压设置为Btarget

未选择的WL：电压设置的刚好使晶体管导通。

然后可以并行的测量BL(bit line)的电流就可以知道0或1.

 

              

 

写操作

选择的WL：将电压设置为Vpgm

未选择的WL：将电压设置为Vpass（电压比Vpgm大，但是不会触发tunnelling效应）

            

擦除操作

一个Block中的所有WL都设置为0V

GSL/SSL:都悬空

衬底：电压设置为Vera

                    

     擦除的方法新旧所有不同。

                

Nand 和 Nor的区别

     Nand Flash和Nor Flash使用的都是同一种晶体管，不同之处在于他们的链接方式不同，如下图所示，Nand Flash中一个bit line上的所有存储单元都是串联的，同门共用一个SL(source line)接地，而Nor Flash中一个bit line上的存储单元都是并联的，每个存储单元都有自己独立的SL，因此可以单独读取操作。Nand Flash内部只能支持page读取，Nor支持按字节随机读取（这里我还没找到最彻底的原因）。

                           

 

                         

 

                       

STM32实现SSD/eMMC

      由于Nand Flash本身接口较为复杂，同时还要负责磨损均衡、坏块管理、ECC校验等，为了便于外部应用使用，诞生出了eMMC Flash，说白了，就是在一个芯片内集成一个控制器和一个Nand Flash，这个控制器负责完成所有的磨损均衡、坏块管理、ECC校验等工作，但从原理看，SSD的原理也类似，只是SSD里面的Nand Flash更多，性能、接口（PCIe、SATA等）和算法更为复杂，为了理解，这里以STM32F7系列为控制器，实现一个简单的SSD/eMMC，暂时不考虑对外的接口，但FTL(Flash Transaction Layer)和逻辑快（LGB）到物理块的转换等基本相同。

      NAND FLASH 的概念是由东芝公司在 1989 年率先提出，它内部采用非线性宏单元模式， 为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND FLASH 存储器具有容量较大， 改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，在业界得到了广泛应用，如:SD 卡、TF 卡、U 盘等，一般都是采用 NAND FLASH 作为存储的。关于 NAND FLASH 的基础知识，请大家自 行百度学习。接下来，我们介绍 NAND FLASH 的一些重要知识。

(1) NAND FLASH 信号线
    NAND FLASH 的信号线如表 46.1.1.1 所示:

                     

因为 NAND FLASH 地址/数据是共用数据线的，所以必须有 CLE/ALE 信号，告诉 NAND FLASH，发送的数据是命令还是地址。

(2)存储单元

      NAND FLASH 存储单元介绍，我们以阿波罗 STM32F767 开发板所使用的 MT29F4G08(x8， 8 位数据)为例进行介绍，MT29F4G08 的存储单元组织结构如图 46.1.1.1 所示:

                        

      由图可知:MT29F4G08 由 2 个 plane 组成，每个 plane 有 2048 个 block，每个 block 由 64个 page 组成，每个 page 有 2K+64 字节(2112 字节)的存储容量。所以，MT29F4G08 的总容 量为:2*2048*64*(2K+64)= 553648128 字节(512MB)。其中，plane、block、page 等的个数 根据 NAND FLASH 型号的不同，会有所区别，大家注意查看对应 NAND FLASH 芯片的数据手册。

      NAND FLASH 的最小擦除单位是 block，对 MT29F4G08 来说，是(128+4)K 字节，NAND FLASH 的写操作具有只可以写 0，不能写 1 的特性，所以，在写数据的时候，必须先擦除 block (擦除后，block 数据全部为 1)，才可以写入。

      NAND FLASH 的 page 由 2 部分组成:数据存储区(data area)和备用区域(spare area)， 对 MT29F4G08 来说，数据存储区大小为 2K 字节，备用区域大小为 64 字节。我们存储的有效 数据，一般都是存储在数据存储区(data area)。备用区域(spare area)，一般用来存放 ECC(Error Checking and Correcting)校验值，在本章中，我们将利用这个区域，来实现 NAND FLASH 坏 块管理和磨损均衡。

      NAND FLASH 的地址分为三类:块地址(Block Address)、页地址(Page Address)和列地 址(Column Address)。以 MT29F4G08 为例，这三个地址，通过 5 个周期发送，如表 46.1.1.2 所示:

                        

     表中，CA0~CA11 为列地址(Column Address)，用于在一个 Page 内部寻址，MT29F4G08的一个 Page 大小为 2112 字节，需要 12 个地址线寻址;PA0~PA5 为页地址(Page Address)，用 于在一个 Block 内部寻址，MT29F4G08 一个 Block 大小为 64 个 Page，需要 6 个地址线寻址; BA6~BA17 为块地址(Block Address)，用于块寻址，MT29F4G08 总共有 4096 个 Block，需要 12 根地址线寻址。

     整个寻址过程，分 5 次发送(5 个周期)，首先发送列地址，在发送页地址和块地址。这里提醒一下：块地址和页地址，其实是可以写在一起的，由一个参数传递即可，所以表中的 BA并不是由 BA0 开始的，大家可以理解为这个地址（ PA+BA）为整个 NAND FLASH 的 Page 地址。在完成寻址以后，数据线 I/O0~ I/O7 来传输数据了。
（ 3）控制命令
      NAND FLASH 的驱动需要用到一系列命令，这里我们列出常用的一些命令，给大家做一个简单介绍，方便大家了解 NAND FLASH 的操作，如表 46.1.1.3 所示：

            

      表 46.1.1.3 中，我们需要注意两点： 1，有的指令一个周期完成传送，有的指令需要分两次传送（ 2 个周期）； 2，指令名称，不同厂家的数据手册里面，标注可能不一样，但是其指令值（ HEX 值）一般都是一样的。
     上表中，前四条命令相对比较简单，这里我们主要介绍后面五条指令。
1， READ PAGE
     该指令用于读取 NAND 的一个 Page（包括 spare 区数据，但不能跨页读），该指令时序如图 46.1.1.2 所示：

      由图可知， READ PAGE 的命令分两次发送，首先发送 00H 命令，然后发送 5 次地址（ Block&Page&Column 地址），指定读取的地址，随后发送 30H 命令，在等待 RDY 后，即可读取 PAGE 里面的数据。注意：不能跨页读，所以最多一次读取一个 PAGE 的数据（包括 spare
区）。

2， WRITE PAGE
      该指令用于写一个Page 的数据（包括 spare区数据，但不能跨页写），该指令时序如图 46.1.1.3所示：            

      由图可知， WRITE PAGE 的命令分两次发送，首先发送 80H 命令，然后发送 5 次地址（ Block&Page&Column 地址），指定写入的地址，在地址写入完成后，等待 tADL 时间后，开始发送需要写入的数据，在数据发送完毕后，发送 10H 命令，最后发送 READ STATUS 命令，查询 NAND FLASH 状态，等待状态为 READY 后，完成一次 PAGE 写入操作。
3， ERASE BLOCK
      该指令用于擦除 NAND 的一个 Block（ NAND 的最小擦除单位），该指令时序如图 46.1.1.4所示：

                

      由图可知， ERASE BLOCK 的命令分两次发送，首先发送 60H 命令，然后发送 3 次地址（ BLOCK 地址），指定要擦除的 BLOCK 地址，随后发送 D0H 命令，在等待 RDY 成功后，完成一个 BLOCK 的擦除。
4， READ FOR INTERNAL DATA MOVE
      该指令用于在 NAND 内部进行数据移动时（页对页），指定需要读取的 PAGE 地址，如有必要，可以读取出 PAGE 里面的数据。该指令时序如图 46.1.1.5 所示：

                

      由图可知， READ FOR INTERNAL DATA MOVE 的命令分两次发送，首先发送 00H 命令，然后发送 5 次地址（ Block&Page&Column 地址），指定读取的地址，随后发送 35H 命令，在等待 RDY 后，可以读取对应 PAGE 里面的数据。在内部数据移动过程中，我们仅用该指令指定
需要拷贝的 PAGE 地址（源地址），并不需要读取其数据，所以最后的 Dout 过程，一般都可以省略。
5， PROGRAM FOR INTERNAL DATA MOVE
      该指令用于在 NAND 内部进行数据移动时（页对页），指定需要写入的 PAGE 地址（目标地址），如有必要，在拷贝过程中，可以写入新的数据，该指令时序如图 46.1.1.6 所示：

                

      如图 46.1.1.6 所示，该指令，首先发送 85H 命令，然后发送 5 次地址（ Block&Page&Column地址），指定写入的页地址（目标地址），源地址则由 READ FOR INTERNAL DATA MOVE 指令指定。接下来分两种情况： 1，要写入新的数据（覆盖源 PAGE 的内容）； 2，无需写入新的
数据；
      对于第 1 种情况，在等待 tWHR（或 tADL）之后，开始写入新的数据，数据在页内的起始地址，由 C1&C2 指定，写入完成后，发送 10H 命令，开始进行页拷贝，在等待 RDY 后，完成一次页对页的数据拷贝（带新数据写入）。
      对于第 2 种情况，在发送完 5 次地址后，无需发送新数据，直接发送 10H 命令，开始进行页拷贝，在等待 RDY 后，完成一次页对页的数据拷贝（不带数据写入）。
       注意：页对页拷贝，仅支持同一个 plane 里面互相拷贝（源地址和目标地址，必须在同一个 plane 里面），如果不是同一个 plane 里面的页，则不可以执行页对页拷贝。
       NAND FLASH 其他命令的介绍，请大家参考 MT29F4G08 的数据手册。
（ 4） ECC 校验
      ECC，英文全称为： Error checking and Correction，是一种对传输数据的错误检测和修正的算法。 NAND FLASH 存储单元是串行组织的， 当读取一个单元的时候，读出放大器所检测到信号强度会被这种串行存储结构削弱，这就降低了所读信号的准确性，导致读数出错（一般只
有 1 个 bit 出错）。ECC 就可以检测这种错误，并修正错误的数据位，因此，ECC 在 NAND FLASH驱动里面，被广泛使用。
      ECC 有三种常用的算法： 汉明码(Hamming Code)、 RS 码(Reed Solomon Code)和 BCH 码。STM32 的 FMC 模块就支持硬件 ECC 计算，使用的就是汉明码，接下来，我们就给大家简单介绍一下汉明码的编码和使用。
1，汉明码编码
      汉明码的编码计算比较简单， 通过计算块上数据包得到 2 个 ECC 值（ ECCo 和 ECCe）。为计算 ECC 值，数据包中的比特数据要先进行分割，如 1/2 组、 1/4 组、 1/8 组等，直到其精度达到单个比特为止。我们以 8 bit 即 1 字节的数据包为例进行说明，如表 46.1.1.4 所示:          

    

      8 位数据可以按： 1/2、 1/4 和 1/8 进行分割（ 1/8 分割时，达到单个比特精度）。简单说一下上表的看法，以 1/2 分割偶校验为例， 1/2 分割时，每 4 个 bit 组成一个新 bit，新的 bit0 等于原来的 bit0~3，新的 bit1 等于原来的 bit4~7，而我们只要偶数位的数据，也就是新 bit0 的数据，实际上就是原来的 bit0~3 的数据，这样就获取了 1/2 偶校验的数据。其他分割以此类推。

     表 46.1.1.3 中，数据包上方的三行数据经计算后，得到偶校验值（ ECCe），数据包下方的三行数据经计算后，得到奇校验值（ ECCo）。 1/2 校验值经“异或”操作构成 ECC 校验的最高有效位， 1/4 校验值构成 ECC 校验的次高有效位，最低有效位由具体到比特的校验值填补。 ECC
校验值（ ECCo 和 ECCe）的计算过程，如图 46.1.1.7 所示：

                             

      即偶校验值 ECCe 为“ 101”，奇校验值 ECCo 为“ 010”。图 1 所示为只有 1 字节数据的数据包，更大的数据包需要更多的 ECC 值。事实上，每 n bit 的 ECC 数值可满足 2^n bit 数据包的校验要求。不过，汉明码算法要求一对 ECC 数据（奇+偶），所以总共要求 2n bit 的 ECC 校验数据来处理 2^n bit 的数据包。
      得到 ECC 值后，我们需要将原数据包和 ECC 数值都写入 NAND 里面。当原数据包从 NAND中读取时， ECC 值将重新计算，如果新计算的 ECC 不同于先前编入 NAND 器件的 ECC，那么表明数据在读写过程中发生了错误。例如，原始数据 01010001 中有 1 个单一的比特出现错误，
出错后的数据是 01010101。此时，重新计算 ECC 的过程如图 46.1.1.8 所示：

                             

       可以看到，此时的 nECCo 和 nECCe 都为 000。 此时，我们把所有 4 个 ECC 数值进行按位“异或”， 就可以判断是否出现了 1 个单一比特的错误或者是多比特的错误。如果计算结果为全“ 0”，说明数据在读写过程中未发生变化。如果计算的结果为全“ 1”，表明发生了 1 bit 错误，
其他情况，则说明有至少 2bit 数据出现了错误。不过，汉明码编码算法只能够保证更正单一比特的错误， 如果两个或是更多的比特出错， 汉明码就无能为力了（可以检测出错误，但无法修正）。 不过， 一般情况 SLC NAND 器件（ STM32 仅支持 SLC NAND）出现 2bit 及以上的错误
非常罕见，所以，我们使用的汉明码基本上够用。
      对 4 个 ECC 进行异或的计算方法如下：

                              ECCe^ECCo^nECCe^nECCo=101^010^000^000=111

      这样，经过上式计算， 4 个 ECC 的“异或”结果为全 1，表示有 1 个 bit 出错了。 对于这种1 bit 错误的情况，出错的地址可通过将原有 ECCo 值和新 ECCo 值（ nECCo）进行按位“异或”来得到，计算方法如下：
                                       ECCo^nECCo=010^000=010
      计算结果为 010（ 2）， 表明原数据第 2 bit 位出现了问题。然后，对出错后的数据的 bit2 进行取反（该位与 1“异或”即可），就可以得到正确的数据： 01010101^00000100=01010001。
      一个 8 位数据，需要 6 位 ECC 码，看起来效率不高，但是随着数据的增多，汉明码编码效率将会越来越高。比如，我们一般以 512 字节为单位来计算 ECC 值，只需要 24bit 的 ECC 码即可表示（ 2^12=4096bit=512 字节， 12*2=24bit）。汉明码编码算法的原理，我们就给大家介绍到这里。
2， STM32 硬件 ECC
      STM32 的 FMC 支持 NAND FLASH 硬件 ECC 计算，采用的就是汉明码计算方法。可以实现 1bit 错误的修正和 2bit 以上错误的检测，支持页大小按 256、 512、 1024、 2048、 4096 和 8192字节为单位进行 ECC 计算。
      当 FMC 的硬件 ECC 功能开启后， FMC 模块根据用户设置的参数（计算页大小、数据位宽等）对 NAND FLASH 数据线上传递的（读/写）数据进行 ECC 计算，数据传输结束后， ECC计算结果自动存放在 FMC_ECCR 寄存器中。不过 STM32 的硬件 ECC 只负责计算 ECC 值， 并
不对数据进行修复。错误检测和数据修复，需要用户自己实现。另外， STM32 的硬件 ECC 支持存储区域 3， 其他存储区域不支持！！
      STM32 硬件 ECC 计算结果读取过程（以 512 字节页大小为例）：
      1， 设置 FMC_PCR 的 ECCEN 位为 1，使能 ECC 计算
      2， 写入/读取 512 字节数据
      3， 等待 FMC_SR 的 FEMPT 位为 1（等待 FIFO 空）
      4， 读取 FMC_ECCR，得到 ECC 值
      5， 设置 FMC_PCR 的 ECCEN 位为 0，关闭 ECC，以便下一次重新计算
     重复以上步骤，就可以在不同时刻进行读/写数据的 ECC 计算。在实际使用的时候，我们在写入/读取数据时，都要开启 STM32 的硬件 ECC 计算。写入的时候，将 STM32 硬件 ECC 计算出来的 ECC 值写入 NAND FLASH 数据所存 Page 的 spare 区。在读取数据的时候， STM32
硬件 ECC 会重新计算一个 ECC 值（ ecccl），而从 spare 区对应位置，又可以读取之前写入的 ECC值（ eccrd），当这两个 ECC 值不相等的时候，说明读数有问题，需要进行 ECC 校验， ECC 检查和修正代码如下

//获取 ECC 的奇数位/偶数位
//oe:0,偶数位
// 1,奇数位
//eccval:输入的 ecc 值
//返回值:计算