行波iq调制器_GaAlAsGaAs量子阱行波Mach_Zehnder光调制器电极传输线的微波响应

5270

G

EEA

CC

:

1250

中图分类号

:

TN

36

文献标识码

:

A

文章编号

:

0253

2

4177

(

2003

)

11

2

1206

2

05

1

引言

光

调

制

器

是

光

纤

通

信

系

统

中

的

重

要

器

件

,

M

ach

2

Zehnder

(

M

Z

)

光调制器可推挽运行且具有控

制频率啁啾的能力

.

而量子阱

M

Z

调制器利用量子

限制

Stark

效应

(

Q

CSE

)

,

具有速度快

、

结构紧凑

、

驱

动功率小等优点

,

因此这方面的研究越来越受到重

视

.

国内在以半导体量子阱材料制作光调制器的研

究中

,

中国科学院半导体研究所在集总型

InGaA

s

󰃗

InA

l

A

s

电吸收调制器

[

1

]

和清华大学在

InGaA

sP

调

制器与

D

FB

激光器集成

[

2

]

方面均取得了较好的成

果

.

随着互联网业务量的迅猛增长

,

要求光调制器具

有更高的带宽

(

40

GH

z

以上

)

,

以提高系统的传输能

力

.

为此人们提出了行波电极结构的调制器

,

由于电

极被设计成传输线

,

不仅调制带宽高

,

而且可以用较

长的调制区长度以增加调制效率

,

因而是一种很有

效的光调制器结构

,

目前国际上在这方面的研究工

作已经取得了很好的进展

.

本

文

利

用

直

线

法

设

计

了

行

波

电

极

[

3

]

,

并

用

M

O

CVD

技

术

生

长

了

GaA

l

A

s

󰃗

GaA

s

多

量

子

阱

(

QMW

)

材料

,

通过

X

射线双晶衍射分析了材料特

性

,

在此基础上

,

用湿法腐蚀制作

M

ach

2

Zehnder

量

子阱光调制器

,

最后用

H

P

8720

D

网络分析仪对器

件的

S

参数进行测试

,

并对器件的微波特性进行了

测量和分析

.

2

材料生长和特性测量

2

1

1

材料生长

首先对使用的材料进行理论设计

,

以获得尽可

能大的场诱折射率改变量

.

衬底是半绝缘

GaA

s

,

首

先在其上生长

0

1

2

Λ

m

的缓冲层

;

接着生长

1

1

8

Λ

m

的

GaA

l

A

s

下

限

制

层

,

在

其

中

夹

一

0

1

05

Λ

m

的

GaA

l

A

s

重掺杂层

;

然后生长

30

个周期的不掺杂的

非对称耦合量子阱层

;

最后生长

0

1

6

Λ

m

的

GaA

l

A

s

上限制层

.

本材料由美国麻省州立大学用

M

O