课上第六章测试（补）

最新推荐文章于 2024-01-29 20:43:23 发布

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课堂测试

下面代码中，对数组x填充后，采用直接映射高速缓存，所有对x和y引用的命中率为（）

A   .   1
B   .   1/4
C   .   1/2
D   .   3/4


正确答案：D
我的答案：C

解析：在填充了之后，对于x和y数组，只有在引用第0个和第4个元素的时候发生不命中。因而命中率为75%（即(8-2)/8）

有关高速缓存的说法正确的是（）

A   .   
高速缓存的容量可以用C=S*E*B    来计算
B   .   
高速缓存容量为2048，高速缓存结构为（   32   ，8，8，32）
C   .   
直接映射高速缓存要：组选择、行匹配、字抽取

D   .   
当程序访问大小为2的幂的数组时，直接映射高带缓存中常发生冲突不命中

正确答案：A C D
我的答案：A C D
解析：冲突不命中：假如发生了不命中之后，数据是会被缓存在第k层的，硬件通常将第k+1层中某个块限制在第k层中的某个子集中(采用映射)。因此，空缓存的不命中属于强制不命中

The following table gives the parameters for a number of different caches. For
each cache, determine the number of cache sets (S), tag bits (t), set index bits (s),
and block offset bits (b)

A   .   
第三行S为1
B   .   
第一行t为24
C   .   
第二行b为5
D   .   
第三行s的值为0

正确答案：A C D
我的答案：A C D

有关缓存的说法，正确的是（）

A   .   
LRU策略指的是替换策略的缓存会选择最后被访问时间距现在最远的块
B   .   
不同层之间以字节为传送单元来回复制
C   .   
缓存不命时，决定哪个块是牺牲块由替换策略来控制
D   .   
空缓存的不命中叫冲突不命中

正确答案： A C 
我的答案：A C

下面说法正确的是（）

A   .   
存储层次结构中最小的缓存是寄存器        
B   .   
存储层次结构的中心思想是每一层都缓存来自较低一层的数据对象
C   .   
L4主存可以看作是L5：本地磁盘的缓存
D   .   
L4主存可以看作是L6的缓存
正确答案： A B C  
我的答案： A B C

下面代码的步长是（）

A   .   
1
B   .   
N
C   .   
N*N
D   .   
N*N*N
正确答案： C 
我的答案： D
解析：步长值就是循环体中计数器每次的增量值，计数器每次的增量为N*N。

下面代码中（）局部性最差

1 #define N 1000
2 3
typedef struct {
4 int vel[3];
5 int acc[3];
6 } point;
7 8
point p[N]; 


A   .   
1 void clear1(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (j = 0; j < 3; j++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 } 
B   .   
1 void clear2(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++) {
7 p[i].vel[j] = 0;
8 p[i].acc[j] = 0;
9 }
10 }
11 } 
C   .   
1 void clear3(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (j = 0; j < 3; j++) {
6 for (i = 0; i < n; i++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (i = 0; i < n; i++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 } 
D   .   
不确定
正确答案： C  
我的答案： C

程序中（）语句具有良好的局部性

A   .   
顺序
B   .   
分支
C   .   
循环
D   .   
以上都是

正确答案： C 
我的答案：C

下面代码，（）具有差的空间局部性。

A   .   
1 int sumvec(int v[N])
2 {
3 int i, sum = 0;
4 
5 for (i = 0; i < N; i++)
6 sum += v[i];
7 return sum;
8 } 
B   .   
1 int sumarrayrows(int a[M][N])
2 {
3 int i, j, sum = 0;
4 5
for (i = 0; i < M; i++)
6 for (j = 0; j < N; j++)
7 sum += a[i][j];
8 return sum;
9 } 
C   .   
1 int sumarraycols(int a[M][N])
2 {
3 int i, j, sum = 0;
4 5
for (j = 0; j < N; j++)
6 for (i = 0; i < M; i++)
7 sum += a[i][j];
8 return sum;
9 } 
D   .   
以上都不对
正确答案： C
我的答案： C

有关局部性原理，说法正确的是（）

A   .   
程序访问一个向量，步长越小或短，空间局部性越好
B   .   
局部性有两种形式：空间局部性，时间局部性
C   .   
程序访问一个向量，步长越大空间局部性越好。
D   .   
硬件、OS，应用程序都会用到局部性原理

正确答案： A B D 
我的答案： A B D

下面说法正确的是（）

A   .   
CPU通过内存映射I/O向I/O设备发命令
B   .   
DMA传送不需要CPU的干涉
C   .   
SSD是一种基于闪存或Flash的存储技术
D   .   
逻辑磁盘块的逻辑块号可以翻译成一个（盘面，磁道，扇区 ）三元组。

正确答案： A B C D  
我的答案：A C D
解析：DMA传送高速数据时，会由DMA控制器发送一个停止信号给CPU，请求获取对地址总线、数据总线以及其他控制总线的控制权，获取后，进行有关数据的传送，在此期间，CPU基本处于不工作状态，直到数据传送完毕，DMA控制器再度通知CPU，并把总线控制权交还给CPU。

下面（）是I/O总线

A   .   
USB
B   .   
PCI
C   .   
网卡
D   .   
图形卡
正确答案： B  
我的答案： B

图中磁盘一个扇区的访问时间约为（）ms

A   .   
10
B   .   
5
C   .   
6
D   .   
8
E   .   
12
正确答案： A  
我的答案： A

有关磁盘操作，说法正确的是（）

A   .   
对磁盘扇区的访问时间包括三个部分中，传送时间最小。
B   .   
磁盘以字节为单位读写数据
C   .   
磁盘以扇区为单位读写数据
D   .   
读写头总处于同一柱面
正确答案： A C  
我的答案： A C

计算下面磁盘的容量（）：4个盘片，100000个柱面，每条磁道400个扇区，每个扇区512个字节

A   .   
81.92GB
B   .   
40.96GB
C   .   
163.84
D   .   
327.68GB
正确答案： C 
我的答案： C
解析：磁盘容量 = 字节数/扇区 X 平均磁盘数/磁道 X 磁道数/表面 X 表面数/盘片 X 盘片数/磁盘

有关磁盘，说法正确的是（）

A   .   
磁盘的读取时间为毫秒级
B   .   
每张磁盘有一个表面
C   .   
表面由磁道组成
D   .   
每个扇区的面积不同，包含的数据位的数量也不一样
正确答案： A C 
我的答案：A C D
解析:每个扇区的容量为600个字节，其中512个字节存放数据，其余的用于存放控制信息。每个扇区的面积是一样的

根据携带信号不同，总线可分为（）

A   .   
系统总线
B   .   
数据总线
C   .   
内存总线
D   .   
地址总线
E   .   
控制总线
正确答案： B D E
我的答案： B D E
解析：用来传输数据的总线线路可以分为三个类型：数据线、地址线和控制线。其中控制信号一般包括：同步时序信号或应答信号、数据传送控制信号（如地址有效、读写控制、M/IO选择）、中断请求及响应信号、DMA请求及响应信号等。

关于非易失性存储器，下面说法正确的是（）

A   .   
DRAM是非易失性存储器
B   .   
SRAM是非易失性存储器
C   .   
PROM只能编程一次
D   .   
EEPROM可以用紫外线进行擦除
E   .   
存在ROM中的程序通常被称为固件
正确答案： C E
我的答案：C D E
疑问：在这里D选项教材中的说法是紫外线从窗框照射进来时，EEPROM内容会变为0

通过使用两个时钟沿作为控制信号，对DRAM进行增强的
是（）

A   .   
FPM DAM
B   .   
SDRAM
C   .   
DDR SDRAM
D   .   
VRAM
E   .   
EDO DRAM
正确答案： C 
我的答案： C

有关RAM的说法，正确的是（）

A   .   
SRAM和DRAM掉电后均无法保存里面的内容。
B   .   
DRAM将一个bit存在一个双稳态的存储单元中
C   .   
一般来说，SRAM比DRAM快
D   .   
SRAM常用来作高速缓存
E   .   
DRAM将每一个bit存储为对一个电容充电
F   .   
SRAM需要不断刷新
G   .   
DRAM被组织为二维数组而不是线性数组
正确答案： A D E G 
我的答案： A C D E G 
疑问：这里在教材中有这句话，网上查到的也是静态存储器（SRAM）：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。
动态存储器（DRAM）：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。

有关计算机存储系统，下面说法正确的是（）

A   .   
程序具有良好的局部性表现在倾向于从存储器层次结构中的较低层次处访问数据，这样节省时间
B   .   
存储层次涉用不同容量，成本，访问时间的存储设备
C   .   
存储层次设计基于局部性原理
D   .   
“存储山”是时间局部性和空间局部性的函数
正确答案： B C D 
我的答案： B C D