dao模式和前端控制器结合使用_关于ISL81801双向升降压和ISL81802两相降压控制器解析...

随着社会的快速发展，我们的降压控制器也在快速发展，那么你知道降压控制器的详细资料解析吗?接下来让小编带领大家来详细地了解有关的知识。

ISL81801双向升降压和ISL81802两相降压控制器，可为48V电信、数据中心及工业应用可靠供电提供所需额外电压裕量。

在如今的许多应用中，要求的额定输入电压超过许多现有DC/DC控制器的VIN最大额定值。对此，传统的解决办法包括使用昂贵的前端保护或实现低端栅极驱动器件。

ISL81801升降压控制器像“片上不间断电源UPS”一样，进行恒压和恒流两种模式控制调节双向电流流动(正向或反向)。这个创新设计可实现使用单一控制器对电池或超级电容器进行充电和对负载供电。ISL81801结合目前业界最高的80V升降压开关频率(600kHz)和最小封装(5mmx5mm)，使设计人员能够创建超紧凑、高密度的电源解决方案。输入电压范围从至80V的宽压范围非常适合众多常见应用，包括48V电机驱动器、5G通信基站、工业电池备用储能系统和太阳能供电系统等。

降压控制器通常来源于参考电位(0V)的偏置电源(图1a)。偏置电源来自输入电压;因此，器件需要承受全部的VIN电位。

ISL81802是一款集成驱动器的单芯片80V两相同步降压控制器，也是业界唯一具备1MHz开关频率的80V两相降压控制器，可使用小型电感来提高功率密度。对于更高功率的应用，可将多个ISL81802冗余并联或者交错并联，并具备同类最佳瞬态响应。ISL81802可产生两个独立的输出，也可以产生一个大电流输出，从而使富有创意的电源工程师能够在平台之间获得极大的灵活性并实现IP复用。此外，具备恒压或恒流两种模式控制的能力开启了广泛的终端用户应用，如LED驱动、数据中心等。

然而，因为开通p通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)所需的栅极驱动电压在VGS低于VIN，p通道降压控制器具有参考VIN(图1b)的栅极驱动电源。关闭p通道MOSFET则仅需简单地将栅极电压变为VIN(0VVGS)(图2)。

瑞萨电子工业和通信事业部副总裁PhilipChesley表示：“全新80VISL81801与广受欢迎的60VISL81601和40VISL81401双向升降压控制器，与我们业界领先的MCU、电源和模拟产品相融合，为客户提供了全系列选择，以优化电池寿命和电能利用。充分利用瑞萨专有调制方案与算法，高度集成的ISL81801和ISL81802可实现超高可靠性，并以极少的BOM元件数量对瞬态负载电流做出迅速反应。”

以上就是降压控制器的有关知识的详细解析，需要大家不断在实际中积累经验，这样才能设计出更好的产品，为我们的社会更好地发展。