hal库模拟量_STM32使用HAL库操作FLASH的注意事项

STM32通常有着丰富的片上Flash空间，这些空间正常情况下是存放指令代码、常量等烧录数据的。平时我们编译出来的bin或者elf文件会按顺序填充进Flash；hex格式的文件会稍许不同，通常情况下hex文件会更小一些，因为它会将无意义的填充段省略。

一般我们的代码逻辑加上常量数据是远远用不到片上Flash那么大的空间的，因此我们可以划分一些区域用来作为掉电存储空间，实现EEPROM的作用。此外，如果产品需要简单实现AOT固件升级，也需要使用到片上FLASH操作。

在使用STM32的HAL库进行FLASH操作的时候，有以下几点值得注意：

1. 注意顺序

先解锁Flash，再擦除片区，再写入，写完了别忘了加锁。

HAL_FLASH_Unlock();

HAL_FLASHEx_Erase();

HAL_FLASH_Program();

HAL_FLASH_Lock();

2. 擦除相关

HAL_FLASHEx_Erase()函数会入参一个有关清除扇区配置的结构体对象，这个参数对应的结构体定义根据不同芯片的HAL库有所不同，F1/F4/L4均不相同，而且同系列不同Flash大小的芯片所能指向的地址也不相同，同时这里面还存在Sector/Page/Bank等概念，这些概念涉及到一次性所能清除区域的大小，需要适当阅读一下实际使用芯片的Reference manual，比如RM0351(STM32L475),RM0090(STM32F407),RM0008(STM32F103)等，这些文档都会有专门的章节介绍嵌入式Flash的结构，可在ST官网搜索上述代码下载阅读。

在STM32F407VET6上，