java程序设计 一种跨学科_（工业） 设计是 一种 跨学科 的专业。_Java程序设计2018-2019第二学期答案_学小易找答案...

【单选题】图中使用的光刻胶是( )?

【单选题】在 Grove 提出的 CVD 模型中,在温度很高的情况下,淀积的速率通常为( )控制。

【单选题】CMOS集成电路通常选用( )晶面的硅片。

【判断题】正向外延是在低阻衬底上生长高阻外延层。

【多选题】在 SiO 2 内和 Si - SiO 2 界面中存在的电荷包括 哪些?

【多选题】做在外延层上的CMOS电路与做在硅的抛光片上相比,具有以下优点:( )

【单选题】要将 Si 衬底上 0.5um 的 SiO 2 腐蚀。假定平均腐蚀速率为 0.1 μm min -1 , SiO 2 厚度和腐蚀速率都有 5% 的偏差。求( 1 )需要多大的过刻蚀量(表示为百分数)才能保证所有的 SiO 2 都被腐蚀掉?( 2 )刻蚀 SiO 2 对 Si 的选择性多大时,才能保证最多有 5nm 的 Si 被腐蚀掉?

【判断题】温度是影响氧化速率的一个重要因素,温度越高,氧化速率越 大。

【判断题】与双极集成电路相比,Al的尖楔问题在MOS集成电路中更为突出。

【简答题】论述题 谈一谈自己对食品添加剂的认识和看法,并举例说明之。

【单选题】和湿法腐蚀相比,溅射刻蚀的优点是 ( )?

【单选题】CVD SiO 2 和热氧化 SiO 2 相比较 , 下面哪些说法是正确的( )? (1) CVD SiO 2 ,衬底硅不参加反应; (2) CVD SiO 2 ,衬底硅参加反应; (3) CVD SiO 2 ,温度低; (4) CVD SiO 2 ,温度高

【简答题】论述题 谈一谈自己对食品添加剂的认识和看法,并举例说明之。

【单选题】属于化学气相淀积的是( ) ( 1 )蒸发 ( 2 )溅射 ( 3 )硅烷热分解淀积多晶硅 ( 4 )硅烷氧化生成 SiO 2

【单选题】假设 B 以 100KeV 、每平方厘米 5 × 10 15 个离子的剂量注入进入 200mm 的硅晶片,求注入的峰值浓度。如果注入在 1min 内完成,求离子束电流。 已知:硼离子以 100KeV 的能量注入硅中时, Rp=233.7nm, Δ Rp=75.2nm ; 电子电量 e=1.6 × 10 -19 C 。

【判断题】主流微电子制造过程中, 光刻与刻蚀是最复杂、昂贵和关键的工艺,占总成本的 1/3 。

【单选题】IC 互连系统中 ,作为填充材料( plug )最常使用的是哪种金属( )?

【单选题】属于物理气相淀积的工艺有( ) (1)蒸发 (2)溅射 (3)硅烷热分解淀积多晶硅 (4)硅烷氧化生成SiO 2

【简答题】论述题: 请谈一谈地理与我们生活的关系,并举例说明。

【判断题】离子注入是目前主流的掺杂工艺。

【单选题】淀积二氧化硅薄膜时 , 为得到良好的台阶覆盖,最好使用

【判断题】选择式钨淀积已在亚微米工艺中得到广泛的应用。

【论述题】请先简要复述授课内容,再谈一谈你对植物学知识的新认识。

【单选题】RNA的主要功能是

【判断题】如果 CVD 的淀积速率由表面反应控制,那么要得到均匀的膜厚,最好的办法是 保持各处温度恒定 。

【单选题】氮化硅薄膜在工艺中不能用作 ( )?

【单选题】和正胶相比,负胶的优点是 ( ) ?

【单选题】RNA的主要存在部位是

【多选题】在工艺中大规模使用的互连材料有哪些( )?

【多选题】Al作为互连材料的缺点有哪些( )?

【单选题】光刻过程中都包括如下步骤: (1)刻蚀 (2)前烘(3)显影(4)去胶(5)涂胶(6)曝光(7)坚膜 以下选项排列正确的是:( )

【单选题】光刻机的性能可由哪些参数来判别( )?

【简答题】请你写一篇《与同事有效沟通的技巧》为主题报告。 内容包括:1、你与同事(如同部门、协会、班干部的沟通)或同学间沟通的事件;2、这个沟通事件让你思考了哪些沟通的问题;3、通过这个事件,你领悟到了与同事或同学有效沟通的技巧主要有哪些,为什么。 要求:1、字数不少于1000字。2、思路清晰,内容真实。3、允许化名。 (5.0分)

【判断题】D-G模型中,当氧化规律为线性时,二氧化硅的生长速率主要由表面化学反应控制。

【单选题】在已经长有铝膜的硅片上淀积厚度均匀的二氧化硅,最好采用 ( )。

【单选题】下列哪种情况属于同质外延( )?

【判断题】氧化工艺制备的 SiO 2 结构中不含非桥键氧。

【多选题】根据外延层生长的具体情况,可把外延工艺分为三种类型:( )

【判断题】干法刻蚀适用于刻蚀3um以下的线条。

【多选题】提高Al引线抗电迁移的方法有( )?

【简答题】论述题: 结合自己体会,谈谈地理与你生活的联系,并举例说明。

【单选题】热氧化过程中 Si 中杂质在 Si - SiO 2 界面存在分凝现象,下图所示是 哪种情况?

【单选题】硅的湿法腐蚀最常用的腐蚀溶剂中包含哪些成分 ( )? (1) 硝酸 (2) 氢氟酸 (3) 醋酸 (4) 磷酸

【单选题】对多晶硅的掺杂不包括以下哪种工艺( )?

【单选题】金属及金属性材料在集成电路工艺中的应用有哪些( )?

【单选题】LPCVD 与APCVD相比,哪个单次投片量大( )

【判断题】负胶的分辨率比正胶高。

【单选题】DNA的主要功能是

【单选题】离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性,主要影响有( ) 1 PN 结反向漏电流增大 2 载流子迁移率下降 3 少子寿命下降 4 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能

【判断题】相当于溅射而言,蒸发工艺生成薄膜的台阶覆盖性好。