目前NAND颗粒已从2D时代进化到3D时代,存储单元技术也从传统的浮栅FG(Floating Gate)进化到了电荷捕获CT(Charge Trap),这两种技术有很多相似之处,本文将简要描述他们的区别和联系。
FG | CT | |
存储材料 | 导体 | 绝缘材料 |
电子 | 可自由移动 | 很难移动 |
隧道氧化层 | 敏感 | 不敏感 |
单元干扰 | 较严重 | 较弱 |
编程电压 | 较高 | 较低 |
读写方式 | 相同 | |
擦除方式 | F-N隧道效应 | 热注入空穴 |
电荷存储区 | 不共享 | 共享 |
数据保持 | 较好 | 较差(电子侧向移动) |
目前NAND颗粒已从2D时代进化到3D时代,存储单元技术也从传统的浮栅FG(Floating Gate)进化到了电荷捕获CT(Charge Trap),这两种技术有很多相似之处,本文将简要描述他们的区别和联系。
FG | CT | |
存储材料 | 导体 | 绝缘材料 |
电子 | 可自由移动 | 很难移动 |
隧道氧化层 | 敏感 | 不敏感 |
单元干扰 | 较严重 | 较弱 |
编程电压 | 较高 | 较低 |
读写方式 | 相同 | |
擦除方式 | F-N隧道效应 | 热注入空穴 |
电荷存储区 | 不共享 | 共享 |
数据保持 | 较好 | 较差(电子侧向移动) |