[解读] 同是NAND Flash闪存(SSD)技术，MLC和SLC差距为何如此之大？

      直到现在，NAND闪存技术的发展，还是遵循传统的内存技术发展的轨迹，如SRAM、DRAM、EEPROM(EEPROM)等，在每个存储单元中存储一个二进制数据，然而这种类型的NAND技术现在被称为Single Level Cell或SLC。

      在竞争中，为了追求更高的密度和更低的成本，每个单元存储多个二进制数据的新类型的闪存单元已经出现，这种类型的NAND闪存称为Multi Level Cell或MLC，每个单元存储两个比特。市场上也有每个Cell存储三个比特的Triple Level Cell或TLC颗粒，但TLC的耐久性极低，P/E周期约在300左右，因此，即使在控制器和固件技术的帮助下，TLC NAND不适合用于工业应用。

      因此，在这篇文章中，我们将关注SLC与MLC NAND之间的关键区别，以及这两种类型的NAND的技术关键点。

每Bit密度和成本

      MLC NAND闪存每单元Cell存储2比特数据，这种较高的存储密度意味着，对于相同数量的存储，MLC设备的存储物理大小要小于SLC设备，较小的存储物理尺寸转换为较小Die尺寸，因此每比特的成本更低。

      然而，MLC设备的优势并不是SLC的2倍。原因是MLC需要更复杂的程序和读取电路，从而导致这些电路消耗更大的Die空间。

Device级别的性能

      为了在一个MLC NAND闪存单元中存储2位数据，编程电路必须能够在设备的浮动门上放置4个精确的电荷量，还是使用与SLC设备相当的电压阈值窗口。图1显示了SLC与MLC的Vt分布。

      要实现对Flash设备的浮动门的精确分配电荷，需要一个更复杂、更耗时的编程算法。因此，MLC NAND Flash的编程时间比SLC NAND闪存要慢4倍。

      读取操作也存在类似的性能惩罚，因为读取感知电路需要较长时间才能准确地区分这四个状态。因此，MLC NAND Flash的读取时间要比SLC NAND慢3倍。

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