三星在3D NAND闪存上量产时间最早，产能也是最高的，领先其他公司至少三年时间，其V-NAND技术的3D NAND已经发展到第三代了，48层堆栈。东芝、西数此前宣布四日市的新工厂竣工，并且早就开始生产3D NAND闪存了，现在双方又公布了其3D NAND闪存的最新进展——64层堆栈的BiCS 3D闪存已经开始出样，比之前的48层堆栈更先进，预计2017年上半年正式量产。
对于3D NAND闪存，全球四大NAND豪门——三星、东芝/西数（闪迪已经被西数拿下）、SK Hynix、美光/Intel都有不同的解决方案，堆栈的层数也不同。
作为NAND闪存的发明人，东芝研发的3D NAND使用的是BiCS技术，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。目前量产的是48层堆栈，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb。
东芝、西数目前宣布的新一代BiCS闪存是64层堆栈的，核心容量256Gb（32GB），未来还会推出容量高达512Gb的产品。东芝表示64层堆栈的3D NAND闪存单位面积容量增加了40%，每片晶圆所能生产的NAND容量也变大了，成本随之降低。
东芝的64层堆栈3D NAND闪存已经开始出样给客户，2016年底有可能看到部分零售产品，但真正规模量产还要等到2017年上半年。
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本文转自d1net（转载）
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