vasp结构优化英语_VASP态密度、能带、DFT+U实例分析教程

今天主要记录强关联电子体系+U、DOS和能带计算过程中参数的设置，相信大家在读一些计算类文献时会看到文章中计算部分有The GGA + U calculations were performed using the model proposed by Dudarev et al

这样一段话,那么我们今天来讨论一下。

首先了解一下什么是强关联电子体系，对于弱关联体系，DFT-LDA近似就能很好的描述材料的电子特性。而对于含有d层尤其是f层电子的体系，电子--电子库伦互作用导致的局域电子占据态会强烈影响体系的能级分布。

电子间的库伦交互作用不可忽略---强关联体系。强关联体系的处理---引入Hubbard U模型：

就是LDA的总能，后面一项为考虑了电子库伦交换作用的Hubbard U项。

1) VASP计算过程LDA+U模型如何设置参数？

U值由三个参数控制：LDAUL LDAUU LDAUJ

LDAUL---对具体的p-/d-/f-轨道加U

LDAUU---电子库伦相互作用项(on -site Coulomb interction)

LDAUJ---电子交换相互作用项(on -site exchange interction)

(U-J为有效U值)

2) U值怎么确定？

• 对U值做一系列测试，求得与实验值较为接近的结果。(纯计算)
• 研究较为成熟的体系，参考文献值，然后引用出来即可。(主实验，辅计算)
• 谁让我爱你们呢，详见：http://blog.sciencenet.cn/blog-567091-775079.html 光说不练瞎嚯嚯，上才艺:

一、CeO2晶胞结构优化

首先找到CeO2结构

POSCAR：

CIF file1.0        5.4109997749         0.0000000000         0.0000000000        0.0000000000         5.4109997749         0.0000000000        0.0000000000