SPICE集成电路分析程序与MOSFET模型
Level 1 简单MOSFET模型
Level 2 2μm 器件模拟分析
Level 3 0.9μm 器件数字分析
BSIM 1 0.8μm 器件数字分析
BSIM 2 0.3μm 器件模拟与数字分析
BSIM 3 0.5μm 器件模拟分析与0.1m 器件数字分析
Level=6 亚微米离子注入器件
Level=50 小尺寸器件模拟电路分析
Level=11 SOI器件
对电路设计工程师来说, 采用什么模型参数在很大程度上还取决于能从相应的工艺制造单位得到何种模型参数。
例1:
含有双稳态的电路
固定A端为1,扫描输出-输入B 的直流特性:
1、1.2um CMOS工艺level II模型
(1)直流特性: