单片机两个正玄波信号的相位差计算_分享 | 单片机晶振问题及解决方法（二）...

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一句

21.制作max232下载单片机，工作电压都正常，要外加晶振嘛？

答：当然要加，如果没有外加晶振，那么单片机的时钟电路就没有了，导致单片机串口就不能进行数据传输了，最终你这个下载器具就不能下载程序了。

22.静态工作点对晶振振荡有什么影响？

答: 具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移(甚至可能损坏)。影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰(EMI)、机械震动与冲击

23.我用的是外置4M晶振加两个30pf瓷片电容，用示波器测频率正常，但峰峰值有的板子是6V左右，有的是3V左右，板子功能正常但我怕电压低的不稳定，不知道晶振测试有没有依据可查或相关资料！

答：峰峰值不同是电容和晶振的参数离散导致的，只要正常工作，就可以。单片机里面都有放大处理的，它们都是放大展成方波来使用的。峰峰值多高都没用。你那电压高的倒应该看看，pic一般工作电压是5V，怎么振荡器会进来这么高电压？我一般都是在CPU晶振输入端串联一个电阻使用的。

24.pic单片机AD采样程序 有源晶振应该如何选择？如果使用片内振荡器，是不是必须要外接谐振器？如果外接有源晶振，选用那种频率较好？我听说4MHz的并不理想。外接20MHz的可以吗？这个是怎样选择的啊。

答：用片内振荡器不需要外接谐振器。

如果你的单片机只做AD采集转换，那就不需要太高的频率，内部4Mhz振荡器即可。

但如果还要做其他对时序要求较严的工作比如说总线通信，那就要考虑使用外部振荡器，因为内部振荡器的误差太大(即使校准了还有1%的误差) ，而用多大的晶振要看工作要求，频率越高单片机功耗越大。但只做AD的话，4M够了。

25.大家好。我想问个pic单片机的问题：晶振频率不一样。编译器自己带的库延时函数延时一样吗？比如晶振20MHZ delayus(1)和5MHZ delayus(1)是同是1us吗？

答：应该一样。

因为频率不一样,编译时候你的设置不一样,编译时候自然计算需要的倍数,参数就不一样了.

但可能因为频率除不尽的缘故,有一点点差异

26.单片机外接24M的晶振，1ms的基准延时函数用C语言怎么写？

答：定时器T0 工作方式1 晶振频率24MHz

定时器最大定时时间(us):32768

定时器最小定时时间(us):0.5

【1ms精确定时C51代码】

void T0_init(void) //定时器初始化

{TMOD |= 0x01;

TH0 = 0xf8; //设置定时器计数初值，定时1000us

TL0 = 0x33;

IE |= 0x82; //打开总中断

TR0 = 1; //启动定时器}

void T0_intservice(void) interrupt 1 //定时器中断服务

{TH0 = 0xf8; //重装载定时器计数初值

TL0 = 0x33;

//这里可以插入其他处理程序,不会影响定时器工作}

27.单片机24M晶振可以测量20MHZ的信号吗

答 ：要看用什么单片机了。有些单片机执行一条指令需要两个机器周期以上的。那肯定测量不到20MHZ的信号。

28.用单片机的晶振电路产生信号和555计时器产生信号哪个更好?

答：一般来说，晶振的稳定性好于RC震荡器。

29.用什么电路能让32768的晶振产生32768的方波信号？

答 ：用或非门，也可以完成 振荡和方波整形 的任务。电路如插图所示。

图中的晶振，原为38000Hz，如改为32768Hz，也完全正常可以工作。

30.晶振的原理，如何产生正弦信号的，详细一点，从电路方面分析？

答：晶体可以等效为一个电感，与里面的电容形成振荡回路，能量从电感慢慢到电容，再从电容慢慢到电感，周而复始形成振荡。正半周是电容的充放电过程，负半周是电感的充放电过程。

31.11.0952的晶振和单片机哪些引脚连接能起作用？电源和18B20应该和单片机的哪些引脚相连呢？RT，要把单片机从实验板上引出来，应该怎么连接？1602LCD的液晶该怎么和单片机相连呢？每次从仿真上连出来都是只有背光和黑点，但是不显示已经烧录的程序。

答：晶振接单片机x1(或者叫XTAL1)和x2(或者叫XTAL2)引脚。

电源接单片机的VCC和GND。

18b20电源脚接电源上，中间的数据线可以单片机的任意io口。具体控制是靠程序完成的。

1602的数据线接单片机io(比如51单片机的P1口)，其它的控制线rw，reset，cs等可以接单片机的任意io口。

烧录了程序不能运行，而程序是正确的话，你得看程序怎么定义这些引脚，根据程序定义连接单片机的位置。

32.我现在要用52单片机做一个交通灯电路。要求是红灯，绿灯30s，黄灯3s。循环变化。那么外界晶振怎样选择？单指令周期多少比较合适？图中外接的两个电容的作用是什么？大小多少合适？

答：如果选择晶振的话，那两个电容值可以选择：30加减10PF左右的(频率在0~33MHZ之间)；

如果选择陶瓷晶振的话，电容值可以选择：40加减10PF左右的(频率在1.2~12MHZ)振荡器应尽量靠近电容。指令周期是可以算的，这个是有公式的！

33.89c52单片机如果不接晶振会有什么后果？

答：单片机不工作了 程序无法烧入。。。。等等

34.若89c52单片机使用外接晶振，应如何设置？

答：晶振的两个管脚各接一个20~30pf的电容后分别接入单片机的XTAL1和XTAL2，两个电容的另一端并接后接地即可，不再需要任何设置

35.89c52单片机晶振频率才12兆，太小了，怎样能改大晶振频率？

答：外接18.432或者24MHz的晶振啊。或者换4T的W77E58单片机，这样相当于把工作频率提高3倍。或者换1T的DS89C4XX单片机，这相当于把工作频率提高8倍！足够了吧？用1T的STC12C5A**单片机也有这样的效果。

36.单片机工作频率的问题，晶振到底怎么选择？

答：1.最基本的单片机，其机器工作频率为：晶振频率÷12

2.有的单片机(高级一些的)机器工作频率为：晶振频率÷2(或者6等等)

3.以汇编语言为例，单片机执行一条指令需要的时间为1~2个机器周期(机器周期 = 1÷机器工作频率)

4.举例：

一普通单片机晶振12MHz，其机器工作频率为 12MHz÷12 = 1MHz

其机器周期 = 1÷1MHz = 0.000001秒(也就是10的负6次方)

“MOV”指令需要一个机器周期来完成，也就是说执行这条指令需要耗费10的负6次方秒，这么长的时间。

37.51单片机晶振上接的电容大小该如何选择？是晶振越大，电容值也要大一些吗，一般常用多大的。有人说常用的从15-33pf，具体如何选择效果最好？比如我分别用一个6M和12M的晶振，用多大电容更合适？

答：15-33pf都可以 我们一般用的是15P和30P 晶振大小影响不大 我们常用的4M 和12M 以及11.0592M和20M 24M 我们都用的 30P 单片机内部有相应的整形电路 我们不比担心

38.我给51单片机12M晶振接2200pF电容会怎么样？电路图里貌似是22pF的，但是我没有22pF的...接2200pF会不会不正常工作？

答：不可以，晶体会不工作的。15-33p是合理范围。你可以试试看，对单片机不会有损坏。

39.单片机不能正常工作，晶振问题？如何去检查晶振正常还是不正常？另外我看到说晶振跟两个小电容要离得很近，我几乎都没剪引脚(就是买回来多长就多长)就插上去了，这个也有关系吗？

答：用万用表测量单片机连接晶振的两个引脚 正常起振的状态下电压大概比供电电压的1/2略低一些 如果其中一个或全部引脚为电源电压或零就表明没起振。那个引脚长些一般不会有什么影响 相比之下接地更关键些 两个谐振电容接地端到单片机的电源地要尽量近些。

原文摘自：头条电子工程师笔记。如侵权，请联系删除。

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像我们这样相信物理的人都知道，过去、现在和未来之间的区别只不过是持久而顽固的幻觉。

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