function P = P_tunnel_fun_2(En)
format long;
global Pscale1 Pscale2 q c0 c_AlN c_AlGaN Vth d1 d2 Phin mm mAlGaN mAlN mGaN N h;
%-------构建能带分布(V=Vth)-----------
%能带信息计算
detaEc_AlN_GaN = 0.7*(6.14-3.43);
detaEc_AlGaN_AlN = 0.7*(6.14-3.87);
Polar_AlGaN_AlN =(8.794e13*Pscale1-3.4721e13*Pscale2);
Polar_AlN_GaN =(8.794e13*Pscale1-2.122E+13);
E_AlN = q*Polar_AlN_GaN/(0.01*c0*c_AlN); %正电场的方向是由阴极指向阳极
E_AlGaN = (E_AlN*0.01*c0*c_AlN-Polar_AlGaN_AlN*q)/(0.01*c0*c_AlGaN);
Phi_AlN = E_AlN*d2*0.0000001; %正电势表明是阳级侧导带高于阴极 侧
Phi_AlGaN = E_AlGaN*d1*0.0000001;
Phis = Phin+detaEc_AlN_GaN+Phi_AlN-detaEc_AlGaN_AlN+Phi_AlGaN+Vth;
%金属能带分布
Ec_metal=@(x) (Phin+Vth).*(x<=0);
%AlGaN能带分布
Ec_AlGaN=@(x) (Phis-(x.*E_AlGaN*0.0000001)).*(x>0 &