ARDUINO入门按键通信试验

1.1按键实验

1.需要学习的知识:

1) Arduino 的输入口配置方法,配置函数的用法

通过pinMode()函数,可以将ADUINO的引脚配置(INPUT)输入模式

2) 搞懂什么是抖动

机械抖动: 按键按下时,电平的变化并不是马上到位,而是会有一个不稳定的状态过程,再进入电平稳定状态。

3)软件和硬件消抖的原理

硬件消抖是通过采用外加零件来消除干扰抖动杂脉冲波,通常采用电容滤波、单稳延时电路等等。
软件消抖是通过采用软件程序的方法来达到消除干扰抖动杂脉冲波,最常见的是软件采用延时再次检测的方法来消抖。
补充:
按键按下时的瞬间,它的两片触片不是“理想”地立即接触的,特别是按键开关用了一段时间后,触片有些氧化和老化,这一点,如果用示波器来观察,就能观察到按键接触时的脉冲变化中附带有许多抖动波。
另,无论采用硬件还是软件方法,消除抖动波只是它主要的功能,它还起到消除干扰的作用。

4)搞懂什么是上升沿、下降沿,同时学习一款 timegen 的软件来绘制高低电平图

数字电路中,数字电平从低电平(数字“0”)变为高电平(数字“1”)的那一瞬间(时刻)叫作上升沿。反之,叫做下降沿。

5) 搞懂 arduino 的逻辑 1 是多少电压,逻辑 0 是多少电压

1 2V-5V  0 0V -0.8V

6) 搞懂读取多个按键(矩阵键盘)的方法及原理

 

没有按键按下时,X0~X3是低电平,Y0~Y3是高电平。

 

某一个按键按下,其所在的行是高电平,列是低电平。

 

1、判断有无键被按下

 

方法是:将全部行线X0~X3置低电平,然后检测列线的状态。只要有一列的电平为低,则表示键盘中有键被按下,而且闭合的键位于低电平线与4根行线相交叉的4个按键之中。若所有列线均为高电平,则键盘中无键按下。

 

2、确定哪个键按下

 

方法是:在确认有键按下后,依次将行线置为低电平,即在置某根行线为低电平时,其他线为高电平(其实就是屏蔽其他行的按键状态,只有当前检测行的按键状态有效);在确定某根行线位置为低电平后,再逐行检测各列线的电平状态,若某列为低(说明当前检测行有按键按下),则该列线与置为低电平的行线交叉处的按钮就是闭合的按键。

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来源:CSDN

原文:https://blog.csdn.net/nanfeibuyi/article/details/80469909

2.考核指标:

 

要求1:现场展示,按键A、按键B、按键C、按键D按下,通过串口向串口调试器发送对应的信息,具体如下表。 按键名

对应发送内容

按键A

Hello world!

按键B

你好!

按键C

0x30 0x31

按键D

Hello@talent.cn

 

 

 

程序源码:

 

String A;

String B;

String C;

String D;

void setup() {

  pinMode(5, INPUT);

  pinMode(6, INPUT);

  pinMode(7, INPUT);

  pinMode(8, INPUT);

  Serial.begin(9600);

  }

 

void loop() {

 A = "Hello world!";

 B = "你好!";

 C = "01";

 D ="Hello@talent.cn";

  if (!digitalRead(5)) {

    delay(200);

    Serial.print(String(A));

  }

  if (!digitalRead(6)) {

    delay(200);

    Serial.print(String(B));

  }

  if (!digitalRead(7)) {

    delay(200);

    Serial.print(String(C));

  }

  if (!digitalRead(8)) {

    delay(200);

    Serial.print(String(D));

  }

 

转载于:https://www.cnblogs.com/AirJordanXX8/p/10088708.html

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基于LSTM的财务因子预测选股模型LSTM (Long Short-Term Memory) 是一种特殊的循环神经网络(RNN)架构,用于处理具有长期依赖关系的序列数据。传统的RNN在处理长序列时往往会遇到梯度消失或梯度爆炸的问题,导致无法有效地捕捉长期依赖。LSTM通过引入门控机制(Gating Mechanism)和记忆单元(Memory Cell)来克服这些问题。 以下是LSTM的基本结构和主要组件: 记忆单元(Memory Cell):记忆单元是LSTM的核心,用于存储长期信息。它像一个传送带一样,在整个链上运行,只有一些小的线性交互。信息很容易地在其上保持不变。 输入门(Input Gate):输入门决定了哪些新的信息会被加入到记忆单元中。它由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 遗忘门(Forget Gate):遗忘门决定了哪些信息会从记忆单元中被丢弃或遗忘。它也由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 输出门(Output Gate):输出门决定了哪些信息会从记忆单元中输出到当前时刻的隐藏状态中。同样地,它也由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 LSTM的计算过程可以大致描述为: 通过遗忘门决定从记忆单元中丢弃哪些信息。 通过输入门决定哪些新的信息会被加入到记忆单元中。 更新记忆单元的状态。 通过输出门决定哪些信息会从记忆单元中输出到当前时刻的隐藏状态中。 由于LSTM能够有效地处理长期依赖关系,它在许多序列建模任务中都取得了很好的效果,如语音识别、文本生成、机器翻译、时序预测等。

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