第十三课：电容

1.反相器延迟：由于电路引入的一种特殊元件导致---电容的存在

   半导体产业的一大部分以及后续课程和设计都致力于如何减小延迟

2.MOS管中的电容

  栅极加正电压时， 氧化物层两侧聚集电荷，一方面形成导电沟道，一方面形成了电容

  模型：在栅源间加电容 C_GS

3.电容

   集总规定：任意时刻元件内部dq/dt为零

   但如果把电容两个极板包块在元件边界内，任意时刻净电荷都为零，因此它是满足LMD的

   q = CV ,微分得到 I= CdV/dt  (不考虑时变电容)

   E= 1/2 CV²

   电容可以储存电荷

4. RC电路：节点分析法得到: RC (dV_c/dt) + V_c = V_I, RC 称作时间常数

   再加初始电压 Vc(0)

  解微分方程： 齐次解加特殊解

  步骤：1. 特解：任意一个满足方程的解都是特殊解。 Vcp = Vi 就是特殊解

          2. 齐次解： 试验Ae^st，得到RCs+1 = 0,所以 Vch = A e^-t/RC

          3. 求常数：两解相加并带入初始条件

   所以 Vc= V_I + （V₀- V_I） e^-t/RC

 

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