鉴于有粉丝向我提问,SLC、MLC与TLC选择哪种比较好,宏旺半导体ICMAX根据在行业内的多年经验,先跟大家梳理一下SLC、MLC及TLC三种闪存差异,并从专业的角度提供选择方案。
根据闪存颗粒中单元存储密度的差异,闪存又分为SLC、MLC及TLC三种类型,TLC其实只是一个形容词,我们所说的TLC指的是TLC闪存,而其中的TLC指的是Triple Level Cell,直接翻译过来叫做3阶单元,比较通俗的意思就是“一个单元可以存储3个信息”,相对应的MLC芯片为“一个单元可以存储2个信息”,SLC芯片则为“一个单元可以存储1个信息”。
SLC、MLC、TLC三种闪存的MOSFET是完全一样的,区别在于如何对单元进行编程。SLC要么编程,要么不编程,状态只能是0、1。MLC每个单元存储俩比特,状态就有四种00、01、10、11,电压状态对应也有四种。TLC每个单元三个比特,状态就有八种了(000、001、010、100、011、101、110、111)。
SLC(Single-Level Cell )单层式存储,即1bit/cell,存储密度最低、写入数据时电压变化区间小,寿命最长约10万次擦写寿命,稳定性最好,多数应用高端企业级产品。
MLC(Multi-Level Cell)闪存,即2bit