ICMAX漫谈闪存颗粒SLC与MLC和TLC三者的区别 ，性价比哪个好？

鉴于有粉丝向我提问，SLC、MLC与TLC选择哪种比较好，宏旺半导体ICMAX根据在行业内的多年经验，先跟大家梳理一下SLC、MLC及TLC三种闪存差异，并从专业的角度提供选择方案。

根据闪存颗粒中单元存储密度的差异，闪存又分为SLC、MLC及TLC三种类型，TLC其实只是一个形容词，我们所说的TLC指的是TLC闪存，而其中的TLC指的是Triple Level Cell，直接翻译过来叫做3阶单元，比较通俗的意思就是“一个单元可以存储3个信息”，相对应的MLC芯片为“一个单元可以存储2个信息”，SLC芯片则为“一个单元可以存储1个信息”。

SLC、MLC、TLC三种闪存的MOSFET是完全一样的，区别在于如何对单元进行编程。SLC要么编程，要么不编程，状态只能是0、1。MLC每个单元存储俩比特，状态就有四种00、01、10、11，电压状态对应也有四种。TLC每个单元三个比特，状态就有八种了(000、001、010、100、011、101、110、111)。

SLC（Single-Level Cell ）单层式存储，即1bit/cell，存储密度最低、写入数据时电压变化区间小，寿命最长约10万次擦写寿命，稳定性最好，多数应用高端企业级产品。

MLC（Multi-Level Cell）闪存，即2bit