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大一计算机作业——论文

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大一计算机作业胡孔志院(系九 航天学院电子科学与技术系专 业：电子信息科学与技术指导教师：金野学 号：11521202292015年11月12日计算机作业题目 国际知名大学在微电子方面成就简介及概论专业 电子信息科学与技术学号 1152120229学生 胡孔志指导教师 金野在这篇论文中，学习电子信息科学与技术即微电子专业的我将着重介绍当今 世界上在微电子领域处于突出地位的知名大学在微电子方面的科研成就，取得成 就的原因以及其独具特色的地方，包括教学方式，科研条件等。更进一步地揭示 电子信息科学与技术与计算思维的密切关系，及计算思维在微电子领域的重要作 用。并表达一些自己对微电子发展的个人思考。关键词：知名大学；科研成就; 原因；教学；科研；计算思维；个人思考。AbstractIn this paper, the study of electronic information science and technology, which will focus on the research achievements in the field of microelectronics in the world, the reason for the achievement and the unique place, including teaching methods, scientific research conditions and so on. To further reveal the close relationship between electronic information science and technology, and the important role of Computational Thinking in the field of microelectronics. And express some personal thinking about the development of micro electronics. Key words: famous university; research achievements; reason; teaching; scientific research; thinking.第1章绪论1.1课题背景及研究的目的和意义现如今，虽然我国在微电子方面有着飞快地发展，但仍然与部分发达国家有 一定的差距；虽然我校现在在电子信息科许与技术专业已有一定的成就，但与国 内及国外的一些知名大学相比，仍显不足。所以在这篇论文中着重介绍国内外其 他大学的科研状况，我们要取长补短，为我国、我校在微电子方而的飞快发展做 好准备。并尝试联系计算思维，让计算思维为微电子的发展贡献力量。1.2微电子及其相关理论的发展概况简述在微电子方面的发展，有学者这样说道；“如今，以集成电路(ic)为核心的 微电子技术与产业已进入纳米电子时代。在这个时代，纳米电子器件所独有的一 些物理及电学特性使得传统ic设计、工艺、封装和测试面临一系列新的考验。 如互连延迟的增加、信号完整性(SI)、天线效应(AE)和电迁移(EM)等［1?6］。 对于TC设计，应注重体现系统芯片(SoC, system on a chip)的设计思想，将 可测性设计(DFT)和可制造性设计(DFM)贯穿到设计工作中。一些新工艺与新 材料的相继应用，可抑制或减小由于IC器件特征尺寸(CD)缩小所引起的许多消 极效应。女口，栅氧化层厚度为几个纳米时，为减小栅漏电而采用较厚的高介电常 数材料(high-k)；应用镶嵌工艺制备铜作为金属互连材料以减小信号延时等。为 了适应设计和工艺的革新需要，IC封装和测试也必须在技术上做相应的跟进和提 升。1DFT、DFM、1P核复用和系统芯片成为IC设计的重要发展方向随着微电子 系统复杂度和TC芯片集成度越来越高，现有的设计、制造、封装和测试等方面 止遇到严峻的挑战。基于可测性设计(DFT)和可制造性设计(DEM)方案是应对 这些挑战的可行方法[7]o TC设计通常要面对两种复杂性一一硅复杂性和系统复 杂性，即特征工艺尺寸(CD)的缩小和新材料、新器件的引入带来的复杂性，以 及受到越来越小CD和用户对增加功能、降低成本以及更短上市吋间要求所驱动 的晶体管数量的指数增长带来的复杂性。如果按照传统的方法设计，必然会引起 制造成本的上升，成品率的下降，测试成本的增加，其至根本无法测试等问题。 因此，必须在IC设计时就事先考虑到产品的可制造性和可测试性。目前，DFT和 DFM已经逐步应用于TC超深亚微米/纳米制造工艺和系统芯片(SoC)中。SoC是 在单一基片上实现信号的采集、转换、存储、处理和I/O等功能的系统。SoC的 设计涵盖算法、软件和硬件三方面，SoC的可测性设计已经成为SoC技术中至关 重要的部分[8]。超深亚微米/纳米器件更容易发生击穿、漏电和桥接等故障。为 此，新型高速DFT成为保证芯片良率、降低测试成本的关键所在。虽然DFM不属 于最新的技术，但其重要性在纳米器件的严重成率问题出现后H益显现。DEM要 求在产品设计吋将可制造性作为结构设计的一项基本评价准则，以避免不必要的 过高制造要求，从而尽量减少不必要的生费用浪费。在过去数年间，DEM (主要是 分辨率强技术，RET) 一直是保证TC良率的关键。今后DFM的发展方向是在设计 和制造之间建立更具鲁棒性的通信链路，以期获得更高的成品率。1C设计与制造 在进入纳米时代后，已经成为密不可分的一个整体，成为前向设计与制造数据反 馈相互融合的一个更为复杂的过程。” [9]“当代微电子技术和产业的飞速进步，对传统的IC设计、工艺、封装和测试 等方面带来许多机遇和挑战。可测性设计、可制造性设计和1P核复用成为1C设 计的重要发展方向。随着TC特征尺寸缩小到纳米量级，出现一些新的物理和电 学现象，促使1C在制造工艺技术和材料上进行重大变革。1C设计和工艺的革新, 又使得IC封装和测试技术呈现出一些新的特点。所有这些，提升了微电子产品 的性价比，拓展了市场，推动了微电子技术和产业的蓬勃发展。” [9]第2章 各知名大学在微电子领域成就简介2.1微电子领域中的顶尖大学外国屮，在微电子领域以麻省理工学院、加州理工学院、斯坦福大学最为突 出；在国内，在此领域以清华大学、复旦大学较为领先。接下来以次顺序介绍。2.2麻省理工学院这是一所著名大学，其在微电子方而科研成就及教学方式都有很多可取之处, 其科研成就甚多，在此不再列举，而是着重与教学模式。在不久前，麻省理工学院的工程和计算机科学系对本科生课程设置进行了一 定的修改,突出强调实践应用、加强核心课程的实验教学理念，突出系统，而 关 键 词： 大一 计算机 作业 论文

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