计算机组成原理实验ram扩展,计算机组成原理ram实验报告.doc

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山东大学软件学院组成原理实验报告(实验)课程名称计算机组织与结构实验报告学生姓名:学号:指导教师:陈志勇实验地点:硬件实验室实验时间:2014年12月11日一、实验项目名称:RAM实验二、实验目的:1.了解半导体静态随机读写存储器RAM的工作原理及其使用方法。2.掌握半导体存储器的字、位扩展技术。三、实验内容: RAM实验结构图INTEL2114静态存储器:Intel2114RAM存储器芯片为双列直插式集成电路芯片,共有18个引脚,各引脚的功能如下:A0-A9:10根地址信号输入引脚。:读/写控制信号输入引脚,当为低电平时,使输入三态门导通,信息由数据总线通过输入数据控制电路写入被选中的存储单元;反之从所选中的存储单元读出信息送到数据总线。I/O1~I/O4:4根数据输入/输出信号引脚。:片选信号,低电平有效,通常接地址译码器的输出端。第一部分:采用1K x 4 的芯片,构成1K x 8的存储器。第二部分:采用1K x 4 的芯片,构成2K x4的存储器。四、实验要求: ◆采用1Kx4的芯片,构成1Kx8的存储器。选择五个不连续的存贮单元地址,分别存入不同内容,作单个存贮器单元的读/写操作实验。◆采用1Kx4的芯片,构成2Kx4的存储器。◆必须使用译码器进行扩展(三输入都用,接开关)。选择五个不连续的存贮单元地址,分别存入不同内容,作单个存贮器单元的读/写操作实验。选用适当芯片,根据各种控制信号的极性和时序要求,设计出实验线路图。分别设计实验步骤。使用开关进行数据加载,通过指示灯显示实验结果,记录试验现象,写出实验报告。给出字扩展试验中每片RAM芯片的地址范围。五、参考器件:RAM采用两片MM2114隔离部件采用74LS125译码器采用74LS138备注:为简化试验,地址可只用低4位(其余地址可接地)。六、实验数据记录及结果分析:字扩展的实验操作:1.初始化:将k15(74LS125的C信号)推至高电平,断开开关输入。将k13(RAM片选信号)推至低电平,选中RAM。将k14(读写控制)推至高电平读取状态,以防选地址过程中对沿路数据进行修改。2.写入数据:将k0~k3的四个开关调至想要输入的地址。将k4~k11调整至想要的二进制输入值。将k15(74LS125的C信号)推至低电平,连接开关输入。将k14(读写控制)推至低电平写入状态,写入数据

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