racte margin 居中 失效_IGBT不得不知道之——失效及寿命预测

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IGBT失效机理

实际应用中，IGBT常见的两种失效机理：

• 突发失效：即自发的，不可预知的失效
• 渐变失效：可预测的失效，随着时间推移慢慢产生，制造商起着决定性的作用

1、突发失效：应用工程师的主要任务是通过设计防止突发失效，设计时必须考虑所有相关因素。可以通过冗余系统、加强保护来实现，合理选用器件和工程师的设计决定了突发失效的风险

2、渐变失效：器件制造商起着决定性作用，一般制造商会提供器件数据图表，如功率循环寿命及热循环寿命等，工程师根据这些数据，再结合特定应用的负载变化曲线，即可得出器件的使用寿命和适用性

下图可概括IGBT的不同失效机理，灰色框表示突发失效原因，阴影框表示可导致渐变失效的因素。失效可能会立即出现，也可能经过一段时间（预损坏）出现，这取决于受损伤的程度

宇宙射线也是IGBT失效的一种重要因素，是一种特殊的失效机理，不在这里体现

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IGBT模块老化机理

模块的老化与许多因素有关，包含电气负荷因素和环境因素，环境因素包含：温湿度、宇宙射线、灰尘、机械振动等

现有的试验和研究更多是在电气负荷对IGBT寿命的影响：

模块由不同材料组成，不同材料的CTE（热膨胀系数）不一样，工作过程中，持续的温度波动导致材料相邻层产生机械应力，这是导致模块老化失效的根本原因

主要失效的位置包含：

• 绑定线根部
• 芯片金属化层
• DCB与芯片、DCB与基板之间的焊接层

1、绑定线失效：

目前IGBT模块应用比较多的是铝绑定线，反复的热应力下，绑定线不可避免承受疲劳应力，典型的失效模式有两种：

• 绑定线疲劳开裂；
• 绑定线疲劳脱落

大电流IGBT模块通常用几根绑定线分担电流，其中一根绑定线损坏脱落，其它绑定线会承受更大的电流从而加速损坏；疲劳还会导致损耗增加，可能引起芯片过热失效

绑定线开裂（左）绑定线脱落（右）

2、 金属化重构

随着功率循环次数的增加，芯片表面铝金属层出现退化、晶粒增大、铝层挤压的现象，金属化层重构会造成层电阻增加，从而导致Vcesat参数的上升；还可能造成有效的芯片元胞面积减少，造成局部的热点或烧熔

金属化层重构

下图体现金属化层重构导致的Vcesat持续上升

3、焊接层退化

模块内部，DCB与芯片、DCB与基板之间的连接目前大多通过焊接完成，长期的热循环应力会导致焊接层脆化、开裂