hfss仿真时间过长怎么解决_单片微波集成电路(MMIC)设计中的仿真模拟工具和电容模型...

线性仿真模拟

线性仿真模拟隐含地意味着小信号分析，并且实际中使用组件模型进行线性s参数分析的问题非常少。

图1、基于解析方式的仿真建模流程

非线性仿真模拟

非线性仿真分析涉及较大的信号，其中一个或多个分量在其行为中变得非线性并且产生除了所应用的频率之外的新频率信号分量。这需要诸如谐波平衡分析之类的仿真技术，它可以解决直流和所施加信号的几个谐波，以及所应用信号的频率的电路问题。在使用谐波平衡时需要权衡，因为模拟的谐波越多，模拟结果就越准确，但计算时间也要长得多。三次谐波是产生有意义结果的最小数量，但如果电路足够简单，设计者应该理想地选择五次或七次谐波，并且模拟时间不会过长。因此，所有组件模型在执行非线性分析时，必须在dc处具有正确的行为。同样，30 GHz组件的非线性分析需要在60GHz,90GHz，...GHz等高频频率处解决该电路的问题。由于在这样高的频率下测量元件的可能性不大，因此在表征频率范围以上推断时，模型必须要具有正确的行为。

图2、电磁数值计算方法

2D，2.5D和3D电磁仿真

2D平面电磁仿真模拟器分析条形传输线的横截面并假设传播模式是横向电磁(TEM)或准TEM模。这意味着所有电场和磁场矢量都在横截面的平面中，并且沿传输线长度的变化是时间的函数。这种类型的仿真模拟器计算有效磁导率，每单位长度电容和电感等，并且可以生成有限长度传输线部分的s参数。允许横跨金属条的宽度(x方向)和沿长度(y方向)的电流但是没有垂直(z方向)方向的分量。此类仿真模拟器的示例包括Ansoft Designer SV集成的2D场解算器和LINMIC准TEM和全波仿真模拟器。2.5D平面电磁模拟器，如Momentum 主要也是先用2D模拟器计算模拟宽度(x方向)和沿长度(y方向)的电流，只是额外的半维意味着求解器可以计算垂直(z)方向的电流(通常用于穿透衬底的过孔)。3D平面电磁模拟器类似，但它们也能够计算导体厚度和电阻率的影响。这些例子包括Sonnet Lite和EM3DS 。

3D任意几何电磁仿真模拟器定义了要进行体积分析的空间，对场或电流的方向没有限制，并且能够处理金属厚度和电阻率的影响。这种额外的灵活性确实意味着它们的仿真模拟时间要比平面模拟器更长。这些全3D电磁(EM)模拟器的示例包括Sonnet的CST Microwave Studio 和HFSS。

正确使用这些各种电磁仿真模拟器，MMIC设计人员可以预测未连接元件之间的耦合效应，接近集总元件近似时的波长相关效应，以及假定的准TEM微带模式以外的传播模式，如作为腔波导和平行板传播模式。这克服了组件的有限s参数表示，对于模拟密集封装的MMIC非常有用，特别是在毫米波频率上的应用更加关键。必须明智地使用此功能，因为计算能力不足以在合理的时间范围内模拟整个MMIC，因此它应该首先用于模拟可能存在耦合问题的小区域并检查性能是否受到影响。

请注意，如果EM衍生数据将用于非线性谐波平衡分析，则求解结构的频率点必须包括所应用信号的正确谐波次数，以确保准确分析。类似地，如果EM衍生数据将用于时域分析，则求解结构的频率点必须包括最小时间步长的时间谐波样本(倍数)以确保收敛。

被动(无源)组件的模型

这里描述的等效电路模型的无源元件包括电容器，电感器，电阻器，穿衬底通孔和传输线不连续性。

电容器

MIM电容器通常具有相同的型号，无论它们使用何种配置，但叉指式电容器需要不同的拓扑结构来模拟串联和并联配置。

MIM电容器

MIM电容的集总元件等效电路模型如图3所示，同时该图显示出了元件参考平面通常位于何处的元件原理图示意图。该模型是不对称的，因为从顶板到地的寄生电容远小于底板的寄生电容。电容器不必是方形的，但大多数芯片代工厂的模型采用方形几何形状。这个简单的模型假设输入和输出连接位于电容的相对侧，相位变化由串联电感建模。如果电容器需要不同的或多个连接，则需要建立起更复杂的模型。

图3、MIM电容器的集总元件等效电路

串联叉指电容器(Series Interdigital Capacitors)

如图4所示，串联叉指式电容器的模型是对称模型，因为每侧的金属是相同的。

图4、串联叉指式电容器的集总单元等效电路模型

并联叉指电容器(Shunt Interdigital Capacitors)

图5、并联叉指式电容器的集总元件等效电路模型

并联连接的叉指式电容器的模型如图5所示。