MEDICI仿真NMOS器件晶体管语法笔记-CSDN博客

MEDICI仿真NMOS器件晶体管

TITLE TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET

给本例子取的标题，对实际的模拟无用

COMMENT语句表示该行是注释

MESH SMOOTH=1

创建器件结构的第一步是定义一个初始的网表(见图1),在这一步中网表不需要定义得足够精确,只需要能够说明器件的不同区域,在后面我们会对该网表进行优化.网表的生成是由一个MESH语句开始的,MESH语句中还可以对smoothing进行设置(好的smoothing可以把SPREAD语句产生的钝角三角形带来的不利影响减小).

X.MESH WIDTH=3.0 H1=0.125

X.MESH和Y.MESH语句描述了初始网表是怎样生成的,X.MESH用来描述横向的区域.在此例子中,X.MESH语句中的H1=0.125说明在横向区域0—WIDTH之间垂直网格线水平间隔为0.125微米(均匀分布).

Y.MESH N=1 L=-0.025

Y.MESH用来描述纵向的区域,在这参数N指第一条水平网格线,L指位于－0.025微米处

Y.MESH N=3 L=0.

第三条水平线位于0微米处

在这个例子中头三条水平线用来定义厚度为0.025微米的二氧化硅(栅氧).

Y.MESH DEPTH=1.0 H1=0.125

这条语句添加了一个1微米深(DEPTH)的,垂直向网格线均匀间隔0.125微米(H1)的区域

Y.MESH DEPTH=1.0 H1=0.250

添加了一个1微米深的,垂直向网格线均匀间隔0.250微米的区域

ELIMIN COLUMNS Y.MIN=1.1

该语句将1.1微米(Y.MIN)以下的网格线隔列(COLUMNS)删除,以减小节点数

SPREAD LEFT WIDTH=.625 UP=1 LO=3 THICK=.1 ENC=2

SPREAD语句用来对网格线进行扭曲,以便更好的描述器件的边界.这个SPREAD语句将前三条网格线在左边(0-WIDTH之内, WIDTH在这里以过渡区域的中点为准。)的间隔从0.025(栅区氧化层)过渡到0.1微米(源区氧化层).其中UP指要定义的区域的上边界(此处为第一条网格线),LO指要定义的区域的下边界(此处为第三条网格线),THICK定义了这个区域的厚度.

X方向，左边0-0.625um区域，Y方向第1条水平到第3条水平线之间，氧化层厚度从0.025um到0.1um用2个网格过渡

SPREAD RIGHT WIDTH=.625 UP=1 LO=3 THICK=.1 ENC=2

这个SPREAD语句将前三条网格线的在右边的间隔从0.025(栅区氧化层)过渡到0.1微米(漏区氧化层).

参数ENC决定了从厚的区域过渡到薄的区域的变化特性.值越大过渡区越平缓,（ENC=2表明只在两格完成过渡）

X方向，左边0-0.625um区域，Y方向第1条水平到第3条水平线之间，氧化层厚度从0.025um到0.1um用2个网格过渡

COMMENT Use SPREAD again to prevent substrate grid distortion（失真）

COMMENT line NO.4 move to Y.Lo, >line No.4 will be not affected

SPREAD LEFT WIDTH=100 UP=3 LO=4 Y.LO=0.125

这个SPREAD语句将第四条网格线固定在0.125微米处（Y.LO=0.125）,可以使前两条SPREAD语句产生的网格扭曲不影响到0.125微米以下的网格，在这儿WIDTH参数取了一个特别大的值,可以把过渡性的区域放在器件的外面.

REGION SILICON

REGION是用来定义区域的材料性质,如果不特别说明区域的范围的话,则表示对整个结构进行定义,在这里定义整个区域为硅

REGION OXIDE IY.MAX=3

定义第三条网格线以上的区域为二氧化硅

ELECTR NAME=Gate X.MIN=0.625 X.MAX=2.375 TOP

ELECTR是用来定义电极位置的,在这里将栅极放在栅极二氧化硅的表面

ELECTR NAME=Substrate BOTTOM

将衬底接触电极放在器件的底部

ELECTR NAME=Source X.MAX=0.5 IY.MAX=3

将源区的接触电极放在器件的左边

ELECTR NAME=Drain X.MIN=2.5 IY.MAX=3

将漏区的接触电极放在器件的右边

PROFILE P-TYPE N.PEAK=3E15 UNIFORM

PROFILE语句是用来定义掺杂情况的,P-TYPE表示是P型掺杂, N.PEAK描述峰值浓度.这个语句定义整个衬底的浓度为均匀掺杂(UNIFORM),浓度为P型(P-TYPE)3E15(N.PEAK).

PROFILE P-TYPE N.PEAK=2E16 Y.CHAR=.25

这个语句定义沟道阈值调整的掺杂为P型,浓度为2E16，掺杂的特征长度(Y.CHAR)为0.25微米

PROFILE N-TYPE N.PEAK=2E20 Y.JUNC=.34 X.MIN=0.0 WIDTH=.5 XY.RAT=.75

PROFILE N-TYPE N.PEAK=2E20 Y.JUNC=.34 X.MIN=2.5 WIDTH=.5 XY.RAT=.75

以上两句定义了源(0-0.5微米处)和漏（2.5-3微米处）的掺杂区,他们的结深(Y.JUNC)为0.34微米,横向扩散率为0.75(XY.RAT),为N型(N-TYPE),浓度为2E20(N.PEAK).

INTERFAC QF=1E10

INTERFAC语句是用来定义界面态的,这个语句说明在整个二氧化硅的表面有浓度一致的固定电荷,浓度为1E10(QF).

PLOT.2D GRID TITLE="Example 1 - Initial Grid" FILL SCALE

PLOT.2D是用来显示二维图形的语句,

参数GRID表示在图中显示网表，

FILL表示不同的区域用颜色填充，

使用参数SCALE后,可以使显示图形的大小合适.

这个语句本身并不能显示器件的什么特性,只是给器件特性的显示提供一个平台,结合了其他的语句后才能显示所想要的图形,这一点在下面会给出示范.在这里的几个参数都是可有可无的,不妨把他们去掉,看看有什么不同,以加深理解.

该语句所得的图形如下:

到目前为止,器件的结构已经定义了,下面将对该网格进行调整以适应模拟的需要.

REGRID DOPING IGNORE=OXIDE RATIO=2 SMOOTH=1

REGRID语句是用来对网格按要求进行优化的语句.

当节点的掺杂特性超出了RATIO的要求时,该三角形网格将被分割成四个适合的小三角形,但二氧化硅区域不被包含在内(由IGNORE说明).

SMOOTH用来平滑网格的,以减小钝角三角形带来的不利影响,

SMOOTH=1表示平滑网格时,各个区域的边界不变,

SMOOTH=2表示仅仅不同材料的边界保持不变.参数DOPING说明优化网格的标准是基于杂质分布的,杂质分布变化快的区域自动进行调整.

PLOT.2D GRID TITLE="Example 1 - Doping Regrid" FILL SCALE

该语句生成的图形如下,大家可以仔细比较一下和上图的区别(在网格上有什么不同,尤其是在PN结的边缘.这儿浓度的变化最快).

CONTACT NAME=Gate N.POLY

CONTACT语句是用来定义电极相关的一些物理参数，

在这儿栅极(NAME)的材料被定义为N型的多晶硅(N.POLY).

MODELS CONMOB