目前NAND颗粒已从2D时代进化到3D时代，存储单元技术也从传统的浮栅FG（Floating Gate）进化到了电荷捕获CT（Charge Trap），这两种技术有很多相似之处，本文将简要描述他们的区别和联系。
| FG | CT | |
| 存储材料 | 导体 | 绝缘材料 |
| 电子 | 可自由移动 | 很难移动 |
| 隧道氧化层 | 敏感 | 不敏感 |
| 单元干扰 | 较严重 | 较弱 |
| 编程电压 | 较高 | 较低 |
| 读写方式 | 相同 | |
| 擦除方式 | F-N隧道效应 | 热注入空穴 |
| 电荷存储区 | 不共享 | 共享 |
| 数据保持 | 较好 | 较差(电子侧向移动) |
NAND知识一：浮栅FG（Floating Gate）和电荷捕获CT（Charge Trap）的区别
于 2024-08-04 11:34:40 首次发布
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