实验三 lr分析器的设计与实现_三电平ZVS半桥的控制模型与仿真 基于PSPICE

前言：

    因为最近有研究一些三电平的东西，所以找出了15年写的TL移相桥的文章，也算是旧文新发。必须要说的，5年前水平有限哈(但是蛮认真的)，如果有错误请见谅。

正文：3650字 22图  预计阅读时间：10分钟

    本文模型基于Orcad pspice A/D 16.6环境，测试可以正常运行。

正文：

  三电平的结构能钳位管子两端电压的优点，其实现的原理，已经在昨天发出的《三电平半桥LLC的控制模型与仿真》一文中讲的清楚。LLC是的调频控制增益，原边ZVS和副边ZCS，对于输出较高电压的应用，如53.5V//60A(输出电流相对较小)，具有好的优势的。但是若是需要做低压大电流，如12V/200A这样，我想移相全桥控制可能会更好一些，毕竟副边能倍流整流。

   关于移相和LLC的优缺点，我想大家都非常清楚。我这里就不继续讨论，下文要讲的就是。如何用移相控制方法来实现三电平半桥的MOS实现ZVS工作。下图是三电平半桥的功率级结构，根据三电平结构的开关时序要求。M1和M4要早于M2和M3关闭。在三电平结构的LLC的控制中，为了实现驱动实现的要求，我设计了延迟电路。能实现，当M1关闭后，延时300ns后关闭M2，同时这个300ns时间可调。

(图1 三电平ZVS半桥功率级 )

   如果要用移相方法来控制，这种控制方法会发出互补对称的超前桥驱动和互补对称的滞后桥驱动(插入了一定的死区时间)。通过调整全桥对角互补管子的驱动重叠时间，达到控制副边滤波电感上的电压占空比，实现对输出电压的控制。这种控制方法，简直与生俱来的就是为了控制三电平半桥结构的。我们让M1和M4作为超前管，控制信号会让超前管先关闭。钳位二极管D2和D3钳位管子中点(MOS_HALF_A和MOS_HALF_B)的电压为VIN/2。然后控制电路将滞后管M2和M3关闭，实现调整占空比对输出电压控制。与此同时完美的确保了驱动要求的时序，通过合理的死区时间和谐振电感，还能实现软开关工作。

   写到这里，读者应该对普通移相全桥控制原理的有所了解(可参见TI出的UCC3895