变流器过电压保护matlab,中小功率IGBT逆变器过电压保护电路的设计

1引言RU绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor+,LiIGBT)是目前应用最广泛的复合电力电子器件之一,集GTRUDCC UCER与MOSFET的优点于一身,具有高输入阻抗、高开关频率、-低导通压降、可承受高电压大电流的特性。目前,在逆变器、图1 IGBT关断时刻工作电路图变频器等设备中已成熟应用[1]。IGBT由导通状态进入关断状态的暂态过程内,集电极电由于IGBT工作的高频特性,系统中固有的杂散电感以流i由通态电流值下降到0,此暂态过程通常小于0.1μs,因此,及与IGBT反并联的续流二极管反向恢复过程的存在,会使得线路中会产生较高的di/dt。线路电感L会产生较大的感生电IGBT两端产生较大的过电压,无附加保护措施将带来击穿器动势阻止线路中电流的突变,感生电动势方向与直流电压方件的危险[2]。实际电路中必须对IGBT附加过电压保护电路,向顺向叠加,忽略线路中极小的线路阻抗带来的压降影响,以保证IGBT的安全运行。在主电路电流为10A~200A的中小此时IGBT两端的电压值为:功率逆变器和变频设备中,综合考虑保护效果、功率损耗,U=U+Ldi以及电路结构简洁性的工程要求,最常用的过电压保护电路CE DC(1)dt是C型与RC型过电压保护电路。式中:UCE为IGBT集—射极间电压;L为线路总电感量;2 IGBT产生原因Udi过电压的DC为直流电压;dt为IGBT集电极电流变化率。2.1关断过电压分析2.2续流二极管换向过电压分析IGBT关断时刻工作电路图如图1所示。在逆变器和变频器中,IGBT会反并联一组二极管来保证

负载电流在IGBT通态向断态过渡的暂态过程中保持连续,并生电感保证过电压的抑制效果。这种过压保护电路的优点是且当负载为阻感特性时为无功能量的回馈提供通路。在IGBT结构简单,便于安装,能最大限度地减小保护回路中的寄生由断态切换到通态的暂态过程中,反并联二极管由正向偏置电感量,保证过电压抑制的效果,同时作为无功元件,不会状态转换为反向偏置状态。由图2可以看出,状态转换过程产生过大的功耗带来局部温度的升高,进而影响IGBT的性能,中二极管内出现较大的反向恢复电流,峰值为IRP。在tf时间内,成本较低;缺点是会与杂散电感产生谐振,使得过电压要经历dIF/dt与图1中的di/dt具有一致的变化规律,线路电感L两端较长时间的衰减振荡才能完全消除,在下一个开通状态到来时,也会产生与UDC顺向串联的电压;反并联二极管在反向恢复若过电压依然有较大残留,则会带来较大的开通集电极电流的过程中有明显的反向电压过冲,过冲电压峰值为URP,这两种尖峰。在结构上吸收电容可直接与单管IGBT进行并联,但该因素也造成IGBT两端的尖峰过电压,影响其安全使用。结构会带来关断电压上升率过低的问题,需要结合输出等效I电感重新设置器件死区时间,防止出现上下桥臂直通[4]。U图3(b)所示电路为RC型过电压保护电路。该电路的优U点是结构简单,便于安装;缺点是会产生较大的集-射极电压R尖峰,并且当IGBT的工作频率较高时,每个关断暂态过程中I产生的过电压能量需由电阻进行释放,电阻功耗非常严重。RP电阻的阻值和电容的容值必须慎重选取,U以在功耗与过电压抑RP制的速率、效果之间寻取折衷点,给电路参数设计和实际器图2二极管正向偏置转为反向偏置动态过程波形件的选取带来了很大不便。因此,该电路只适用于小功率低频设备。在结构上该电路也可直接与单管IGBT进行并联,但同3典型IGBT过电压保护电路分类样会带来关断电压上升率过低的问题,需要