SRAM
,
DRAM
,
ROM
,
PROM
,
EPROM
,
EEPROM
基本存储原理
SRAM
利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,
它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。
DRAM
利用
MOS
管的栅电容上的电荷来存储信息,一个
DRAM
的存储单元存
储的是
0
还是
1
取决于电容是否有电荷,有电荷代表
1
,无电荷代表
0
。但时间
一长,由于栅极漏电,代表
1
的电容会放电,代表
0
的电容会吸收电荷,这样
会造成数据丢失,
因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
刷新操作定期对
电容进行检查,若电量大于满电量的
1
/
2
,则认为其代表
1
,并把电容充满电;
若电量小于
1
/
2
,则认为其代表
0
,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。
PROM
(可编程
ROM
)则只能写入一次,写入后不能再更改。
EPROM
(可擦除
PROM
)
这种
EPROM
在通常工作时只能读取信息,
但可以用
紫外线擦除已有信息,并在专用设备上高电压写入信息。
EEPROM
(电可擦除
PROM
),用户可以通过程序的控制进行读写操作。