电子元件家族当中,有一种只允许电流由单一方向流过,具有两个电极的元件,称为二极管,英文是“Diode”,是现代电子产业的基石。
早期的二极管
早期的二极管包含“猫须晶体”(Cat's Whisker Crystals)和真空管(ThermionicValves)。
1904年,英国物理学家弗莱明根据“爱迪生效应”发明了世界上第一只电子二极管——真空电子二极管。它是依靠阴极热发射电子到阳极实现导通。
电源正负极接反则不能导电,它是一种能够单向传导电流的电子器件。早期电子二极管存在体积大、需预热、功耗大、易破碎等问题,促使了晶体二极管的发明。
晶体二极管
又称半导体二极管。1947年,美国人发明。在半导体二极管内部有一个PN结和两个引出端。
这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。
晶体二极管结构
晶体二极管的核心是PN结,关于PN结首先要了解三个概念。
- 本征半导体:指不含任何掺杂元素的半导体,如纯硅晶片或纯锗晶片。
- P型半导体:掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体,如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。
- N型半导体:掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体,如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。
- 外加电压Uw方向为P→N时,Uw大于起动电压,二极管导通;
- 外加电压Uw方向为N→P时,Uw大于反向击穿电压,二极管击穿。
- 最大整流电流Idm:二极管连续工作允许通过的最大正向电流;电流过大,二极管会因过热烧毁;大电流整流可加装散热片。
- 最大反向电压Urm:Urm一般小于反向击穿电压,选规格以Urm为准,并留有余量;过电压易损坏二极管。
- 反向饱和电流Is:二极管外加反向电压时的电流值;Is反向击穿前很小,变化也很小;Is会随温度的升高而升高,一般地,常温下硅管Is<1μA,锗管Is=30~300μA。
- 最高工作频率Fm:指二极管能保持良好工作特性的最高工作频率。
- 反向偏压增加,造成电容减少;
- 反向偏压减少,造成电容增加;
- 反偏电压愈大,则结电容愈小。
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